Le passage du silicium aux semi-conducteurs à large bande interdite (nitrure de gallium, carbure de silicium et autres) permet d'augmenter considérablement les fréquences de fonctionnement et d'améliorer l'efficacité des solutions. Par conséquent, l'une des sphères d'application prometteuse des puces et des transistors à large bande est la communication et les radars. L'électronique basée sur des solutions GaN fournit un gain de puissance et une portée accrue des radars, ce qui a immédiatement été exploité par les militaires.
La société Lockheed Martin , que les premières stations radar mobiles (RLS) basées sur des dispositifs électroniques en nitrure de gallium ont été livrées aux forces américaines. L'entreprise n'a pas inventé de nouvelles bases. Les radars antiaériens AN/TPQ-53, adoptés depuis 2010, ont été transférés à une base en GaN. C'est le premier et pour l'instant le seul radar au monde utilisant des semi-conducteurs à large bande.
Grâce au passage à des composants actifs en GaN, le radar AN/TPQ-53 a augmenté la portée de détection des positions d'artillerie camouflées et a obtenu la possibilité de suivre simultanément des cibles aériennes. En particulier, le radar AN/TPQ-53 a commencé à être utilisé contre les drones, y compris les petits appareils. L'identification des positions d'artillerie camouflées peut être effectuée soit dans un secteur de 90 degrés, soit avec une vue circulaire à 360 degrés.
La société Lockheed Martin est le seul fournisseur de radars à réseau d'antennes phasées (AESA) pour les forces américaines. Le passage à une base en GaN lui permet de compter sur un leadership durable dans le domaine de l'amélioration et de la production d'installations radar.
Source : 3dnews.ru
