Samsungi B-die kiipidele ehitatud mälumoodulid on võib-olla üks populaarsemaid võimalusi entusiastide seas. Lõuna-Korea tootja peab neid aga aegunuks ja peatab hetkel nende tootmise, pakkudes asendusi teiste DDR4 mälukiipidega, mille valmistamisel kasutatakse uuemaid tehnilisi protsesse. See tähendab, et Samsungi B-die kiipidel põhinevad puhverdamata DDR4-mälumoodulid on nüüdseks jõudnud oma elutsükli lõppu ja varsti otsas. Ka teised tootjad, kes kasutavad oma toodetes Samsungi B-die kiipe, lõpetavad sarnaste moodulite tarnimise.
Samsungi B-die kiibid ja nendel põhinevad mälumoodulid on pälvinud laialdast tuntust tänu oma mitmekülgsusele ja kiirendamispotentsiaalile. Need skaleeruvad ideaalselt sageduselt, reageerivad hästi toitepinge tõusule ja võimaldavad töötada äärmiselt agressiivse ajastusega. Samsungi B-die kiipidel põhinevate moodulite eraldiseisvaks oluliseks eeliseks on nende tagasihoidlikkus ja lai ühilduvus erinevate mälukontrolleritega, mille tõttu on neid eriti armastatud Ryzeni protsessoritel põhinevate süsteemide omanikud.
B-die kiipide tootmiseks kasutatakse aga üsna vana 20 nm standarditega tehnoloogilist protsessi, nii et Samsungi soov loobuda selliste pooljuhtseadmete tootmisest kaasaegsemate alternatiivide kasuks on igati mõistetav. Mitte kaua aega tagasi teatas ettevõte 4z-nm tehnoloogiat (kolmas põlvkond) kasutavate DDR1 SDRAM-kiipide tootmise alustamisest ning 1y-nm tehnoloogiaga (teine põlvkond) toodetud kiipe on toodetud juba üle pooleteise aasta. Just nendele soovitab tootja teil üle minna. B-die kiibid on ametlikult määratud EOL (End of Life) staatus – elutsükli lõpp.
Legendaarsete Samsungi B-die kiipide asemel jagatakse nüüd ka muid pakkumisi. M-die kiibid, mis on loodud 1y nm protsessitehnoloogia abil, on jõudnud masstootmise etappi. Kvalifitseeritud tootmisetappi on jõudnud ka A-die kiibid, mis on toodetud 1z nm standarditega veelgi arenenuma tehnoloogia abil. See tähendab, et M-die kiipide mälu jõuab müüki juba lähitulevikus ning A-die kiipidele ehitatud moodulid muutuvad kasutajatele kättesaadavaks kuue kuu jooksul.
Uute uuendatud tuumadega mälukiipide peamiseks eeliseks on lisaks kaasaegsetele tehnilistele protsessidele ja potentsiaalselt suuremale sageduspotentsiaalile ka nende suurenenud võimsus. Need võimaldavad toota ühepoolseid DDR4 mälumooduleid mahuga 16 GB ja kahepoolseid mooduleid mahuga 32 GB, mis varem oli võimatu.
Tasub meenutada, et sel suvel on oodata olulisi muutusi turul saadaolevate DDR4 SDRAM-mälumoodulite valikus. Lisaks uutele Samsungi kiipidele tuleks mäluribades kasutada ka Microni E-die kiipe ja SK Hynixi C-die kiipe. Tõenäoliselt põhjustavad kõik need muudatused mitte ainult keskmise helitugevuse, vaid ka keskmiste DDR4 SDRAM-moodulite sageduspotentsiaali suurenemise.
Allikas: 3dnews.ru