investigadores estadounidenses una celda de memoria que registra datos desplazando mecánicamente capas de metal de tres átomos de espesor. Una celda de memoria de este tipo promete la mayor densidad de grabación y requiere un mínimo de energía para su implementación.
El desarrollo fue informado por un grupo conjunto de científicos del laboratorio SLAC de la Universidad de Stanford, la Universidad de California en Berkeley y la Universidad Texas A&M. Datos publicados en la revista. .
Los científicos llevaron a cabo una serie de experimentos con pilas de un metal 2D llamado ditelluuro de tungsteno. Cada capa de metal 2D en la pila tenía un espesor de tres átomos, lo que prometía una grabación muy densa en comparación con las células de memoria de silicio. Los experimentos han revelado que una pequeña cantidad de energía aplicada a la pila provoca el deslizamiento (desplazamiento) de cada capa impar en una pila de capas. Esto sucede tan rápidamente que el descubrimiento podría conducir a la creación de una memoria de computadora de altísimo rendimiento, capaz de almacenar información sin fuente de alimentación (no volátil).
La información registrada (cero o uno) se produce en el proceso de desplazamiento de una capa de metal en una pila. El desplazamiento de capas provoca cambios en el movimiento de los electrones en las capas superior e inferior de metales 2D en relación con la capa desplazada. Para leer esta información, los científicos proponen utilizar un efecto cuántico llamado . Se trata de un flujo magnético generado dentro del material, que se produce cuando partículas cargadas se mueven dentro de la red cristalina.
A juzgar por la descripción del experimento, la memoria en capas desplazables en pilas de metales bidimensionales es una perspectiva muy, muy lejana. Pero la perspectiva es muy tentadora y promete un registro de datos 2 veces más rápido para un almacenamiento a largo plazo. En el camino, hay muchos experimentos por hacer y la mejor combinación de materiales por seleccionar.
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Fuente: 3dnews.ru