Le passage du silicium aux semi-conducteurs à large bande interdite (nitrure de gallium, carbure de silicium et autres) peut augmenter considérablement les fréquences de fonctionnement et améliorer l'efficacité des solutions. Par conséquent, l’un des domaines prometteurs pour l’utilisation de puces et de transistors à grand écart est celui des communications et des radars. L’électronique basée sur des solutions GaN « à l’improviste » apporte une augmentation de puissance et une extension de la portée des radars, dont les militaires ont immédiatement profité.
Société Lockheed Martin que les premières unités radar mobiles (radars) basées sur l'électronique avec des éléments en nitrure de gallium ont été livrées aux troupes américaines. L'entreprise n'a rien proposé de nouveau. Les radars de contre-batterie AN/TPQ-2010, adoptés depuis 53, ont été transférés à la base des éléments GaN. Il s’agit du premier et jusqu’à présent du seul radar à semi-conducteur à large ouverture au monde.
En passant aux composants GaN actifs, le radar AN/TPQ-53 a augmenté la portée de détection des positions d'artillerie fermées et a acquis la capacité de suivre simultanément des cibles aériennes. Le radar AN/TPQ-53 a notamment commencé à être utilisé contre les drones, y compris les petits véhicules. L'identification des positions d'artillerie couvertes peut être effectuée aussi bien dans un secteur à 90 degrés qu'avec une vue panoramique à 360 degrés.
Lockheed Martin est le seul fournisseur de radars à réseau actif (phased array) de l'armée américaine. Le passage à la base d'éléments GaN lui permet de compter sur un leadership à long terme dans le domaine de l'amélioration et de la production d'installations radar.
Source: 3dnews.ru