{"id":33174,"date":"2019-10-31T21:51:09","date_gmt":"2019-10-31T18:51:09","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/proizvodstvo-legendarnyh-chipov-pamyati-samsung-b-die-ostanovleno\/"},"modified":"2019-10-31T21:51:09","modified_gmt":"2019-10-31T18:51:09","slug":"proizvodstvo-legendarnyh-chipov-pamyati-samsung-b-die-ostanovleno","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/es\/blog\/news\/proizvodstvo-legendarnyh-chipov-pamyati-samsung-b-die-ostanovleno","title":{"rendered":"La producci\u00f3n de los legendarios chips de memoria Samsung B-die ha sido detenida","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"

Los m\u00f3dulos de memoria basados en chips Samsung B-die son, sin duda, una de las opciones m\u00e1s populares entre los entusiastas. Sin embargo, el fabricante surcoreano los considera obsoletos y actualmente est\u00e1 deteniendo su producci\u00f3n, ofreciendo en su lugar otros chips de memoria DDR4 que utilizan procesos de fabricaci\u00f3n m\u00e1s nuevos. Esto significa que el ciclo de vida de los m\u00f3dulos de memoria DDR4 no bufferizados de Samsung, basados en chips B-die, ha llegado a su fin y pronto desaparecer\u00e1n del mercado. Otros fabricantes que utilizan chips Samsung B-die tambi\u00e9n dejar\u00e1n de suministrar estos m\u00f3dulos.<\/p>\n

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Los chips Samsung B-die y los m\u00f3dulos de memoria basados en ellos han ganado un amplio reconocimiento gracias a su versatilidad y potencial de overclocking. Escalan maravillosamente en frecuencia, responden bien al aumento de voltaje y permiten funcionar con tiempos muy agresivos. Una ventaja importante de los m\u00f3dulos basados en chips Samsung B-die es su robustez y amplia compatibilidad con varios controladores de memoria, lo que los hace especialmente populares entre los propietarios de sistemas basados en procesadores Ryzen.<\/p>\n

Sin embargo, la producci\u00f3n de chips B-die utiliza un proceso tecnol\u00f3gico bastante antiguo con normas de 20 nm, por lo que el deseo de la empresa Samsung de dejar de producir dispositivos semiconductores de este tipo en favor de alternativas m\u00e1s modernas es completamente comprensible. No hace mucho, la empresa anunci\u00f3 el inicio de la producci\u00f3n de chips DDR4 SDRAM con tecnolog\u00eda clase 1z-nm (tercera generaci\u00f3n), mientras que los circuitos integrados producidos con el proceso tecnol\u00f3gico de normas 1y-nm (segunda generaci\u00f3n) se han estado fabricando durante m\u00e1s de un a\u00f1o y medio. Precisamente hacia ellos es a donde el fabricante est\u00e1 llamando a hacer la transici\u00f3n. A los chips B-die se les ha asignado oficialmente el estado de EOL (Fin de Vida)  — el final del ciclo de vida.<\/p>\n

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En lugar de los legendarios chips Samsung B-die, ahora otras ofertas tomar\u00e1n protagonismo. Los chips M-die han alcanzado las fases de producci\u00f3n en masa, y su proceso de fabricaci\u00f3n utiliza una norma de 1y nm. Los chips A-die, fabricados con una tecnolog\u00eda a\u00fan m\u00e1s avanzada que cumple con normas de 1z nm, tambi\u00e9n han llegado a la fase de producci\u00f3n cualificativa. Esto significa que la memoria basada en chips M-die estar\u00e1 disponible en el mercado muy pronto, mientras que los m\u00f3dulos construidos con los chips A-die estar\u00e1n al alcance de los usuarios en un plazo de seis meses.<\/p>\n

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La principal ventaja de los nuevos chips de memoria con n\u00facleos actualizados, adem\u00e1s de los modernos procesos de fabricaci\u00f3n y un potencial de frecuencia potencialmente m\u00e1s alto, es su mayor capacidad. Permiten la producci\u00f3n de m\u00f3dulos DDR4 de memoria de 16 GB de capacidad en una cara y m\u00f3dulos de 32 GB de capacidad en dos caras, algo que anteriormente no era posible.<\/p>\n

Cabe recordar que este verano se esperan cambios significativos en la gama de m\u00f3dulos de memoria DDR4 SDRAM disponibles en el mercado. Adem\u00e1s de los nuevos chips de Samsung, se espera que en las placas de memoria tambi\u00e9n se apliquen chips E-die de Micron y C-die de SK Hynix. Es muy probable que todos estos cambios ocasionen un aumento tanto en la capacidad promedio como en el potencial de frecuencia de los m\u00f3dulos DDR4 SDRAM.<\/p>\n

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Fuente: 3dnews.ru<\/a><\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"

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