Samsung Electronics همچنان به فناوری فرآیندهای 10 نانومتری خود ادامه می دهد. این بار، تنها 16 ماه پس از شروع تولید انبوه حافظه‌های DDR4 با استفاده از فناوری فرآیند نسل دوم کلاس 10 نانومتری (1y-nm)، سازنده کره‌ای توسعه حافظه‌های DDR4 را با استفاده از نسل سوم کلاس 10 نانومتری تکمیل کرده است. 1z-nm) فناوری فرآیند. آنچه مهم است این است که نسل سوم فرآیند کلاس 10 نانومتری همچنان از اسکنرهای لیتوگرافی 193 نانومتری استفاده می کند و به اسکنرهای EUV با کارایی پایین متکی نیست. این بدان معنی است که انتقال به تولید انبوه حافظه با استفاده از آخرین فناوری فرآیند 1z-nm نسبتا سریع و بدون هزینه های مالی قابل توجه برای تجهیز مجدد خطوط خواهد بود.
این شرکت تولید انبوه تراشه های 8 گیگابیتی DDR4 را با استفاده از فناوری فرآیند 1z-nm کلاس 10 نانومتری در نیمه دوم سال جاری آغاز خواهد کرد. همانطور که از زمان انتقال به فناوری فرآیند 20 نانومتری معمول بوده است، سامسونگ مشخصات دقیق فناوری فرآیند را فاش نمی کند. فرض بر این است که فرآیند فنی کلاس 1x-nm 10-nm شرکت مطابق با استانداردهای 18 نانومتر، فرآیند 1y-nm مطابق با استانداردهای 17 یا 16 نانومتر و آخرین 1z-nm مطابق با استانداردهای 16 یا 15 نانومتر است. شاید حتی تا 13 نانومتر. در هر صورت، کاهش مقیاس فرآیند فنی دوباره بازده کریستال ها را از یک ویفر افزایش داد، همانطور که سامسونگ اذعان می کند، 20٪. در آینده، این به شرکت اجازه می‌دهد تا حافظه‌های جدید را ارزان‌تر یا با حاشیه بهتر بفروشد تا زمانی که رقبا به نتایج مشابهی در تولید دست یابند. با این حال، کمی نگران کننده است که سامسونگ نتوانست یک کریستال 1z-nm 16 Gbit DDR4 ایجاد کند. این ممکن است به انتظار افزایش نرخ نقص در تولید اشاره کند.
این شرکت با استفاده از نسل سوم فناوری فرآیند کلاس 10 نانومتری، اولین شرکتی خواهد بود که حافظه و حافظه سرور را برای رایانه های شخصی پیشرفته تولید می کند. در آینده، فناوری پردازش 1 نانومتری 10z-nm برای تولید حافظه های DDR5، LPDDR5 و GDDR6 اقتباس خواهد شد. سرورها، دستگاه‌های موبایل و گرافیک‌ها می‌توانند از مزیت حافظه سریع‌تر و کم‌تر حافظه استفاده کنند، که با انتقال به استانداردهای تولید نازک‌تر تسهیل می‌شود.
منبع: 3dnews.ru