SK Hynix tardó menos de un año en pasar de la etapa de finalización memoria HBM2E para su producción en masa. Pero lo principal no es ni siquiera esta asombrosa eficiencia, sino las características de velocidad únicas de los nuevos chips HBM2E. El rendimiento de los chips HBM2E SK Hynix alcanza los 460 GB/s por chip, 50 GB/s más que las cifras anteriores.
Debería producirse un salto significativo en el rendimiento de la memoria HBM al cambiar a o HBM3. Entonces la velocidad de intercambio aumentará a 820 GB/s. Mientras tanto, el hueco lo llenarán los chips de SK Hynix, cuya velocidad de intercambio para cada salida es de 3,6 Gbit/s. Cada uno de estos microcircuitos se ensambla a partir de ocho cristales (capas). Si tenemos en cuenta que cada capa contiene un cristal de 16 Gbit, entonces la capacidad total de los nuevos chips es de 16 GB.
La memoria con una combinación similar de características está empezando a tener demanda y ser relevante para crear soluciones en el campo del aprendizaje automático y la inteligencia artificial. Surgió del campo de las tarjetas de video para juegos, donde en un momento comenzó gracias a las tarjetas de video de AMD. Hoy en día, el objetivo principal de las memorias HBM es la informática de alto rendimiento y la IA.
"SK Hynix está a la vanguardia de la innovación tecnológica que contribuye a la civilización humana a través de logros que incluyen el primer desarrollo de productos HBM del mundo", afirmó Jonghoon Oh, vicepresidente ejecutivo y director de marketing (CMO) de SK Hynix. "Con la producción a gran escala de HBM2E, continuaremos fortaleciendo nuestra presencia en el mercado de memorias premium y lideraremos la cuarta revolución industrial".
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Fuente: 3dnews.ru