Samsung B-die-le põhinevad mälu moodulid on üheks kõige populaarsemaks valikuks entusiastide seas. Kuid Lõuna-Korea tootja peab neid aegunuks ja lõpetab praegu nende tootmise, pakkudes asemele teisi DDR4-mälukihte, mille tootmiseks kasutatakse uuemaid tehnoloogiaid. See tähendab, et Samsungi B-die-mälumoodulite elutsükkel on nüüdseks lõppenud ja need kaovad varsti müügilt. Samuti lõpetavad tarned sarnastele moodulitele ja teised tootjad, kes kasutavad oma toodetes Samsungi B-die kiipe.
Samsung B-die kiipe ja nende baasil valmistatud mälumoodulid on omandanud laia tuntuse oma mitmekesisuse ja üleclockimise potentsiaali tõttu. Need skaleerivad suurepäraselt sagedust, reageerivad hästi toitepingete tõusule ja taluvad äärmiselt agressiivseid ajastusvõimalusi. Erakordne pluss Samsung B-die kiipide põhjal valmistatud mälumoodulite puhul on nende nõudmatus ja lai ühilduvus erinevate mälukontrolleritega, mistõttu on need eriti populaarsed Ryzen protsessorite omanike seas.
Kuid B-die kiipide tootmiseks kasutatakse üsna vana tehnoloogilist protsessi 20 nm normidega, mistõttu on Samsungi soov loobuda selliste pooljuhtseadmete tootmisest kaasaegsete alternatiivide kasuks arusaadav. Hiljuti kuulutas ettevõte välja DDR4 SDRAM kiipide tootmise alustamise 1z-nm klassi tehnoloogias (kolmas põlvkond), samas kui 1y-nm (teise põlvkonna) tehnoloogia alusel toodatud kiipe on valmistatud juba üle pooleteise aasta. Just nendele kutsub tootja üleminekule. B-die kiipidele on ametlikult määratud EOL (End of Life) staatus — elu tsükli lõpuleviimine.
Legendiarsed Samsung B-die kiipide asemel võtavad leviku üle teised pakkumised. M-die kiipid on jõudnud masstootmise etappi, mille jaoks kasutatakse 1y nm tehnoloogiat. Samuti on kvalifitseeritud tootmisetappi jõudnud A-die kiipid, mis on valmistatud veelgi arenenuma 1z nm tehnoloogia abil. See tähendab, et M-die kiipide mälu tuleb müügile väga varsti, samas kui A-die kiipide põhjal ehitatud moodulid saavad kasutajatele kättesaadavaks umbes poole aasta jooksul.
Uute mälu kiipide peamine eelis, lisaks kaasaegsetele tehnoloogiatele ja potentsiaalselt kõrgemale sagedusvõimele, on nende suurendatud mahutavus. Need võimaldavad toota 16 Gt ühesuunalisi DDR4-mälu mooduleid ja 32 Gt kaheastmelisi mooduleid, mis varem polnud võimalik.
On selge meeles pidada, et sel suvel võime oodata olulisi muudatusi turul olemasolevate DDR4 SDRAM mäluplokkide nimistus. Peale Samsungi uute kiipide peaksid mäluplokkides hakkama kasutama ka Microni E-die ja SK Hynixi C-die kiipe. On tõenäoline, et kõik need muudatused põhjustavad keskmise mahu ja sageduspotentsiaali kasvu tavalistes DDR4 SDRAM moodulites.
Allikas: 3dnews.ru
