{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/es\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLas partes anteriores del ciclo \"Introducci\u00f3n a los SSD\" informaron al lector sobre la historia de los discos de estado s\u00f3lido, las interfaces de interacci\u00f3n con ellos y los formatos populares. La cuarta parte hablar\u00e1 sobre el almacenamiento de datos dentro de los dispositivos.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>En los art\u00edculos anteriores del ciclo:<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Historia de la creaci\u00f3n de HDD y SSD<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">Aparici\u00f3n de las interfaces de almacenamiento<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Caracter\u00edsticas de los formatos<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nEl almacenamiento de datos en unidades de estado s\u00f3lido se puede dividir en dos partes l\u00f3gicas: el almacenamiento de informaci\u00f3n en una celda y la organizaci\u00f3n del almacenamiento de celdas.<\/p>\n<p>Cada celda de un disco de estado s\u00f3lido almacena <b>uno o varios bits de informaci\u00f3n<\/b>. Para almacenar informaci\u00f3n se utilizan varios <b>procesos f\u00edsicos<\/b>. Durante el desarrollo de los discos de estado s\u00f3lido se trabaj\u00f3 con las siguientes magnitudes f\u00edsicas para la codificaci\u00f3n de informaci\u00f3n:<\/p>\n<ul>\n<li><b>cargas el\u00e9ctricas<\/b> \uff08incluida la memoria Flash\uff09;<\/li>\n<li><b>momentos magn\u00e9ticos<\/b> \uff08memoria magnetoresistiva\uff09\uff1b<\/li>\n<li><b>estados de fase<\/b> \uff08memoria con cambio de estado de fase\uff09.<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>Memoria basada en cargas el\u00e9ctricas<\/h2>\n<p>\nLa codificaci\u00f3n de informaci\u00f3n mediante carga negativa es la base de varias soluciones:<\/p>\n<ul>\n<li>EPROM borrable por ultravioleta;<\/li>\n<li>EEPROM borrable el\u00e9ctricamente;<\/li>\n<li>memoria Flash.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nCada celda de memoria es un <b>transistor MOSFET de tipo campo con puerta flotante<\/b>, en el que se almacena carga negativa. Su diferencia con un transistor MOSFET normal radica en la presencia de una puerta flotante \u2014 conductor en una capa de diel\u00e9ctrico.<\/p>\n<p>Al crear una diferencia de potencial entre el drenaje y la fuente, y tener un potencial positivo en la puerta, fluir\u00e1 corriente desde la fuente hacia el drenaje. Sin embargo, al existir una diferencia de potencial suficientemente grande, algunos electrones \"rompen\" la capa de diel\u00e9ctrico y se encuentran en la puerta flotante. Este fen\u00f3meno se llama <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">efecto de tunelizaci\u00f3n<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa puerta flotante negativamente cargada crea un campo el\u00e9ctrico que dificulta el flujo de corriente desde la fuente al drenaje. Adem\u00e1s, la presencia de electrones en la puerta flotante incrementa el voltaje umbral al que se activa el transistor. En cada \"escritura\" en la puerta flotante del transistor, la capa de diel\u00e9ctrico se da\u00f1a levemente, lo que impone una limitaci\u00f3n en la cantidad de ciclos de reescritura de cada celda.<\/p>\n<blockquote><p>Los transistores MOS de puerta flotante fueron desarrollados por Dawon Kahng y Simon Min Sze de Bell Labs en 1967. Posteriormente, al investigar los defectos en los circuitos integrados, se observ\u00f3 que, debido a la carga en la puerta flotante, el voltaje umbral que activa el transistor hab\u00eda cambiado. Este descubrimiento llev\u00f3 a Dov Frohman a comenzar a trabajar en memorias basadas en este fen\u00f3meno.<\/p><\/blockquote>\n<p>El cambio en el voltaje umbral permite \"programar\" transistores. Los transistores con carga en la puerta flotante no se activar\u00e1n al aplicar un voltaje en la puerta superior al voltaje umbral para un transistor sin electrones, pero inferior al voltaje umbral para un transistor con electrones. Llamemos a este valor <b>voltaje de lectura<\/b>.<\/p>\n<h3>Memoria de Solo Lectura Programable y Borrable<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nEn 1971, un empleado de Intel, Dov Frohman, cre\u00f3 una memoria regrabable en transistores, llamada <b>Memoria de Solo Lectura Programable y Borrable (EPROM)<\/b>. La escritura en la memoria se realizaba mediante un dispositivo especial: un programador. El programador aplica un voltaje m\u00e1s alto al chip que el que se utiliza en los circuitos digitales, lo que \"graba\" electrones en las puertas flotantes de los transistores donde sea necesario.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nEn la memoria EPROM, no se preve\u00eda limpiar las puertas flotantes de los transistores por medios el\u00e9ctricos. En cambio, se propon\u00eda afectar a los transistores mediante una intensa radiaci\u00f3n ultravioleta, cuyos fotones dotan a los electrones de la energ\u00eda necesaria para abandonar la puerta flotante. Para permitir que la radiaci\u00f3n ultravioleta penetre en el chip, se a\u00f1adi\u00f3 vidrio de cuarzo al encapsulado.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Frohman present\u00f3 por primera vez su prototipo de EPROM en febrero de 1971 en una conferencia sobre circuitos integrados s\u00f3lidos en Filadelfia. Gordon Moore record\u00f3 la demostraci\u00f3n: \"Dov present\u00f3 un patr\u00f3n de bits en las celdas de memoria EPROM. Cuando las celdas eran expuestas a la luz ultravioleta, los bits desaparec\u00edan uno a uno, hasta que el logotipo familiar de Intel se borr\u00f3 por completo. ... Los bits se desvanec\u00edan, y cuando el \u00faltimo desapareci\u00f3, todo el auditorio estall\u00f3 en aplausos. El art\u00edculo de Dov fue reconocido como el mejor de la conferencia.\"<i> \u2014 Traducci\u00f3n del art\u00edculo <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>La memoria EPROM es m\u00e1s cara que los dispositivos de almacenamiento permanente \"desechables\" (ROM) utilizados anteriormente; sin embargo, la posibilidad de reprogramarla permite depurar circuitos m\u00e1s r\u00e1pidamente y acortar el tiempo de desarrollo de nuevo hardware.<\/p>\n<p>La reprogramaci\u00f3n de la ROM mediante luz ultravioleta fue un avance significativo, sin embargo, la idea de reescritura el\u00e9ctrica ya estaba \"en el aire\".<\/p>\n<h3>Memoria de Solo Lectura Programable Electr\u00f3nicamente Borrable<\/h3>\n<p>\nEn 1972, tres japoneses: Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi y Kiyoko Nagai presentaron el primer dispositivo de almacenamiento de memoria no vol\u00e1til borrable el\u00e9ctricamente (Memoria de Solo Lectura Programable Electr\u00f3nicamente Borrable, EEPROM o E2PROM). M\u00e1s tarde, sus investigaciones se convertir\u00edan en parte de las patentes para las implementaciones comerciales de la memoria EEPROM.<\/p>\n<p>Cada celda de memoria EEPROM consiste en varios transistores:<\/p>\n<ul>\n<li>un transistor con puerta flotante para almacenar un bit;<\/li>\n<li>un transistor para controlar el modo de lectura\/escritura.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nEste dise\u00f1o complica en gran medida el cableado del circuito el\u00e9ctrico, por lo que la memoria EEPROM se utilizaba en casos donde un peque\u00f1o volumen de memoria no era cr\u00edtico. Para almacenar grandes vol\u00famenes de datos, todav\u00eda se utilizaba la EPROM.<\/p>\n<h3>Memoria Flash<\/h3>\n<p>\nLa memoria Flash, que combina las mejores caracter\u00edsticas de la EPROM y EEPROM, fue desarrollada por el profesor japon\u00e9s Fujio Masuoka, ingeniero de Toshiba, en 1980. El primer desarrollo se denomin\u00f3 memoria Flash tipo NOR y, al igual que sus predecesores, se basa en transistores MOS de efecto de campo con puerta flotante.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa memoria Flash tipo NOR es una matriz de transistores bidimensional. Las puertas de los transistores est\u00e1n conectadas a la l\u00ednea de palabras, mientras que los drenajes se conectan a la l\u00ednea de bits. Al aplicar voltaje en la l\u00ednea de palabras, los transistores que contienen electrones, es decir, que almacenan \"uno\", no se abrir\u00e1n y no fluir\u00e1 corriente. La presencia o ausencia de corriente en la l\u00ednea de bits indica el valor del bit.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nSiete a\u00f1os despu\u00e9s, Fujio Masuoka desarroll\u00f3 la memoria Flash tipo NAND. Este tipo de memoria se distingue por la cantidad de transistores en la l\u00ednea de bits. En la memoria tipo NOR, cada transistor est\u00e1 conectado directamente a la l\u00ednea de bits, mientras que en la memoria NAND, los transistores est\u00e1n conectados en serie.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa lectura desde la memoria de tal configuraci\u00f3n es m\u00e1s complicada: se aplica un voltaje necesario para la lectura a la l\u00ednea correspondiente, mientras que a todas las dem\u00e1s l\u00edneas se les aplica un voltaje que activa el transistor sin importar el nivel de carga en \u00e9l. Dado que todos los dem\u00e1s transistores est\u00e1n garantizados que est\u00e1n abiertos, la presencia de voltaje en la l\u00ednea de bits depende \u00fanicamente de un transistor al que se le ha aplicado el voltaje de lectura.<\/p>\n<p>La invenci\u00f3n de la memoria Flash tipo NAND permite aumentar significativamente la densidad del circuito, colocando un volumen mayor de memoria en las mismas dimensiones. Hasta 2007, el volumen de memoria se incrementaba mediante la reducci\u00f3n del proceso de fabricaci\u00f3n del chip.<\/p>\n<p>En 2007, la empresa Toshiba present\u00f3 una nueva versi\u00f3n de la memoria NAND: <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, tambi\u00e9n conocida como <b>3D NAND<\/b>. En esta tecnolog\u00eda se hace hincapi\u00e9 en la colocaci\u00f3n de transistores en varias capas, lo que nuevamente permite aumentar la densidad del circuito y aumentar la capacidad de memoria. Sin embargo, la compactaci\u00f3n del circuito no puede repetirse indefinidamente, por lo que se investigaron otros m\u00e9todos para aumentar el volumen de memoria almacenada.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nInicialmente, cada transistor almacenaba dos niveles de carga: cero l\u00f3gico y uno l\u00f3gico. Este enfoque se denomina <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>. Los dispositivos con esta tecnolog\u00eda se caracterizan por una alta fiabilidad y un m\u00e1ximo n\u00famero de ciclos de reescritura.<\/p>\n<p>Con el tiempo, se decidi\u00f3 aumentar el volumen de los dispositivos a costa de la resistencia al desgaste. As\u00ed, el n\u00famero de niveles de carga en la celda aument\u00f3 a cuatro, y la tecnolog\u00eda se denomin\u00f3 <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>. Luego aparecieron <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> y <b>Quad-Level Cell (QLC)<\/b>. En el futuro, habr\u00e1 un nuevo nivel \u2014 <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> con cinco bits en una celda. Cuantos m\u00e1s bits se pueden colocar en una celda, mayor ser\u00e1 el volumen del dispositivo a mismo costo, pero menor ser\u00e1 la resistencia al desgaste.<\/p>\n<p>La compactaci\u00f3n del circuito mediante la reducci\u00f3n del proceso tecnol\u00f3gico y el aumento del n\u00famero de bits en un transistor afecta negativamente a los datos almacenados. A pesar de que en EPROM y EEPROM se utilizan los mismos transistores, EPROM y EEPROM pueden almacenar datos sin alimentaci\u00f3n durante diez a\u00f1os, mientras que la memoria Flash moderna puede \"olvidar\" todo ya a los seis meses.<\/p>\n<blockquote><p>El uso de la memoria Flash en la industria espacial es problem\u00e1tico, ya que la radiaci\u00f3n afecta negativamente a los electrones en los transistores flotantes.<\/p><\/blockquote>\n<p>Los problemas mencionados impiden que la memoria Flash se convierta en el l\u00edder indiscutible en el almacenamiento de informaci\u00f3n. A pesar de que los dispositivos basados en memoria Flash son ampliamente utilizados, se est\u00e1n investigando otros tipos de memoria que carecen de estas desventajas, entre los cuales se incluye el almacenamiento de informaci\u00f3n en momentos magn\u00e9ticos y estados de fase.<\/p>\n<h2>Memoria magnetorresistiva<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introducci\u00f3n a SSD. Parte 4. F\u00edsica\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nLa codificaci\u00f3n de informaci\u00f3n mediante momentos magn\u00e9ticos surgi\u00f3 en 1955 como memoria en n\u00facleos magn\u00e9ticos. Hasta mediados de los a\u00f1os 70, la memoria de ferrita era el principal tipo de memoria. Leer un bit de este tipo de memoria provocaba la desmagnetizaci\u00f3n del anillo y la p\u00e9rdida de informaci\u00f3n. Por lo tanto, despu\u00e9s de leer un bit, era necesario volver a grabarlo.<\/p>\n<p>En los desarrollos modernos de memoria magnetorresistiva, en lugar de anillos se utilizan dos capas de ferromagneto, separadas por un diel\u00e9ctrico. Una capa es un im\u00e1n permanente, y la otra cambia la direcci\u00f3n de su magnetizaci\u00f3n. Leer un bit de tal celda se reduce a medir la resistencia al pasar corriente: si las capas est\u00e1n magnetizadas en direcciones opuestas, la resistencia es mayor y esto equivale al valor de \u00ab1\u00bb.<\/p>\n<p>La memoria de ferrita no requiere una fuente de alimentaci\u00f3n constante para mantener la informaci\u00f3n grabada; sin embargo, el campo magn\u00e9tico de la celda puede afectar al 'vecino', lo que limita la densidad del circuito.<\/p>\n<blockquote><p>Seg\u00fan <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> Los discos SSD basados en memoria Flash deben conservar la informaci\u00f3n sin alimentaci\u00f3n durante al menos tres meses a una temperatura ambiente de 40 \u00b0C. El desarrollado por Intel <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">chip basado en memoria magnetorresistiva<\/a><\/noindex> promete conservar los datos durante diez a\u00f1os a una temperatura de 200 \u00b0C.<\/p><\/blockquote>\n<p>A pesar de la complejidad de su desarrollo, la memoria magnetorresistiva no se degrada durante el uso y tiene un mejor rendimiento que otros tipos de memoria, lo que la convierte en una opci\u00f3n a tener en cuenta.<\/p>\n<h2>Memoria de cambio de fase<\/h2>\n<p>\nUn tercer tipo de memoria prometedora es la memoria basada en cambio de fase. Este tipo de memoria utiliza las propiedades de los halc\u00f3genos para alternar entre estados cristalinos y amorfos al calentarse.<\/p>\n<blockquote><p><b>Halc\u00f3genos<\/b> \u2014 conexiones binarias de metales con el grupo 16 (grupo 6 de la subcategor\u00eda principal) de la tabla peri\u00f3dica de Mendel\u00e9yev. Por ejemplo, en discos CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM y Blu-ray se utilizan telururo de germanio (GeTe) y telururo de antimonio (III) (Sb2Te3).<\/p><\/blockquote>\n<p>Las investigaciones sobre la aplicaci\u00f3n de la transici\u00f3n de fase para el almacenamiento de informaci\u00f3n se llevaron a cabo en <b>los a\u00f1os 1960<\/b> , por Stanford Ovshinsky, pero entonces no se lleg\u00f3 a una implementaci\u00f3n comercial. En los a\u00f1os 2000, surgi\u00f3 nuevamente el inter\u00e9s por la tecnolog\u00eda; Samsung patent\u00f3 una tecnolog\u00eda que permite cambiar un bit en 5 ns, mientras que Intel y STMicroelectronics aumentaron el n\u00famero de estados a cuatro, duplicando as\u00ed la capacidad posible.<\/p>\n<p>Al calentarse por encima del punto de fusi\u00f3n, el calcogenuro pierde su estructura cristalina y, al enfriarse, se convierte en una forma amorfa, caracterizada por su alta resistencia el\u00e9ctrica. Por otro lado, al calentarse a una temperatura superior al punto de cristalizaci\u00f3n, pero inferior al punto de fusi\u00f3n, el calcogenuro regresa al estado cristalino con un bajo nivel de resistencia.<\/p>\n<p>La memoria de cambio de fase no requiere 'recarga' con el tiempo y tambi\u00e9n es inmune a la radiaci\u00f3n, a diferencia de la memoria basada en cargas el\u00e9ctricas. Este tipo de memoria puede conservar informaci\u00f3n durante 300 a\u00f1os a una temperatura de 85 \u00b0C.<\/p>\n<p>Se considera que el desarrollo de Intel, tecnolog\u00eda <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> utiliza precisamente transiciones de fase para el almacenamiento de informaci\u00f3n. 3D XPoint se utiliza en los dispositivos de memoria Intel\u00ae Optane\u2122 Memory, que anuncian una mayor resistencia al desgaste.<\/p>\n<h2>Conclusi\u00f3n<\/h2>\n<p>\nEl dispositivo f\u00edsico de los unidades de estado s\u00f3lido ha pasado por numerosos cambios en m\u00e1s de medio siglo de historia, sin embargo, cada una de las soluciones tiene sus desventajas. A pesar de la indiscutible popularidad de la memoria Flash, varias empresas, entre ellas Samsung e Intel, est\u00e1n trabajando en la posibilidad de crear memoria basada en momentos magn\u00e9ticos.<\/p>\n<p>La reducci\u00f3n del desgaste de las celdas, su compresi\u00f3n y el aumento de la capacidad total del dispositivo son las direcciones que actualmente son prometedoras para el desarrollo futuro de los unidades de estado s\u00f3lido.<\/p>\n<blockquote><p>Puedes probar los mejores dispositivos NAND y 3D XPoint hasta ahora en nuestro <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>\u00bfCrees que la tecnolog\u00eda de almacenamiento de informaci\u00f3n en cargas el\u00e9ctricas ser\u00e1 desplazada por otras, como los discos de cuarzo o la memoria \u00f3ptica en nanocristales de sal?<br \/>\n<br \/>Fuente: <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c \u0440\u0430\u0441\u0441\u043a\u0430\u0436\u0435\u0442 \u043e \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0438 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432\u043d\u0443\u0442\u0440\u0438 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439. \u0412 \u043f\u0440\u0435\u0434\u044b\u0434\u0443\u0449\u0438\u0445 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u044f\u0445 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0441\u043e\u0437\u0434\u0430\u043d\u0438\u044f HDD \u0438 SSD \u0412\u043e\u0437\u043d\u0438\u043a\u043d\u043e\u0432\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u043e\u0432 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439 \u041e\u0441\u043e\u0431\u0435\u043d\u043d\u043e\u0441\u0442\u0438 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u043e\u0432 \u0425\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432 \u0442\u0432\u0435\u0440\u0434\u043e\u0442\u0435\u043b\u044c\u043d\u044b\u0445 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u044f\u0445 \u043c\u043e\u0436\u043d\u043e \u0440\u0430\u0437\u0434\u0435\u043b\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430 \u0434\u0432\u0435 \u043b\u043e\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0438\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438: \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0444\u043e\u0440\u043c\u0430\u0446\u0438\u0438 \u0432 [&hellip;]<\/p>\n","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"author":1,"featured_media":73398,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[688],"tags":[],"class_list":["post-73397","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-administrirovanie"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t<!-- All in One SEO 5.0.2 - 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