Gaur egun Samsung Electronics erdieroaleak ekoizteko prozesu teknikoak garatzeko planei buruz. Konpainiak gaur egungo lorpen nagusitzat jotzen du MBCFET transistore patentatuetan oinarritutako 3 nm-ko txip esperimentalen proiektu digitalak sortzea. Hauek FET ate bertikaletan (Multi-Bridge-Channel FET) nanopage-kanal horizontal anitz dituzten transistoreak dira.
IBMrekin egindako aliantzaren baitan, Samsung-ek teknologia apur bat desberdina garatu zuen atez guztiz inguratutako kanalak dituzten transistoreak ekoizteko (GAA edo Gate-All-Around). Kanalak meheak egin behar ziren nanohari moduan. Ondoren, Samsung-ek eskema horretatik aldendu eta transistore-egitura bat patentatu zuen nanoorrialde formako kanalekin. Egitura honek transistoreen ezaugarriak kontrolatzeko aukera ematen du, bai orrialdeen kopurua (kanalak) manipulatuz, bai orrien zabalera egokituz. FET teknologia klasikorako, maniobra hori ezinezkoa da. FinFET transistore baten potentzia handitzeko, beharrezkoa da substratuko FET hegats kopurua biderkatzea, eta horretarako eremua eskatzen du. MBCFET transistorearen ezaugarriak ate fisiko baten barruan alda daitezke, horretarako kanalen zabalera eta haien kopurua ezarri behar dituzu.
GAA prozesuaren bidez ekoizteko txip prototipo baten diseinu digital baten erabilgarritasunari esker, Samsung-ek MBCFET transistoreen gaitasunen mugak zehaztu zituen. Kontuan izan behar da oraindik ordenagailu bidezko modelizazio datuak direla eta prozesu tekniko berria produkzio masiboan abiarazi ondoren soilik epai daitekeela azkenean. Hala ere, bada abiapuntu bat. Konpainiak esan zuen 7nm prozesutik (jakina den lehen belaunaldia) GAA prozesurako trantsizioak trokel-eremua %45eko murrizketa eta kontsumoa %50eko murrizketa emango duela. Kontsumoan aurrezten ez baduzu, produktibitatea %35 handitu daiteke. Aurretik, Samsungek aurrezkiak eta produktibitateak irabazi zituen 3nm-ko prozesura pasatzean komaz bereizita. Bata ala bestea zela atera zen.
Konpainiak txip garatzaile independenteentzako eta fabularik gabeko enpresen hodei publikoko plataforma bat prestatzea puntu garrantzitsutzat jotzen du 3nm-ko prozesuen teknologia ezagutzera emateko. Samsung-ek ez zituen ezkutatu ekoizpen-zerbitzarietako garapen-ingurunea, proiektuen egiaztapena eta liburutegiak. SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) plataforma mundu osoko diseinatzaileentzat eskuragarri egongo da. SAFE hodeiko plataforma Amazon Web Services (AWS) eta Microsoft Azure bezalako hodeiko zerbitzu handien parte-hartzearekin sortu zen. Cadence eta Synopsys-en diseinu sistemen garatzaileek beren diseinu-tresnak eman zituzten SAFE barruan. Honek Samsung prozesuetarako irtenbide berriak sortzea errazagoa eta merkeagoa izango dela agintzen du.
Samsung-en 3nm prozesu teknologiara itzuliz, gehitu dezagun konpainiak bere txiparen garapen paketearen lehen bertsioa aurkeztu zuela - 3nm GAE PDK 0.1 bertsioa. Haren laguntzarekin, gaur egun 3nm-ko soluzioak diseinatzen has zaitezke, edo Samsung prozesu hori hedatzen denean prestatzeko, behintzat.
Samsung-ek bere etorkizuneko planak honela iragartzen ditu. Aurtengo bigarren seihilekoan, 6 nm-ko prozesua erabiliz txip-produkzio masiboa jarriko da martxan. Aldi berean, 4nm prozesuen teknologiaren garapena amaituko da. 5 nm-ko prozesua erabiltzen duten Samsung lehen produktuen garapena udazken honetan amaituko da, eta datorren urteko lehen seihilekoan ekoizten hasiko da. Gainera, urte honen amaierarako, Samsung-ek 18FDS prozesu teknologia (18 nm FD-SOI obleetan) eta 1 Gbit eMRAM txip-en garapena amaituko du. 7 nm-tik 3 nm-ra bitarteko prozesu-teknologiek EUV eskanerrak gero eta intentsitate handiagoarekin erabiliko dituzte, nanometro bakoitzak zenbatzen dituen. Aurrerago, pauso bakoitza borroka batekin emango da.
Iturria: 3dnews.ru