Samsung Electronicsin tuore lehdistötiedote että se on aloittanut yli 3 kerroksen 100D NANDin massatuotannon. Korkein mahdollinen kokoonpano mahdollistaa 136 kerroksen sirut, mikä merkitsee uutta virstanpylvästä tiellä kohti tiheämpää 3D NAND -flash-muistia. Selkeän muistin konfiguraation puute viittaa siihen, että yli 100-kerroksinen siru on koottu kahdesta tai todennäköisimmin kolmesta monoliittisesta 3D NAND-levystä (esimerkiksi 48-kerroksisesta). Kiteiden juottamisen aikana osa rajakerroksista tuhoutuu, ja tämä tekee mahdottomaksi ilmoittaa tarkasti kiteen kerrosten lukumäärää, jotta Samsungia ei myöhemmin syytetä epätarkkuudesta.
Samsung kuitenkin vaatii ainutlaatuista kanavareikien etsausta, joka avaa mahdollisuuden lävistää monoliittisen rakenteen paksuuden ja yhdistää vaakasuuntaiset flash-muistit yhdeksi muistisiruksi. Ensimmäiset 100-kerroksiset tuotteet olivat 3D NAND TLC -siruja, joiden kapasiteetti oli 256 Gbit. Yritys aloittaa 512 Gbit:n sirujen tuotannon 100 (+) kerroksella tänä syksynä.
Kieltäytyminen suuremman kapasiteetin muistin vapauttamisesta johtuu (todennäköisesti) siitä, että vikojen tasoa uusien tuotteiden julkaisussa on helpompi hallita kapasiteetin pienemmän muistin tapauksessa. "Lisäämällä kerrosten lukumäärää" Samsung pystyi tuottamaan pienemmän pinta-alan sirun menettämättä kapasiteettia. Lisäksi siru on jollain tapaa yksinkertaistunut, sillä nyt monoliitin 930 miljoonan pystysuoran reiän sijaan riittää syövyttämään vain 670 miljoonaa reikää. Samsungin mukaan tämä on yksinkertaistanut ja lyhentänyt tuotantosyklejä ja mahdollistanut työn tuottavuuden 20 prosentin kasvun, mikä tarkoittaa enemmän ja vähemmän kustannuksia.
Samsung aloitti 100-kerroksiseen muistiin perustuvan 256 Gt:n SSD-levyn tuotannon SATA-liitännällä. Tuotteet toimitetaan PC:n OEM-valmistajille. Ei ole epäilystäkään siitä, että Samsung esittelee pian luotettavia ja suhteellisen edullisia solid-state-asemia.
Siirtyminen 100-kerroksiseen rakenteeseen ei pakottanut meitä uhraamaan suorituskykyä tai virrankulutusta. Uusi 256 Gbit 3D NAND TLC oli kaiken kaikkiaan 10 % nopeampi kuin 96-kerroksinen muisti. Sirun ohjauselektroniikan parannettu rakenne mahdollisti tiedonsiirtonopeuden pitämisen kirjoitustilassa alle 450 μs ja lukutilassa alle 45 μs. Samaan aikaan kulutus väheni 15 %. Mielenkiintoisin asia on, että 100-kerroksiseen 3D NANDiin perustuva yritys lupaa julkaista seuraavaksi 300-kerroksisen 3D NANDin yksinkertaisesti yhdistämällä kolme perinteisesti monoliittista 100-kerroksista kristallia. Jos Samsung voi aloittaa 300-kerroksisen 3D NANDin massatuotannon ensi vuonna, se on tuskallinen potku kilpailijoille ja flash-muistiteollisuus.
Lähde: 3dnews.ru