به گفته منابع صنعتی در تایوان که منبع اینترنتی DigiTimes، سازنده حافظه چینی ChangXin Memory Technologies (CXMT) در حال آماده سازی کامل خطوط برای تولید انبوه حافظه LPDDR4 است. ChangXin که با نام Innotron Memory نیز شناخته می‌شود، فرآیند تولید DRAM خود را با استفاده از فناوری ۱۹ نانومتری توسعه داده است.
ChangXin برای تولید تجاری حافظه در اولین شرکت 300 میلی متری خود مجبور بود در نیمه اول سال 2019 افسوس که هنوز این اتفاق نیفتاده است. اما شروع تولید تراشه های 8 گیگابیتی DDR4 LPDDR4 با افزایش ظرفیت تا 20 هزار ویفر سیلیکونی 300 نانومتری در ماه همراه خواهد بود. حداکثر ظرفیت خطوط در شرکت ChangXin به 125 هزار ویفر 300 میلی متر در ماه می رسد. اما این نیز محدودیت نیست. این شرکت گفت که ساخت دومین کارخانه را در سال آینده برای پردازش ویفرهای حافظه 300 میلی متری آغاز خواهد کرد.
در عین حال، این سازنده چینی ممکن است با مشکلاتی از نوع دیگری مواجه شود. به یاد بیاوریم که اولین شرکت چینی که قرار بود تولید انبوه حافظه DRAM را آغاز کند فوجیان جین هوا بود. آمریکا خرید تجهیزات تولیدی از شرکای آمریکایی را ممنوع کرد. در تایوان، آنها معتقدند که ChangXin با همان مشکلات فوجیان مواجه خواهد شد. علاوه بر این، مهندسان واجد شرایط را از شعبه سابق تایوانی الپیدا ژاپنی که تجارت آن توسط Micron آمریکایی جذب شده بود، استخدام کرد. تحلیلگران انتظار دارند که در صورت عدم پاسخ طرف چینی، Micron ادعاهایی علیه ChangXin داشته باشد و تحریم شود.
به موازات آن، ChangXin در حال توسعه یک فرآیند فنی برای تولید حافظه با استانداردهای 17 نانومتر است. انتظار می رود که توسعه در سال 2021 تکمیل شود. احتمالاً دومین کارخانه ChangXin با تولید کریستال های DRAM با این استانداردها کار خود را آغاز خواهد کرد. البته، مگر اینکه تحریم های ایالات متحده و دسیسه های میکرون به مانعی غیرقابل عبور بر سر راه او تبدیل شود.
منبع: 3dnews.ru