Maailma ainus diskreetsete MRAM-mälukiipude arendaja Everspin Technologies jätkab tootmistehnoloogiate täiendamist. Täna on Everspin ja GlobalFoundries koos välja töötamas STT-MRAM mälukiipude tehnoloogiat, mille norm on 12 nm ja FinFET-transistorid.
Everspini kontole on rohkem kui 650 patente ja taotlust, mis on seotud MRAM-mäluga. See mälu, mille kirjutamine mälurakku sarnaneb teabe kirjutamisega kõvaketta magnetplaadile, sisaldab iga raku puhul oma (tinglikku) magnetpead. Uus STT-MRAM-mälu, mis põhineb elektroni spinniülekande efektidel, töötab veelgi väiksemate energiakuludega, kuna salvestamise ja lugemise režiimides kasutatakse väiksemaid voolusid.
Algselt tootis MRAM-mälu Everspini tellimuste alusel ettevõte NXP oma tehases Ameerika Ühendriikides. 2014. aastal sõlmis Everspin koostöölepingu ettevõttega GlobalFoundries. Koos hakkasid nad arendama diskreetsete ja integreeritud MRAM (STT-MRAM) tootmisprotsesse, kasutades täiustatud tootmisprotsesse.
Aja jooksul on GlobalFoundries käivitanud 40 nm ja 28 nm STT-MRAM kiipide tootmise (lõpetades uue 1-Gb diskreetse STT-MRAM kiibiga) ning ette valmistatud 22FDX tootmisprotsess STT-MRAM massiivide integreerimiseks kontrolleritesse, kasutades 22 nm tootmisprotsessi FD-SOI plaadidel. Uus leping Everspini ja GlobalFoundries vahel toob STT-MRAM kiipide tootmise 12 nm tootmisprotsessile.
MRAM-mälu kiirus on lähedane SRAM-mälule ja see suudab potentsiaalselt asendada seda asjade interneti kontrollerites. Samal ajal on see energia sõltumatu ja palju vastupidavam kui tavaline NAND-mälu. Üleminek 12 nm normidele võimaldab suurendada MRAM-i salvestustiheduse, mis on selle peamine puudus.
Allikas: 3dnews.ru
