Les prochains iPhone ne sortiront qu'en septembre, mais des fuites sur les nouveaux smartphones Apple ont commencé à apparaître l'année dernière. Les schémas de l'iPhone XI et de l'iPhone XI Max (nous les appellerons ainsi) ont déjà été publiés, prétendument divulgués en ligne directement depuis l'usine. Nous parlerions maintenant de flans pour les futurs iPhones utilisés par le fabricant du boîtier, et peut apporter un éclairage supplémentaire sur les produits.
Si l’on en croit ces documents concernant la famille iPhone 2019, il semble qu’Apple vise à différencier autant que possible ses smartphones de ses concurrents. Pour y parvenir, la société les équipera (au moins l’iPhone XI et l’iPhone XI Max) d’une disposition de caméra arrière triangulaire étrange et unique en son genre.
Bien que cette configuration n'ait pas encore été définitivement approuvée par le constructeur (il y a eu des fuites indiquant une autre option), elle l'est pour l'instant. pour la famille iPhone 2019. Comme vous pouvez le constater, une triple caméra arrière est présente dans le coin supérieur du smartphone. Si vous regardez attentivement les images, vous remarquerez que le logo Apple n'est pas au bon endroit et que l'inscription iPhone est faite différemment sur les deux flans. On peut donc parler de formes plutôt conventionnelles des futurs smartphones (elles devraient cependant être tout à fait suffisantes pour des cas de test).
Apple ajouterait cette année un troisième appareil photo à ses deux appareils photo existants, avec un objectif ultra grand angle. Il aura une ouverture f/2,2 et le principal fournisseur sera Genius Electric Optical. En dehors de cela, Apple n'apportera qu'un seul changement aux capacités de la matrice de caméras arrière : cela augmentera censément la zone de pixels sur le capteur de la caméra principale, de sorte que la sensibilité augmentera.
En général, les rapports actuels sur la famille iPhone 2019 ne suscitent pas beaucoup d'optimisme : en fait, nous parlerons du développement de l'iPhone 2018. Le SoC sera nouveau, mais il sera toujours en 7 nm (bien que le processus de TSMC s'améliorera légèrement avec la lithographie ULV).
Source: 3dnews.ru