Taiwango industriako iturrien arabera, zein Interneteko baliabidea DigiTimes, ChangXin Memory Technologies (CXMT) Txinako memoria fabrikatzailea pil-pilean ari da LPDDR4 memoria ekoizteko masa-lerroak prestatzen. ChangXin-ek, Innotron Memory izenez ere ezaguna, DRAM ekoizpen-prozesu propioa garatu omen zuen 19 nm teknologia erabiliz.
300 mm-ko lehen enpresan memoriaren ekoizpen komertziala egiteko, ChangXinek egin behar zuen 2019ko lehen seihilekoan. Ai, hau ez da oraindik gertatu. Baina 8 Gbit DDR4 LPDDR4 txip ekoizten hastea hilero 20 mila 300 nm-ko siliziozko obleetara ahalmenaren hedapenarekin batera joango da. ChangXin enpresako lineen gehienezko edukiera hilean 125 mila 300 mm-ko olatuetara iristen da. Baina hori ere ez da muga. Konpainiak esan zuen datorren urtean bigarren planta bat eraikitzen hasiko dela 300 mm-ko memoria-obleak prozesatzeko.
Aldi berean, Txinako fabrikatzaile honek beste mota bateko arazoak izan ditzake. Gogora dezagun DRAM memoriaren produkzio masiboa hasiko zen lehen Txinako konpainia Fujian Jinhua izan zela. AEBak bazkide amerikarrei ekoizpen ekipoak erosteko debekuarekin. Taiwanen uste dute ChangXinek Fujianen arazo berberak izango dituela. Horrez gain, ingeniari kualifikatuak kontratatu zituen Elpida japoniarren Taiwango filial ohian, zeinen negozioa American Micron-ek bereganatu zuen. Analistek Micron-en ChangXin-en aurkako erreklamazioak eta zigorrak espero dituzte Txinako aldeak erantzuten ez badu.
Aldi berean, ChangXin 17 nm-ko estandarrak dituen memoria ekoizteko prozesu tekniko bat garatzen ari da. Garapena 2021ean amaitzea espero da. Seguruenik, ChangXin bigarren plantak estandar hauek dituzten DRAM kristalen ekoizpenarekin hasiko da lanean. Noski, AEBetako zigorrak eta Micronen makinazioak bere bidean oztopo gaindiezin bihurtzen ez badira behintzat.
Iturria: 3dnews.ru