Siirde kreemilt laiapöördeliste pooljuhtide tehnoloogiatele (nt galliumnitriid, süsinik ja teised) on võimalik oluliselt tõsta töö sagedusi ja suurendada lahenduste efektiivsust. Seetõttu on laiapöördliidese kiipide ja transistorite perspektiivikohaseks rakenduseks side ja radaritehnoloogia. GaN-lahendustega elektroonika saavutab "tühjal kohal" võimsuse kasvu ja radarite vaateulatus, mida kohe kasutasid sõjaväed.
Lockheed Martin , et USA vägedesse on tarnitud esimesed mobiilsed radariseadmed (RLS), mis põhinevad galliumnitriidist elektronikal. Ettevõttes ei ole midagi uut välja mõeldud. GaN-elementide baasile on viidud üle alates 2010. aastast relvastusse võetud kontrabattari radarid AN/TPQ-53. See on esimene ja seni ainus radar laiapöördpooljuhtide peal.
Aktiivsete GaN-komponentide ülemineku tõttu on radar AN/TPQ-53 suurendanud peidetud suurtükipositsioonide tuvastamise vahemaa ning saanud võimaluse samaaegseks jälgimiseks õhutegevuste üle. Konkreetsemalt, radar AN/TPQ-53 on hakanud kasutama droonide vastu, sealhulgas väikeste seadmete vastu. Peidetud suurtükipositsioonide tuvastamine saab toimuda nii 90-kraadises sektoris kui ka 360-kraadise ringvaatena.
Lockheed Martin on ainuüksi aktiivse FARe (faasitud antennigrupi) radarite tarnija USA vägedes. Üleminek GaN-elementide baasile võimaldab tal loota pikale ja kestvale juhtpositsioonile radariseadmete arenduse ja tootmise vallas.
Allikas: 3dnews.ru
