Taiwanilaisten teollisuuslähteiden mukaan, mikä Internet-resurssi DigiTimes, kiinalainen muistivalmistaja ChangXin Memory Technologies (CXMT) valmistelee täydessä vauhdissa linjoja LPDDR4-muistin massatuotantoon. ChangXinin, joka tunnetaan myös nimellä Innotron Memory, sanotaan kehittäneen oman DRAM-tuotantoprosessinsa käyttämällä 19 nm tekniikkaa.
Muistin kaupalliseen tuotantoon ensimmäisessä 300 mm:n yrityksessään ChangXin joutui vuoden 2019 ensimmäisellä puoliskolla. Valitettavasti tätä ei ole vielä tapahtunut. Mutta 8 Gbit DDR4 LPDDR4 -sirujen tuotannon aloittamiseen liittyy kapasiteetin laajentaminen 20 tuhanteen 300 nm:n piikiekkoon kuukaudessa. Linjojen enimmäiskapasiteetti ChangXin-yrityksessä saavuttaa 125 tuhatta 300 mm kiekkoa kuukaudessa. Mutta tämä ei myöskään ole raja. Yhtiö ilmoitti aloittavansa toisen tehtaan rakentamisen ensi vuonna käsittelemään 300 mm:n muistikiekkoja.
Samaan aikaan tämä kiinalainen valmistaja voi kohdata toisenlaisia ongelmia. Muistakaamme, että ensimmäinen kiinalainen yritys, joka aikoi aloittaa DRAM-muistin massatuotannon, oli Fujian Jinhua. USA:n tuotantolaitteiden ostaminen amerikkalaisilta kumppaneilta kielletty. Taiwanissa he uskovat, että ChangXin kohtaa samat ongelmat kuin Fujian. Lisäksi se palkkasi päteviä insinöörejä japanilaisen Elpidan entisestä taiwanilaisesta tytäryhtiöstä, jonka liiketoiminta siirtyi amerikkalaisen Microniin. Analyytikot odottavat Micronilta vaatimuksia ChangXinia vastaan ja sanktioita, jos Kiina ei vastaa.
Samanaikaisesti ChangXin kehittää teknistä prosessia muistin tuottamiseksi 17 nm:n standardeilla. Kehityksen odotetaan valmistuvan vuonna 2021. Todennäköisesti toinen ChangXinin tehdas aloittaa työskentelyn näiden standardien mukaisten DRAM-kiteiden valmistuksen kanssa. Elleivät tietysti Yhdysvaltojen pakotteet ja Micronin juonittelut tule ylitsepääsemättömäksi esteeksi hänen tielleen.
Lähde: 3dnews.ru