Los módulos de memoria integrados en chips Samsung B-die son quizás una de las opciones más populares entre los entusiastas. Sin embargo, el fabricante surcoreano los considera obsoletos y actualmente detiene su producción, ofreciendo sustitutos con otros chips de memoria DDR4, cuya producción utiliza procesos técnicos más modernos. Esto significa que los módulos de memoria DDR4 sin búfer de Samsung basados en chips B-die han llegado al final de su ciclo de vida y pronto estarán agotados. Otros fabricantes que utilizan chips Samsung B-die en sus productos también dejarán de suministrar módulos similares.
Los chips Samsung B-die y los módulos de memoria basados en ellos han ganado un amplio reconocimiento debido a su versatilidad y potencial de overclocking. Escalan perfectamente en frecuencia, responden bien a los aumentos en el voltaje de suministro y permiten operar con tiempos extremadamente agresivos. Otra ventaja importante de los módulos basados en chips Samsung B-die es su sencillez y su amplia compatibilidad con varios controladores de memoria, por lo que son especialmente apreciados por los propietarios de sistemas basados en procesadores Ryzen.
Sin embargo, para la producción de chips B-die se utiliza un proceso tecnológico bastante antiguo con estándares de 20 nm, por lo que el deseo de Samsung de abandonar la producción de dichos dispositivos semiconductores en favor de alternativas más modernas es bastante comprensible. No hace mucho, la compañía anunció el inicio de la producción de chips SDRAM DDR4 que utilizan tecnología de 1z-nm (tercera generación), y los chips producidos con tecnología de 1y-nm (segunda generación) se han producido durante más de un año y medio. Son estos a los que el fabricante le anima a cambiar. A los chips B-die se les asigna oficialmente el estado EOL (End of Life): fin del ciclo de vida.
En lugar de los legendarios chips B-die de Samsung, ahora se distribuirán otras ofertas. Los chips M-die, que se crean utilizando una tecnología de proceso de 1y nm, han alcanzado la etapa de producción en masa. Los chips A-die, producidos con tecnología aún más avanzada con estándares de 1z nm, también han alcanzado la etapa de producción de calificación. Esto significa que la memoria en chips M-die saldrá a la venta en un futuro muy próximo, y los módulos construidos en chips A-die estarán disponibles para los usuarios dentro de seis meses.
La principal ventaja de los nuevos chips de memoria con núcleos actualizados, además de los modernos procesos técnicos y un potencial de frecuencia potencialmente mayor, es también su mayor capacidad. Permiten la producción de módulos de memoria DDR4 de una cara con una capacidad de 16 GB y módulos de memoria de doble cara con una capacidad de 32 GB, lo que antes era imposible.
Vale recordar que este verano podemos esperar cambios importantes en la gama de módulos de memoria SDRAM DDR4 disponibles en el mercado. Además de los nuevos chips Samsung, en las tiras de memoria también deberían utilizarse chips E-die de Micron y C-die de SK Hynix. Es probable que todos estos cambios provoquen un aumento no solo en el volumen promedio, sino también en el potencial de frecuencia de los módulos SDRAM DDR4 promedio.
Fuente: 3dnews.ru