Frantziarrek biharko zazpi mailatako GAA transistorea aurkeztu zuten
Aspaldi ez da sekretua 3nm-ko prozesuen teknologiarekin, transistoreak FinFET kanal "hegat" bertikaletatik ate edo GAA (gate-all-around) guztiz inguratuta dauden nanopage kanal horizontaletara pasako direla. Gaur egun, Frantziako CEA-Leti institutuak FinFET transistoreak fabrikatzeko prozesuak maila anitzeko GAA transistoreak ekoizteko nola erabil daitezkeen erakutsi du. Eta prozesu teknikoen jarraitutasuna mantentzea eraldaketa azkarrerako oinarri fidagarria da. VLSI Teknologia eta Zirkuitu Jardunaldirako [...]