Maailman ainoa diskreettien magnetoresistiivisten MRAM-muistisirujen kehittäjä Everspin Technologies jatkaa tuotantotekniikoiden parantamista. Tänään Everspin ja GlobalFoundries yhdessä kehittääkseen teknologiaa 12 nm standardin STT-MRAM-mikropiirien ja FinFET-transistorien tuotantoon.
Everspinillä on yli 650 MRAM-muistiin liittyvää patenttia ja sovellusta. Tämä on muisti, jonka soluun kirjoittaminen on samanlaista kuin tiedon kirjoittaminen kiintolevyn magneettilevylle. Vain mikropiirien tapauksessa jokaisella kennolla on oma (ehdollisesti) magneettipää. Sen korvannut STT-MRAM-muisti, joka perustuu elektronin spin-momentin siirtovaikutukseen, toimii vielä pienemmillä energiakustannuksilla, koska se käyttää pienempiä virtoja kirjoitus- ja lukutiloissa.
Aluksi Everspinin tilaama MRAM-muisti valmistettiin NXP:n tehtaalla Yhdysvalloissa. Vuonna 2014 Everspin solmi yhteisen työsopimuksen GlobalFoundriesin kanssa. Yhdessä he alkoivat kehittää erillisiä ja sulautettuja MRAM- (STT-MRAM) valmistusprosesseja käyttämällä kehittyneempiä valmistusprosesseja.
Ajan myötä GlobalFoundriesin laitokset aloittivat 40 nm:n ja 28 nm:n STT-MRAM-sirujen tuotannon (loppuun uuteen tuotteeseen - 1 Gbitin erilliseen STT-MRAM-siruun) ja valmistivat myös 22FDX-prosessiteknologian STT-MRAM-sirujen integroimiseksi. MRAM-ryhmät ohjaimiin käyttämällä 22 nm nm:n prosessitekniikkaa FD-SOI-kiekoissa. Uusi sopimus Everspinin ja GlobalFoundriesin välillä johtaa STT-MRAM-sirujen tuotannon siirtämiseen 12 nm:n prosessiteknologiaan.
MRAM-muisti lähestyy SRAM-muistin suorituskykyä ja voi mahdollisesti korvata sen esineiden internetin ohjaimissa. Samalla se on haihtumaton ja paljon kestävämpi kulutusta kuin perinteinen NAND-muisti. Siirtyminen 12 nm:n standardeihin lisää MRAM:n tallennustiheyttä, ja tämä on sen suurin haittapuoli.
Lähde: 3dnews.ru