{"id":100281,"date":"2021-05-26T04:22:47","date_gmt":"2021-05-26T02:22:48","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat"},"modified":"2021-05-26T04:22:47","modified_gmt":"2021-05-26T02:22:48","slug":"novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/es\/blog\/news\/novaya-tehnika-ataki-rowhammer-na-dram-pamyat","title":{"rendered":"Nueva t\u00e9cnica de ataque RowHammer en memoria DRAM","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"
La empresa Google present\u00f3 \"Half-Double\", una nueva t\u00e9cnica de ataque de tipo RowHammer que permite modificar el contenido de bits individuales en la memoria din\u00e1mica de acceso aleatorio (DRAM). El ataque se reproduce en algunos chips DRAM modernos, cuyos fabricantes han logrado reducir la geometr\u00eda de las celdas. <\/p>\n
Recordemos que los ataques de clase RowHammer permiten distorsionar el contenido de bits individuales en la memoria mediante la lectura c\u00edclica de datos de celdas de memoria adyacentes. Dado que la memoria DRAM se presenta como un arreglo bidimensional de celdas, cada una compuesta por un condensador y un transistor, la realizaci\u00f3n de lecturas continuas de una misma \u00e1rea de memoria provoca fluctuaciones de voltaje y anomal\u00edas, que causan una peque\u00f1a p\u00e9rdida de carga en las celdas vecinas. Si la intensidad de lectura es lo suficientemente alta, una celda vecina puede perder una cantidad considerable de carga y el ciclo de regeneraci\u00f3n subsiguiente no tendr\u00e1 tiempo para restaurar su estado original, lo que llevar\u00e1 a la modificaci\u00f3n del valor de los datos almacenados en la celda. <\/p>\n
Para protegerse contra RowHammer, los fabricantes de chips implementaron el mecanismo TRR (Target Row Refresh), que defiende contra la corrupci\u00f3n de celdas en filas adyacentes. El m\u00e9todo Half-Double permite eludir esta protecci\u00f3n, manipulando el hecho de que las corrupciones no se limitan a las filas adyacentes y se extienden a otras filas de memoria, aunque en menor medida. Los ingenieros de Google demostraron que, para las filas de memoria \"A\", \"B\" y \"C\", se puede atacar la fila \"C\" con un acceso muy intensivo a la fila \"A\" y una ligera actividad que involucre la fila \"B\". Las accesos a la fila \"B\" durante el ataque activan una fuga no lineal de cargas y permiten usar la fila \"B\" como medio para transmitir el efecto Rowhammer de la fila \"A\" a la fila \"C.\"
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A diferencia del ataque TRRespass, que manipula las fallas en diferentes implementaciones del mecanismo de prevenci\u00f3n de distorsi\u00f3n de celdas, el ataque Half-Double se basa en las propiedades f\u00edsicas del sustrato de silicio. Half-Double muestra que los efectos que probablemente conducen a Rowhammer son una propiedad de distancia, y no de proximidad directa de las celdas. A medida que disminuye la geometr\u00eda de las celdas en los chips modernos, tambi\u00e9n aumenta el radio de influencia de las distorsiones. No se puede descartar que el efecto se observe a una distancia de m\u00e1s de dos filas. <\/p>\n
Se destaca que, junto con la asociaci\u00f3n JEDEC, se han formulado varias propuestas con un an\u00e1lisis de las posibles maneras de bloquear este tipo de ataques. Se ha revelado informaci\u00f3n sobre el m\u00e9todo ya que Google considera que la investigaci\u00f3n realizada ampl\u00eda significativamente la comprensi\u00f3n del fen\u00f3meno Rowhammer y subraya la importancia de la cooperaci\u00f3n entre investigadores, fabricantes de chips y otras partes interesadas en el desarrollo de una soluci\u00f3n integral y a largo plazo para la protecci\u00f3n. \n Fuente: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"
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