SK Hynix خطوط جدید تولید حافظه DRAM را در چین افتتاح کرد

روز پنجشنبه، 18 آوریل، با حضور رهبران حزب و روسای استان جیانگ سو، و همچنین کارکنان کنسولگری جمهوری کره، مدیر اجرایی SK Hynix، لی سوک هی، بطور رسمی عملی سازی یک ساختمان جدید کارخانه در سایت تولید این شرکت در چین. این کارخانه C2F در نزدیکی Wuxi، در کنار شرکت C2 Fab است. C2 Fab اولین تاسیسات SK Hynix است که ویفرهای سیلیکونی 300 میلی متری را در خود جای داده است. این شرکت با استفاده از این ویفرها شروع به تولید حافظه DRAM در چین کرد.

SK Hynix خطوط جدید تولید حافظه DRAM را در چین افتتاح کرد

کارخانه Wuxi در سال 2006 شروع به تولید محصولات کرد. با بهبود فرآیندهای تکنولوژیکی، تجهیزات پیچیده تر و پیچیده تر شدند. اسکنرها و فرآیندهای تکنولوژیکی جدید مستلزم گسترش زیرساخت در قالب تجهیزات اضافی بود. بنابراین، حجم تولید از نظر منطقه اتاق تمیز کاهش یافت و نیاز به گسترش منطقه کاری شرکت ایجاد شد. بنابراین، در سال 2016 طرحی پدیدار شد یک ساختمان جدید بسازید که بعدها به نام C2F شناخته شد.

از سال 2017 تا 2018، سرمایه گذاری در C2F بالغ بر 950 میلیارد وون کره جنوبی (790 میلیون دلار) بوده است. لازم به ذکر است که در ساختمان جدید تنها بخشی از اتاق تمیز تکمیل شده است. این شرکت توانایی های خطوط تکمیل شده را فاش نمی کند و مشخص نمی کند که چه زمانی قصد دارد مناطق باقی مانده را به بهره برداری برساند. می توان فرض کرد که امسال با توجه به روند نزولی قیمت عمده فروشی DRAM، SK Hynix سرمایه گذاری در این پروژه را متوقف خواهد کرد. به هر حال، تحلیلگران انتظار فقط چنین سناریویی این شرکت ها قصد دارند تا قبل از نیمه دوم سال جاری یا اوایل سال آینده، تامین مالی پروژه های توسعه ظرفیت تولید حافظه را از سر بگیرند.


SK Hynix خطوط جدید تولید حافظه DRAM را در چین افتتاح کرد

مجتمع C2F به صورت تک ساختمان با اضلاع 316×180 متر با ارتفاع 51 متر در زمینی به مساحت 58 متر مربع طراحی شده است. ساختمان C000 Fab ابعادی مشابه دارد. تخمین زده می شود، اما مطمئن نیست، که کارخانه C2 می تواند تا 2 ویفر با قطر 2 میلی متر را در هر ماه پردازش کند. حداکثر ظرفیت کارگاه جدید را می توان مشابه یا نزدیک به این مقدار انتظار داشت.



منبع: 3dnews.ru

اضافه کردن نظر