{"id":102301,"date":"2021-11-16T21:36:47","date_gmt":"2021-11-16T19:36:47","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/novosti-interneta\/blacksmith-novaya-ataka-na-pamyat-dram-i-chipy-ddr4"},"modified":"2021-11-16T21:36:47","modified_gmt":"2021-11-16T19:36:47","slug":"blacksmith-novaya-ataka-na-pamyat-dram-i-chipy-ddr4","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/es\/blog\/news\/blacksmith-novaya-ataka-na-pamyat-dram-i-chipy-ddr4","title":{"rendered":"Blacksmith — un nuevo ataque a la memoria DRAM y chips DDR4","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

Un grupo de investigadores de la Escuela Polit\u00e9cnica Federal de Z\u00farich, de la Universidad Libre de \u00c1msterdam y de Qualcomm ha publicado un nuevo m\u00e9todo de ataque de la clase RowHammer, que permite modificar el contenido de bits individuales de la memoria din\u00e1mica (DRAM). Este ataque ha recibido el nombre en clave Blacksmith y el identificador CVE-2021-42114. Muchos chips DDR4, que cuentan con protecci\u00f3n contra m\u00e9todos previamente conocidos de RowHammer, son vulnerables. Se ha publicado en GitHub un conjunto de herramientas para probar la vulnerabilidad de sus sistemas. <\/p>\n

Recordemos que los ataques de la clase RowHammer permiten distorsionar el contenido de bits individuales de la memoria al leer c\u00edclicamente datos de celdas de memoria adyacentes. Dado que la memoria DRAM consiste en una matriz bidimensional de celdas, cada una compuesta por un condensador y un transistor, la lectura continua de una misma \u00e1rea de memoria causa fluctuaciones de voltaje y anomal\u00edas que provocan una ligera p\u00e9rdida de carga en las celdas adyacentes. Si la intensidad de la lectura es alta, la celda adyacente puede perder una cantidad significativa de carga y el siguiente ciclo de regeneraci\u00f3n no podr\u00e1 restaurar su estado original, lo que resultar\u00e1 en un cambio en el valor de los datos almacenados en la celda. <\/p>\n

Para protegerse contra RowHammer, los fabricantes de chips propusieron el mecanismo TRR (Target Row Refresh), que protege contra la alteraci\u00f3n de celdas en filas adyacentes. Sin embargo, como la protecci\u00f3n se basaba en el principio de \u00abseguridad a trav\u00e9s de la oscuridad\u00bb, no abordaba el problema de ra\u00edz y solo proteg\u00eda contra casos espec\u00edficos conocidos, lo que permit\u00eda encontrar f\u00e1cilmente formas de eludir la protecci\u00f3n. Por ejemplo, en mayo, Google present\u00f3 el m\u00e9todo Half-Double, que no era afectado por la protecci\u00f3n TRR, ya que los ataques involucraban celdas que no estaban directamente adyacentes al objetivo. <\/p>\n

El nuevo m\u00e9todo Blacksmith ofrece otra forma de eludir la protecci\u00f3n TRR, basada en un acceso desigual con diferente frecuencia a dos o m\u00e1s filas agresoras para provocar una p\u00e9rdida de carga. Para determinar el patr\u00f3n de acceso a la memoria que conduce a esta p\u00e9rdida de carga, se ha desarrollado un fuzzer especial que ajusta autom\u00e1ticamente los par\u00e1metros de ataque para un chip espec\u00edfico, variando el orden, la intensidad y la sistematicidad del acceso a las celdas. <\/p>\n

Un enfoque similar, no relacionado con la influencia en las mismas celdas, hace ineficaces los m\u00e9todos de protecci\u00f3n actuales de TRR, que de una forma u otra se reducen a contar el n\u00famero de accesos repetidos a las celdas y, al alcanzar ciertos umbrales, iniciar la recarga de celdas vecinas. En Blacksmith, el patr\u00f3n de acceso se dispersa a varias celdas desde diferentes lados de la objetivo, lo que permite lograr una fuga de carga sin alcanzar los valores umbral. <\/p>\n

El m\u00e9todo result\u00f3 ser significativamente m\u00e1s efectivo que los m\u00e9todos de elusi\u00f3n TRR propuestos anteriormente: los investigadores lograron provocar distorsiones de bits en todos los 40 chips de memoria DDR4 recientemente adquiridos de fabricantes como Samsung, Micron, SK Hynix y un fabricante desconocido (en 4 chips no se especific\u00f3 el fabricante). Para comparaci\u00f3n, el m\u00e9todo TRRespass que propon\u00edan los mismos investigadores solo fue efectivo para 13 de los 42 chips probados en ese momento. <\/p>\n

En t\u00e9rminos generales, se supone que el m\u00e9todo Blacksmith es aplicable al 94% de todos los chips DRAM disponibles en el mercado, pero seg\u00fan los investigadores, algunos chips son m\u00e1s vulnerables y m\u00e1s f\u00e1ciles de atacar que otros. La utilizaci\u00f3n de c\u00f3digos de correcci\u00f3n de errores (ECC) en los chips y la duplicaci\u00f3n de la frecuencia de actualizaci\u00f3n de la memoria no garantizan una protecci\u00f3n completa, pero complican la explotaci\u00f3n. Es notable que el problema no puede ser bloqueado en los chips ya emitidos y requiere la implementaci\u00f3n de una nueva protecci\u00f3n a nivel de hardware, por lo que el ataque seguir\u00e1 siendo relevante durante muchos a\u00f1os. <\/p>\n

Como ejemplos pr\u00e1cticos, se presentan m\u00e9todos de uso de Blacksmith para modificar el contenido de las entradas de la tabla de p\u00e1ginas de memoria (PTE, page table entry) para obtener privilegios del n\u00facleo, da\u00f1ar la clave p\u00fablica RSA-2048 almacenada en memoria en OpenSSH (se puede proporcionar una clave p\u00fablica para hacerla coincidir con la clave privada del atacante para conectarse a la VM de la v\u00edctima) y eludir la verificaci\u00f3n de credenciales mediante la modificaci\u00f3n de la memoria del proceso sudo para obtener privilegios root. Dependiendo del chip, cambiar un bit objetivo requiere de 3 segundos a varias horas de ataque. una m\u00e1quina virtual<\/a> para conectarse a la VM de la v\u00edctima) y eludir la verificaci\u00f3n de credenciales mediante la modificaci\u00f3n de la memoria del proceso sudo para obtener privilegios root. Dependiendo del chip, cambiar un bit objetivo requiere de 3 segundos a varias horas de ataque.

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Tambi\u00e9n se puede destacar la publicaci\u00f3n del framework abierto LiteX Row Hammer Tester para verificar los m\u00e9todos de protecci\u00f3n de memoria contra ataques de la clase RowHammer, desarrollado por Antmicro por encargo de Google. El framework se basa en el uso de FPGA para un control total de los comandos enviados directamente al chip DRAM para excluir la influencia del controlador de memoria. Para interactuar con la FPGA, se ofrece un kit de herramientas en Python. La puerta del FPGA incluye un m\u00f3dulo para la transmisi\u00f3n de datos por lotes (que define patrones de acceso a la memoria), un ejecutor de carga \u00fatil, un controlador basado en LiteDRAM (que maneja toda la l\u00f3gica necesaria para DRAM, incluidos la activaci\u00f3n de filas y la actualizaci\u00f3n de la memoria) y un CPU VexRiscv. Los desarrollos del proyecto se distribuyen bajo la licencia Apache 2.0. Se admite el uso de varias plataformas FPGA, incluidas Lattice ECP5, Xilinx Series 6, 7, UltraScale y UltraScale+.
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Fuente: opennet.ru<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"

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