Les Français ont présenté le transistor GAA à sept niveaux de demain
Ce n’est un secret pour personne depuis longtemps qu’avec la technologie de traitement 3 nm, les transistors passeront des canaux FinFET verticaux « à ailettes » aux canaux horizontaux de nanopages entièrement entourés de grilles ou GAA (gate-all-around). Aujourd'hui, l'institut français CEA-Leti a montré comment les procédés de fabrication de transistors FinFET peuvent être utilisés pour produire des transistors GAA multi-niveaux. Et le maintien de la continuité des processus techniques constitue une base fiable pour une transformation rapide. Pour le Symposium VLSI sur la technologie et les circuits […]