تقریباً steampunk: آمریکایی ها حافظه نانو پشته ای را با سوئیچ های مکانیکی ابداع کردند
محققان از ایالات متحده یک سلول حافظه پیشنهاد کرده اند که داده ها را با جابجایی مکانیکی لایه های فلزی با ضخامت سه اتم ثبت می کند. چنین سلول حافظه ای بالاترین تراکم ضبط را وعده می دهد و برای اجرای آن به حداقل انرژی نیاز دارد. این توسعه توسط گروه مشترکی از دانشمندان آزمایشگاه SLAC در دانشگاه استنفورد، دانشگاه کالیفرنیا در برکلی و دانشگاه A&M تگزاس گزارش شده است. این داده ها در […]