Le seul développeur au monde de circuits discrets de mémoire magnétorésistive MRAM, la société Everspin Technologies, continue d'améliorer les technologies de production. Aujourd'hui, Everspin et la société GlobalFoundries de développer conjointement la technologie de fabrication de puces STT-MRAM avec des normes de 12 nm et des transistors FinFET.
La société Everspin possède plus de 650 brevets et demandes liés à la mémoire MRAM. Cette mémoire, dont l'écriture dans la cellule ressemble à l'enregistrement d'informations sur un disque dur à plateau magnétique, a des cellules où chacune a sa propre (conditionnellement) tête magnétique. La mémoire STT-MRAM qui a suivi, basée sur l'effet de transfert de moment angulaire de l'électron, fonctionne avec des coûts énergétiques encore plus faibles, car elle utilise des courants plus petits en modes d'écriture et de lecture.
À l'origine, la mémoire MRAM était produite par NXP à la demande d'Everspin dans son usine aux États-Unis. En 2014, Everspin a conclu un accord de coopération avec GlobalFoundries. Ensemble, ils ont commencé à développer des processus technologiques pour la production de MRAM discrets et intégrés (STT-MRAM) utilisant des technologies plus avancées.
Avec le temps, GlobalFoundries a établi la production de puces STT-MRAM de 40 nm et 28 nm (culminant avec la nouveauté d'une puce discrète STT-MRAM de 1 Go), et a également préparé un processus technologique 22FDX pour l'intégration de matrices STT-MRAM dans des contrôleurs utilisant un processus 22 nm sur des plaques de FD-SOI. Le nouvel accord entre Everspin et GlobalFoundries entraînera le transfert de la production de puces STT-MRAM vers un processus technologique de 12 nm.
La mémoire MRAM approche des performances de la mémoire SRAM et pourrait potentiellement la remplacer dans les contrôleurs pour l'Internet des objets. De plus, elle est non volatile et beaucoup plus résistante à l'usure que la mémoire NAND ordinaire. Le passage aux normes de 12 nm permettra d'augmenter la densité d'enregistrement de la MRAM, qui est son principal inconvénient.
Source : 3dnews.ru
