Samsung hyödyntää täysin uraauurtavaa etuaan puolijohdelitografiassa käyttämällä EUV-skannereita. Kun TSMC valmistautuu aloittamaan 13,5 nm:n skannerien käytön kesäkuussa ja mukauttamaan niitä tuottamaan siruja toisen sukupolven 7 nm:n prosessissa, Samsung sukeltaa syvemmälle ja 5 nm:n suunnittelustandardien mukaisen teknisen prosessin kehittämisen valmistumisesta. Lisäksi eteläkorealainen jättiläinen ilmoitti aloittavansa tilausten vastaanottamisen 5 nm:n ratkaisujen valmistukseen monimuotoisten kiekkojen tuotantoa varten. Tämä tarkoittaa, että Samsung on valmis hyväksymään digitaalisia sirumalleja 5 nm:n standardeilla ja valmistamaan pilottieriä 5 nm:n piitä.
Auttoi yritystä siirtymään nopeasti 7 nm:n tarjoamisesta EUV:n kanssa 5 nm:n ratkaisujen tuottamiseen EUV:n kanssa se, että Samsung säilytti yhteentoimivuuden suunnitteluelementtien (IP), suunnittelu- ja tarkastustyökalujen välillä. Tämä tarkoittaa muun muassa sitä, että yrityksen asiakkaat säästävät rahaa suunnittelutyökalujen, testauksen ja valmiiden IP-lohkojen hankinnassa. Suunnittelun, metodologian (DM, suunnittelumetodologiat) ja EDA:n automatisoitujen suunnittelualustojen PDK:t tulivat saataville osana sirujen kehitystä Samsungin 7 nm:n standardeihin EUV:n kanssa viime vuoden viimeisellä neljänneksellä. Kaikki nämä työkalut varmistavat digitaalisten projektien kehittämisen myös 5 nm:n prosessiteknologialle FinFET-transistoreilla.
Verrattuna 7nm:n prosessiin EUV-skannereilla, jotka yritys Viime vuonna 5 nm:n prosessitekniikka parantaa sirualueen käytön tehokkuutta 25 % (Samsung välttelee suoria lausuntoja sirualueen koon pienentämisestä 25 %:lla, mikä jättää numeroiden säätelyn varaa). Myös siirtyminen 5 nm:n prosessiin joko vähentää sirun kulutusta 20 % tai lisää ratkaisujen suorituskykyä 10 %. Toinen bonus on puolijohteiden tuotantoon tarvittavien valonaamarien määrän väheneminen.
Samsung valmistaa tuotteita EUV-skannereilla S3-tehtaalla Hwaseongissa. Tämän vuoden toisella puoliskolla yhtiö saa päätökseen Fab S3:n viereen uuden laitoksen rakentamisen, joka on valmis tuottamaan haketta EUV-prosesseilla ensi vuonna.
Lähde: 3dnews.ru