Ranskalaiset esittelivät huomisen seitsemäntasoisen GAA-transistorin
Ei ole pitkään ollut salaisuus, että 3 nm:n prosessitekniikalla transistorit siirtyvät pystysuuntaisista "fin"-finFET-kanavista vaakasuoraan nanosivukanaviin, joita ympäröivät kokonaan portit tai GAA (gate-all-around). Tänään ranskalainen instituutti CEA-Leti osoitti, kuinka FinFET-transistorien valmistusprosesseja voidaan käyttää monitasoisten GAA-transistorien valmistukseen. Ja teknisten prosessien jatkuvuuden ylläpitäminen on luotettava perusta nopealle muutokselle. VLSI Technology & Circuits Symposiumille […]