{"id":73397,"date":"2020-03-09T08:42:28","date_gmt":"2020-03-09T05:42:28","guid":{"rendered":"https:\/\/prohoster.info\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya"},"modified":"2020-03-09T08:42:28","modified_gmt":"2020-03-09T05:42:28","slug":"vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/prohoster.info\/fr\/blog\/administrirovanie\/vvedenie-v-ssd-chast-4-fizicheskaya","title":{"rendered":"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique","gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"text"}]},"content":{"rendered":"<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/07ee6f41981982df22293878e6c6d99a.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLes parties pr\u00e9c\u00e9dentes du cycle \u00ab Introduction aux SSD \u00bb ont inform\u00e9 le lecteur sur l'histoire de l'apparition des disques SSD, les interfaces de communication avec eux et les formats populaires. La quatri\u00e8me partie parlera du stockage des donn\u00e9es \u00e0 l'int\u00e9rieur des disques.<br \/>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" name=\"habracut\"><\/a><\/noindex><br \/>\n<i>Dans les articles pr\u00e9c\u00e9dents du cycle :<\/i><\/p>\n<ol>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/475304\/\">Histoire de la cr\u00e9ation des HDD et des SSD<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/478684\/\">\u00c9mergence des interfaces de stockage<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<li><i><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/488230\/\">Caract\u00e9ristiques des formats<\/a><\/noindex><\/i><\/li>\n<\/ol>\n<p>\nLe stockage des donn\u00e9es dans les disques \u00e0 \u00e9tat solide peut \u00eatre divis\u00e9 en deux parties logiques : le stockage des informations dans une cellule et l'organisation du stockage des cellules.<\/p>\n<p>Chaque cellule d'un disque \u00e0 \u00e9tat solide stocke <b>un ou plusieurs bits d'information<\/b>. Diverses <b>processus physiques<\/b>sont utilis\u00e9s pour le stockage des informations. Lors de la conception des disques \u00e0 \u00e9tat solide, les grandeurs physiques suivantes ont \u00e9t\u00e9 \u00e9tudi\u00e9es pour coder l'information :<\/p>\n<ul>\n<li><b>charges \u00e9lectriques<\/b> (y compris la m\u00e9moire Flash);<\/li>\n<li><b>moments magn\u00e9tiques<\/b> (m\u00e9moire magn\u00e9tor\u00e9sistive);<\/li>\n<li><b>\u00e9tats de phase<\/b> (m\u00e9moire \u00e0 changement d'\u00e9tat de phase).<\/li>\n<\/ul>\n<p><\/p>\n<h2>La m\u00e9moire bas\u00e9e sur des charges \u00e9lectriques<\/h2>\n<p>\nLe codage des informations par une charge n\u00e9gative est \u00e0 la base de plusieurs solutions :<\/p>\n<ul>\n<li>ROM effa\u00e7ables par UV (EPROM);<\/li>\n<li>ROM \u00e9lectriquement effa\u00e7ables (EEPROM);<\/li>\n<li>m\u00e9moire Flash.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\n<img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/8859aa8e143aeefc0a33f8255f1708f3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nChaque cellule de m\u00e9moire est un <b>transistor MOS \u00e0 effet de champ avec une grille flottante<\/b>, o\u00f9 est stock\u00e9e une charge n\u00e9gative. Sa diff\u00e9rence par rapport \u00e0 un transistor MOS ordinaire r\u00e9side dans la pr\u00e9sence d'une grille flottante \u2014 un conducteur dans une couche di\u00e9lectrique.<\/p>\n<p>Lors de l'\u00e9tablissement d'une diff\u00e9rence de potentiel entre le drain et la source et la pr\u00e9sence d'un potentiel positif sur la grille, un courant circulera du drain \u00e0 la source. Cependant, avec une diff\u00e9rence de potentiel suffisamment grande, certains \u00e9lectrons \u00ab perforent \u00bb la couche di\u00e9lectrique et se retrouvent dans la grille flottante. Ce ph\u00e9nom\u00e8ne s'appelle <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/%D0%A2%D1%83%D0%BD%D0%BD%D0%B5%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D1%8B%D0%B9_%D1%8D%D1%84%D1%84%D0%B5%D0%BA%D1%82\">effet tunnel.<\/a><\/noindex>.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/7b6141b5e53940bcc073a3ee1c327eec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa grille flottante charg\u00e9e n\u00e9gativement cr\u00e9e un champ \u00e9lectrique qui entrave la circulation du courant du drain \u00e0 la source. De plus, la pr\u00e9sence d'\u00e9lectrons dans la grille flottante augmente la tension de seuil \u00e0 laquelle le transistor s'ouvre. \u00c0 chaque \u00ab \u00e9criture \u00bb dans la grille flottante du transistor, la couche di\u00e9lectrique est l\u00e9g\u00e8rement endommag\u00e9e, ce qui impose une limite au nombre de cycles d'\u00e9criture de chaque cellule.<\/p>\n<blockquote><p>Les transistors MOS \u00e0 grille flottante ont \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9s par Dawon Kahng et Simon Min Sze de Bell Labs en 1967. Par la suite, lors de recherches sur les d\u00e9fauts des circuits int\u00e9gr\u00e9s, il a \u00e9t\u00e9 observ\u00e9 que la charge dans la grille flottante avait modifi\u00e9 la tension de seuil qui ouvre le transistor. Cette d\u00e9couverte a incit\u00e9 Dov Frohman \u00e0 commencer \u00e0 travailler sur une m\u00e9moire bas\u00e9e sur ce ph\u00e9nom\u00e8ne.<\/p><\/blockquote>\n<p>La modification de la tension de seuil permet de \u00ab programmer \u00bb les transistors. Les transistors avec une charge dans la grille flottante ne s'ouvriront pas lorsque la tension appliqu\u00e9e \u00e0 la grille est sup\u00e9rieure \u00e0 la tension de seuil pour un transistor sans \u00e9lectrons, mais inf\u00e9rieure \u00e0 la tension de seuil pour un transistor avec des \u00e9lectrons. Appelons cette valeur <b>la tension de lecture<\/b>.<\/p>\n<h3>M\u00e9moire morte programmable effa\u00e7able<\/h3>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/bfe650362b93b530401453130147d679.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nEn 1971, un employ\u00e9 d'Intel, Dov Frohman, a cr\u00e9\u00e9 une m\u00e9moire r\u00e9inscriptible bas\u00e9e sur des transistors, appel\u00e9e <b>M\u00e9moire morte programmable effa\u00e7able (EPROM)<\/b>. L'enregistrement dans la m\u00e9moire se faisait \u00e0 l'aide d'un dispositif sp\u00e9cial \u2014 un programmateur. Le programmateur applique une tension plus \u00e9lev\u00e9e au circuit int\u00e9gr\u00e9 que celle utilis\u00e9e dans les circuits num\u00e9riques, \u00ab enregistrant \u00bb ainsi des \u00e9lectrons dans les grilles flottantes des transistors l\u00e0 o\u00f9 cela est n\u00e9cessaire.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/ru.wikipedia.org\/wiki\/EPROM\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/959b0d6bac92dafb1eb4aa46ea03952c.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nDans la m\u00e9moire EPROM, aucune m\u00e9thode d'effacement \u00e9lectrique des grilles flottantes des transistors n'\u00e9tait pr\u00e9vue. \u00c0 la place, il \u00e9tait propos\u00e9 d'exposer les transistors \u00e0 un fort rayonnement ultraviolets, dont les photons fournissent l'\u00e9nergie n\u00e9cessaire aux \u00e9lectrons pour quitter la grille flottante. Pour permettre \u00e0 l'ultraviolet de p\u00e9n\u00e9trer \u00e0 l'int\u00e9rieur du circuit int\u00e9gr\u00e9, du verre de quartz a \u00e9t\u00e9 ajout\u00e9 au bo\u00eetier.<\/p>\n<p><noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-50-qa-intels-dov-frohman-inventor-eprom\/#gs.wum63d\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/725b3ed07b0a5c5ceb285f6b7e234f08.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><\/p>\n<blockquote><p>Frohman a pr\u00e9sent\u00e9 pour la premi\u00e8re fois son prototype d'EPROM en f\u00e9vrier 1971 lors d'une conf\u00e9rence sur les circuits int\u00e9gr\u00e9s solides \u00e0 Philadelphie. Gordon Moore a \u00e9voqu\u00e9 la d\u00e9monstration : \u00ab Dov a montr\u00e9 un dessin binaire dans les cellules de m\u00e9moire EPROM. Lorsque les cellules \u00e9taient expos\u00e9es \u00e0 la lumi\u00e8re ultraviolette, les bits disparaissaient un \u00e0 un, jusqu'\u00e0 ce qu'un logo Intel familier soit compl\u00e8tement effac\u00e9... Les bits disparaissaient, et lorsque le dernier a disparu, l'ensemble de l'auditoire a \u00e9clat\u00e9 en applaudissements. L'article de Dov a \u00e9t\u00e9 jug\u00e9 le meilleur de la conf\u00e9rence. \u00bb<i> \u2014 Traduction de l'article <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/newsroom.intel.com\/news\/intel-at-50-erasable-programmable-read-only-memory\">newsroom.intel.com<\/a><\/noindex><\/i><\/p><\/blockquote>\n<p>La m\u00e9moire EPROM est plus co\u00fbteuse que les dispositifs de stockage \u00e0 acc\u00e8s al\u00e9atoire (ROM) \u00ab \u00e0 usage unique \u00bb pr\u00e9c\u00e9demment utilis\u00e9s, cependant, la possibilit\u00e9 de reprogrammation permet de d\u00e9boguer les sch\u00e9mas plus rapidement et de r\u00e9duire le temps de d\u00e9veloppement de nouveaux mat\u00e9riels.<\/p>\n<p>La reprogrammation de la ROM par lumi\u00e8re ultraviolette a \u00e9t\u00e9 une avanc\u00e9e significative, cependant, l'id\u00e9e de r\u00e9\u00e9criture \u00e9lectrique flottait d\u00e9j\u00e0 dans l'air.<\/p>\n<h3>M\u00e9moire morte \u00e9lectriquement effa\u00e7able et programm\u00e9e<\/h3>\n<p>\nEn 1972, trois Japonais : Yasuo Tarui, Yutaka Hayashi et Kiyoko Nagai ont pr\u00e9sent\u00e9 le premier dispositif de stockage \u00e0 acc\u00e8s al\u00e9atoire \u00e9lectriquement effa\u00e7able (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, EEPROM ou E2PROM). Leurs recherches scientifiques deviendront plus tard une partie des brevets pour des r\u00e9alisations commerciales de la m\u00e9moire EEPROM.<\/p>\n<p>Chaque cellule de m\u00e9moire EEPROM est compos\u00e9e de plusieurs transistors :<\/p>\n<ul>\n<li>un transistor \u00e0 grille flottante pour stocker un bit ;<\/li>\n<li>un transistor pour contr\u00f4ler le mode de lecture-\u00e9criture.<\/li>\n<\/ul>\n<p>\nCette conception complique consid\u00e9rablement le c\u00e2blage du circuit \u00e9lectrique, c'est pourquoi la m\u00e9moire EEPROM \u00e9tait utilis\u00e9e dans les cas o\u00f9 un petit volume de m\u00e9moire n'\u00e9tait pas critique. Pour le stockage de grandes quantit\u00e9s de donn\u00e9es, on utilisait toujours l'EPROM.<\/p>\n<h3>M\u00e9moire Flash<\/h3>\n<p>\nLa m\u00e9moire Flash, combinant les meilleures caract\u00e9ristiques de l'EPROM et de l'EEPROM, a \u00e9t\u00e9 d\u00e9velopp\u00e9e en 1980 par le professeur japonais Fujio Masuoka, ing\u00e9nieur chez Toshiba. Le premier d\u00e9veloppement a \u00e9t\u00e9 appel\u00e9 m\u00e9moire Flash de type NOR et, comme ses pr\u00e9d\u00e9cesseurs, est bas\u00e9 sur des transistors MOS de champ \u00e0 grille flottante.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/afb642e62142301a0430736f88a747a9.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa m\u00e9moire Flash de type NOR est un tableau bidimensionnel de transistors. Les grilles des transistors sont connect\u00e9es \u00e0 une ligne de mots, tandis que les drains sont connect\u00e9s \u00e0 une ligne de bits. Lorsqu'une tension est appliqu\u00e9e \u00e0 la ligne de mots, les transistors contenant des \u00e9lectrons, c'est-\u00e0-dire stockant un \u00ab un \u00bb, ne s'ouvrent pas et le courant ne passe pas. La pr\u00e9sence ou l'absence de courant sur la ligne de bits permet de d\u00e9terminer la valeur du bit.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/53a8762b0e7cec9b6ebdf5fb91e9b328.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nSept ans plus tard, Fujio Masuoka a d\u00e9velopp\u00e9 la m\u00e9moire Flash de type NAND. Ce type de m\u00e9moire se distingue par le nombre de transistors sur la ligne de bit. Dans la m\u00e9moire de type NOR, chaque transistor est connect\u00e9 directement \u00e0 la ligne de bit, tandis que dans la m\u00e9moire NAND, les transistors sont connect\u00e9s en s\u00e9rie.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/14db892a94f6bf36fe3f9dc8f5ad76c3.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\nLa lecture \u00e0 partir de la m\u00e9moire de cette configuration est plus complexe : une tension n\u00e9cessaire \u00e0 la lecture est appliqu\u00e9e \u00e0 la ligne de mots requise, tandis qu\u2019une tension qui ouvre le transistor, ind\u00e9pendamment de son niveau de charge, est appliqu\u00e9e \u00e0 toutes les autres lignes de mots. \u00c9tant donn\u00e9 que tous les autres transistors sont garantis d\u2019\u00eatre ouverts, la pr\u00e9sence de tension sur la ligne de bit d\u00e9pend uniquement d\u2019un seul transistor auquel la tension de lecture est appliqu\u00e9e.<\/p>\n<p>L'invention de la m\u00e9moire Flash de type NAND permet de compacter consid\u00e9rablement le circuit, en logeant un plus grand volume de m\u00e9moire dans les m\u00eames dimensions. Jusqu'en 2007, la capacit\u00e9 de la m\u00e9moire \u00e9tait augment\u00e9e par la r\u00e9duction du processus de fabrication de la puce.<\/p>\n<p>En 2007, la soci\u00e9t\u00e9 Toshiba a pr\u00e9sent\u00e9 une nouvelle version de la m\u00e9moire NAND : <b>Vertical NAND (V-NAND)<\/b>, \u00e9galement connue sous le nom de <b>3D NAND<\/b>. Dans cette technologie, l'accent est mis sur l'empilement des transistors en plusieurs couches, ce qui permet \u00e0 nouveau de compacter le circuit et d'augmenter la capacit\u00e9 de m\u00e9moire. Cependant, la compaction du circuit ne peut pas se r\u00e9p\u00e9ter ind\u00e9finiment, c'est pourquoi d'autres m\u00e9thodes d'augmentation de la capacit\u00e9 de stockage ont \u00e9t\u00e9 explor\u00e9es.<\/p>\n<p><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/11bbf1b13a91ae464c305fac941218ec.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><br \/>\n\u00c0 l'origine, chaque transistor stockait deux niveaux de charge : z\u00e9ro logique et un logique. Cette approche est appel\u00e9e <b>Single-Level Cell (SLC)<\/b>. Les unit\u00e9s reposant sur cette technologie se distinguent par leur fiabilit\u00e9 \u00e9lev\u00e9e et leur maximum de cycles d'\u00e9criture.<\/p>\n<p>Avec le temps, il a \u00e9t\u00e9 d\u00e9cid\u00e9 d'augmenter la capacit\u00e9 des unit\u00e9s au d\u00e9triment de la durabilit\u00e9. Ainsi, le nombre de niveaux de charge dans la cellule a atteint quatre, et la technologie a \u00e9t\u00e9 appel\u00e9e <b>Multi-Level Cell (MLC)<\/b>. Par la suite, sont apparues <b>Triple-Level Cell (TLC)<\/b> et <b>Quad-Level Cell (QLC)<\/b>. \u00c0 l'avenir, un nouveau niveau appara\u00eetra \u2014 <b>Penta-Level Cell (PLC)<\/b> avec cinq bits dans une seule cellule. Plus il y a de bits dans une cellule, plus la capacit\u00e9 de l'unit\u00e9 est grande pour le m\u00eame co\u00fbt, mais la durabilit\u00e9 diminue.<\/p>\n<p>La compaction des circuits par la r\u00e9duction du processus technologique et l'augmentation du nombre de bits par transistor a des effets n\u00e9gatifs sur les donn\u00e9es stock\u00e9es. Bien que les m\u00eames transistors soient utilis\u00e9s dans l'EPROM et l'EEPROM, l'EPROM et l'EEPROM peuvent conserver les donn\u00e9es sans alimentation pendant dix ans, alors que la m\u00e9moire Flash moderne peut tout \u00ab oublier \u00bb en seulement un an.<\/p>\n<blockquote><p>L'utilisation de la m\u00e9moire Flash dans l'industrie spatiale est probl\u00e9matique, car les radiations affectent n\u00e9gativement les \u00e9lectrons dans les portes flottantes.<\/p><\/blockquote>\n<p>Les probl\u00e8mes \u00e9num\u00e9r\u00e9s emp\u00eachent la m\u00e9moire Flash de devenir le leader incontest\u00e9 dans le domaine du stockage d'informations. Bien que les dispositifs bas\u00e9s sur la m\u00e9moire Flash soient largement r\u00e9pandus, des recherches sont en cours sur d'autres types de m\u00e9moire qui \u00e9chappent \u00e0 ces d\u00e9fauts, notamment le stockage d'informations dans des moments magn\u00e9tiques et des \u00e9tats de phase.<\/p>\n<h2>M\u00e9moire magn\u00e9tor\u00e9sistive<\/h2>\n<p>\n<noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.youtube.com\/watch?v=lne8r2mIwuA\"><img decoding=\"async\" alt=\"Introduction aux SSD. Partie 4. Physique\" src=\"\/wp-content\/uploads\/2020\/03\/12ad7d4ed598506d78199c56e91a3831.png\" style=\"display:block;margin: 0 auto;\" \/><\/a><\/noindex><br \/>\nLe codage des informations par des moments magn\u00e9tiques est apparu en 1955 sous la forme de m\u00e9moire \u00e0 noyaux magn\u00e9tiques. Jusqu'au milieu des ann\u00e9es 1970, la m\u00e9moire ferrite \u00e9tait le principal type de m\u00e9moire. La lecture d'un bit de m\u00e9moire de ce type entra\u00eenait le d\u00e9magn\u00e9tisation de l'anneau et la perte d'informations. Ainsi, apr\u00e8s la lecture d'un bit, il fallait le r\u00e9\u00e9crire.<\/p>\n<p>Dans les d\u00e9veloppements modernes de la m\u00e9moire magn\u00e9tor\u00e9sistive, au lieu d'anneaux, deux couches de ferromagn\u00e9tique s\u00e9par\u00e9es par un di\u00e9lectrique sont utilis\u00e9es. Une couche est un aimant permanent, tandis que l'autre modifie la direction de son aimantation. La lecture d'un bit \u00e0 partir de cette cellule se r\u00e9duit \u00e0 mesurer la r\u00e9sistance lors du passage du courant : si les couches sont magn\u00e9tis\u00e9es dans des directions oppos\u00e9es, la r\u00e9sistance est plus \u00e9lev\u00e9e, ce qui \u00e9quivaut \u00e0 la valeur \u00ab 1 \u00bb.<\/p>\n<p>La m\u00e9moire ferrite ne n\u00e9cessite pas de source d'alimentation constante pour maintenir les informations enregistr\u00e9es, cependant, le champ magn\u00e9tique de la cellule peut affecter le \u00ab voisin \u00bb, ce qui impose une limitation sur la densit\u00e9 du circuit.<\/p>\n<blockquote><p>Selon <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/www.jedec.org\/sites\/default\/files\/Alvin_Cox%20%5BCompatibility%20Mode%5D_0.pdf\">JEDEC<\/a><\/noindex> Les disques SSD bas\u00e9s sur la m\u00e9moire Flash doivent conserver les informations sans alimentation pendant au moins trois mois \u00e0 une temp\u00e9rature ambiante de 40 \u00b0C. D\u00e9velopp\u00e9 par Intel, <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/3dnews.ru\/983125\">une puce bas\u00e9e sur la m\u00e9moire magn\u00e9tor\u00e9sistive<\/a><\/noindex> promet de conserver les donn\u00e9es pendant dix ans \u00e0 une temp\u00e9rature de 200 \u00b0C.<\/p><\/blockquote>\n<p>Malgr\u00e9 la complexit\u00e9 de son d\u00e9veloppement, la m\u00e9moire magn\u00e9tor\u00e9sistive ne se d\u00e9grade pas pendant l'utilisation et offre de meilleures performances par rapport \u00e0 d'autres types de m\u00e9moire, ce qui emp\u00eache de rejeter ce type de m\u00e9moire.<\/p>\n<h2>M\u00e9moire \u00e0 changement d'\u00e9tat de phase<\/h2>\n<p>\nLe troisi\u00e8me type de m\u00e9moire prometteur est la m\u00e9moire \u00e0 base de transition de phase. Ce type de m\u00e9moire utilise les propri\u00e9t\u00e9s des chalcog\u00e9nides pour passer entre un \u00e9tat cristallin et amorphe lors du chauffage.<\/p>\n<blockquote><p><b>Chalcog\u00e9nides<\/b> \u2014 les connexions binaires des m\u00e9taux avec le groupe 16 (groupe 6 de la sous-cat\u00e9gorie principale) du tableau p\u00e9riodique de Mendele\u00efev. Par exemple, dans les disques CD-RW, DVD-RW, DVD-RAM et Blu-ray, on utilise du tellurure de germanium (GeTe) et du tellurure d'antimoine (III) (Sb2Te3).<\/p><\/blockquote>\n<p>Des recherches sur l'utilisation de la transition de phase pour le stockage d'informations ont \u00e9t\u00e9 men\u00e9es dans <b>les ann\u00e9es 1960<\/b> par Stanford Ovshinsky, mais \u00e0 l'\u00e9poque, cela n'a pas abouti \u00e0 une r\u00e9alisation commerciale. Dans les ann\u00e9es 2000, un nouvel int\u00e9r\u00eat pour cette technologie a \u00e9merg\u00e9, Samsung a brevet\u00e9 une technologie permettant de commuter un bit en 5 ns, tandis qu'Intel et STMicroelectronics ont augment\u00e9 le nombre d'\u00e9tats \u00e0 quatre, doublant ainsi le volume possible.<\/p>\n<p>Lors du chauffage au-dessus du point de fusion, le chalcog\u00e9nure perd sa structure cristalline et, en refroidissant, se transforme en forme amorphe, caract\u00e9ris\u00e9e par une r\u00e9sistance \u00e9lectrique \u00e9lev\u00e9e. En revanche, lorsqu'il est chauff\u00e9 \u00e0 une temp\u00e9rature sup\u00e9rieure au point de cristallisation, mais inf\u00e9rieure au point de fusion, le chalcog\u00e9nure retourne \u00e0 l'\u00e9tat cristallin avec un faible niveau de r\u00e9sistance.<\/p>\n<p>La m\u00e9moire \u00e0 changement de phase ne n\u00e9cessite pas de 'recharge' avec le temps et n'est pas sensible aux radiations, contrairement \u00e0 la m\u00e9moire \u00e0 charges \u00e9lectriques. Ce type de m\u00e9moire peut conserver des informations pendant 300 ans \u00e0 une temp\u00e9rature de 85\u00b0C.<\/p>\n<p>On consid\u00e8re que le d\u00e9veloppement d'Intel, la technologie <b>3D Crosspoint (3D XPoint)<\/b> utilise pr\u00e9cis\u00e9ment les transitions de phase pour le stockage d'informations. La technologie 3D XPoint est utilis\u00e9e dans les m\u00e9moires Intel&reg; Optane&trade; Memory, qui promettent une meilleure durabilit\u00e9.<\/p>\n<h2>Conclusion<\/h2>\n<p>\nLe dispositif physique des disques \u00e0 \u00e9tat solide a subi de nombreuses \u00e9volutions au cours de plus de cinquante ans d'histoire ; cependant, chacune des solutions pr\u00e9sente ses inconv\u00e9nients. Malgr\u00e9 la popularit\u00e9 indiscutable de la m\u00e9moire Flash, plusieurs entreprises, y compris Samsung et Intel, \u00e9tudient la possibilit\u00e9 de cr\u00e9er une m\u00e9moire bas\u00e9e sur des moments magn\u00e9tiques.<\/p>\n<p>La r\u00e9duction de l'usure des cellules, leur compression et l'augmentation de la capacit\u00e9 totale du stockage sont les directions qui, \u00e0 l'heure actuelle, semblent prometteuses pour le d\u00e9veloppement futur des disques \u00e0 \u00e9tat solide.<\/p>\n<blockquote><p>Vous pouvez d\u00e9j\u00e0 tester les meilleurs disques NAND et 3D XPoint d'aujourd'hui dans notre <noindex><a rel=\"nofollow\" href=\"http:\/\/slc.tl\/S-MoX\">Selectel LAB<\/a><\/noindex>.<\/p><\/blockquote>\n<p>Pensez-vous que la technologie de stockage d'informations sur des charges \u00e9lectriques sera remplac\u00e9e par d'autres, comme les disques en quartz ou la m\u00e9moire optique sur des nanocristaux de sel ?<br \/>\n<br \/>Source : <a content=\"nofollow\" rel=\"nofollow\" href=\"https:\/\/habr.com\/ru\/company\/selectel\/blog\/491264\/\">habr.com<\/a> <\/p>","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"excerpt":{"rendered":"<p>\u041f\u0440\u043e\u0448\u043b\u044b\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430 \u00ab\u0412\u0432\u0435\u0434\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0432 SSD\u00bb \u043f\u043e\u0432\u0435\u0434\u0430\u043b\u0438 \u0447\u0438\u0442\u0430\u0442\u0435\u043b\u044e \u043f\u0440\u043e \u0438\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044e \u043f\u043e\u044f\u0432\u043b\u0435\u043d\u0438\u044f SSD-\u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439, \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u044b \u0432\u0437\u0430\u0438\u043c\u043e\u0434\u0435\u0439\u0441\u0442\u0432\u0438\u044f \u0441 \u043d\u0438\u043c\u0438 \u0438 \u043f\u043e\u043f\u0443\u043b\u044f\u0440\u043d\u044b\u0435 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u044b. \u0427\u0435\u0442\u0432\u0451\u0440\u0442\u0430\u044f \u0447\u0430\u0441\u0442\u044c \u0440\u0430\u0441\u0441\u043a\u0430\u0436\u0435\u0442 \u043e \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0438 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432\u043d\u0443\u0442\u0440\u0438 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439. \u0412 \u043f\u0440\u0435\u0434\u044b\u0434\u0443\u0449\u0438\u0445 \u0441\u0442\u0430\u0442\u044c\u044f\u0445 \u0446\u0438\u043a\u043b\u0430: \u0418\u0441\u0442\u043e\u0440\u0438\u044f \u0441\u043e\u0437\u0434\u0430\u043d\u0438\u044f HDD \u0438 SSD \u0412\u043e\u0437\u043d\u0438\u043a\u043d\u043e\u0432\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0442\u0435\u0440\u0444\u0435\u0439\u0441\u043e\u0432 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u0435\u0439 \u041e\u0441\u043e\u0431\u0435\u043d\u043d\u043e\u0441\u0442\u0438 \u0444\u043e\u0440\u043c-\u0444\u0430\u043a\u0442\u043e\u0440\u043e\u0432 \u0425\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0434\u0430\u043d\u043d\u044b\u0445 \u0432 \u0442\u0432\u0435\u0440\u0434\u043e\u0442\u0435\u043b\u044c\u043d\u044b\u0445 \u043d\u0430\u043a\u043e\u043f\u0438\u0442\u0435\u043b\u044f\u0445 \u043c\u043e\u0436\u043d\u043e \u0440\u0430\u0437\u0434\u0435\u043b\u0438\u0442\u044c \u043d\u0430 \u0434\u0432\u0435 \u043b\u043e\u0433\u0438\u0447\u0435\u0441\u043a\u0438\u0435 \u0447\u0430\u0441\u0442\u0438: \u0445\u0440\u0430\u043d\u0435\u043d\u0438\u0435 \u0438\u043d\u0444\u043e\u0440\u043c\u0430\u0446\u0438\u0438 \u0432 [&hellip;]<\/p>\n","protected":false,"gt_translate_keys":[{"key":"rendered","format":"html"}]},"author":1,"featured_media":73398,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"footnotes":""},"categories":[688],"tags":[],"class_list":["post-73397","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-administrirovanie"],"aioseo_notices":[],"aioseo_head":"\n\t\t<!-- All in One SEO 5.0.2 - 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