Les modules de mémoire construits sur des puces Samsung B-die sont sans doute l'une des options les plus populaires parmi les passionnés. Cependant, le fabricant sud-coréen les considère comme obsolètes et arrête actuellement leur production, proposant à la place d'autres puces de mémoire DDR4 fabriquées avec des procédés technologiques plus récents. Cela signifie que le cycle de vie des modules DDR4 non tamponnés de Samsung basés sur les puces B-die est désormais terminé et qu'ils disparaîtront bientôt du marché. D'autres fabricants qui utilisent des puces Samsung B-die cesseront également de les fournir.
Les puces Samsung B-die et les modules de mémoire qui en sont dérivés ont acquis une large reconnaissance grâce à leur polyvalence et à leur potentiel d'overclocking. Ils s'échelonnent parfaitement en fréquence, réagissent bien à l'augmentation de la tension d'alimentation et peuvent fonctionner avec des timings extrêmement agressifs. Un avantage important des modules basés sur les puces Samsung B-die est leur simplicité d'utilisation et leur large compatibilité avec divers contrôleurs de mémoire, ce qui les rend particulièrement appréciés des utilisateurs de systèmes basés sur des processeurs Ryzen.
Cependant, pour la production de puces B-die, un processus technologique relativement ancien avec des normes de 20 nm est utilisé, c'est pourquoi la décision de Samsung d'abandonner la fabrication de ces dispositifs semi-conducteurs au profit d'alternatives plus modernes est tout à fait compréhensible. Récemment, l'entreprise a annoncé le début de la production de puces DDR4 SDRAM utilisant la technologie de classe 1z nm (troisième génération), tandis que les puces produites selon le procédé des normes 1y nm (deuxième génération) sont en fabrication depuis plus de dix-huit mois. C'est vers celles-ci que le fabricant appelle à migrer. Les puces B-die ont officiellement reçu le statut EOL (End of Life) - fin de leur cycle de vie.
Au lieu des légendaires puces Samsung B-die, d'autres options vont désormais prendre de l'ampleur. Les puces M-die ont atteint des niveaux de production de masse, utilisant un processus technologique avec des normes de 1y nm. Les puces A-die, fabriquées selon une technologie encore plus avancée avec des normes de 1z nm, ont également atteint le stade de production qualification. Cela signifie que la mémoire sur les puces M-die sera bientôt disponible à la vente, tandis que les modules basés sur les circuits intégrés A-die seront accessibles aux utilisateurs dans les six mois.
Le principal avantage des nouvelles puces de mémoire avec des noyaux mis à jour, outre les processus technologiques modernes et un potentiel de fréquence potentiellement plus élevé, est également leur capacité accrue. Elles permettent de produire des modules DDR4 à simple face d'une capacité de 16 Go et des modules à double face d'une capacité de 32 Go, ce qui était auparavant impossible.
Il convient de rappeler que cet été, des changements importants sont à prévoir dans la gamme de modules de mémoire DDR4 SDRAM disponibles sur le marché. En plus des nouvelles puces Samsung, des puces E-die de Micron et des puces C-die de SK Hynix devraient également commencer à être utilisées dans les barrettes de mémoire. Il est très probable que tous ces changements entraînent une augmentation non seulement du volume moyen, mais aussi du potentiel de fréquence des modules DDR4 SDRAM moyens.
Source : 3dnews.ru
