Los semiconductores de potencia llevan las cosas a un nivel superior. En lugar de silicio se utiliza nitruro de galio (GaN). Los inversores y fuentes de alimentación de GaN funcionan con una eficiencia de hasta el 99 %, brindando la mayor eficiencia a los sistemas energéticos, desde plantas de energía hasta sistemas de almacenamiento y utilización de electricidad. Los líderes del nuevo mercado son empresas de EE.UU., Europa y Japón. Ahora a esta área la primera empresa de China.
Recientemente, el fabricante chino de dispositivos ROCK lanzó el primer cargador que admite carga rápida en un "chip chino". La solución generalmente convencional se basa en el módulo de potencia GaN de la serie InnoGaN de Inno Science. El chip está fabricado en el factor de forma estándar DFN 8x8 para fuentes de alimentación compactas.
El cargador ROCK 2C1AGaN de 65 W es más compacto y funcional que el cargador PD de 61 W de Apple (comparación en la foto de arriba). El cargador chino puede cargar simultáneamente tres dispositivos a través de dos interfaces USB Type-C y una USB Type-A. En el futuro, ROCK planea lanzar versiones de cargadores rápidos con una potencia de 100 y 120 W en ensamblajes chinos de GaN. Además, otros 10 fabricantes chinos de cargadores y fuentes de alimentación cooperan con el fabricante de elementos eléctricos de GaN Inno Science.
La investigación de las empresas chinas y, en particular, de la empresa Inno Science en el campo de los componentes energéticos de GaN tiene como objetivo independizar a China de los proveedores extranjeros de soluciones similares. Inno Science tiene su propio centro de desarrollo y laboratorio para un ciclo completo de soluciones de prueba. Pero lo más importante es que cuenta con dos líneas de producción para producir soluciones de GaN en obleas de 200 mm. Para el mundo e incluso para el mercado chino, esto es una gota en el océano. Pero hay que empezar por algún lado.
Fuente: 3dnews.ru