Hjoed Samsung Electronics oer plannen foar de ûntwikkeling fan technyske prosessen foar de produksje fan semyconductors. It bedriuw beskôget it meitsjen fan digitale projekten fan eksperimintele 3-nm-chips basearre op patintearre MBCFET-transistors as de wichtichste aktuele prestaasje. Dit binne transistors mei meardere horizontale nanopage-kanalen yn fertikale FET-poarten (Multi-Bridge-Channel FET).
As ûnderdiel fan in alliânsje mei IBM ûntwikkele Samsung in wat oare technology foar de produksje fan transistors mei kanalen folslein omjûn troch poarten (GAA of Gate-All-Around). De kanalen soene tin makke wurde yn 'e foarm fan nanotraden. Dêrnei ferhuze Samsung fuort fan dit skema en patintearre in transistorstruktuer mei kanalen yn 'e foarm fan nanopagina's. Dizze struktuer lit jo de skaaimerken fan transistors kontrolearje troch sawol it oantal siden (kanalen) te manipulearjen as troch de breedte fan 'e siden oan te passen. Foar klassike FET-technology is sa'n manoeuvre ûnmooglik. Foar it fergrutsjen fan de krêft fan in FinFET transistor, is it nedich om te fermannichfâldigjen it oantal FET fins op it substraat, en dit fereasket gebiet. De skaaimerken fan 'e MBCFET-transistor kinne wurde feroare binnen ien fysike poarte, wêrfoar jo de breedte fan' e kanalen en har nûmer ynstelle moatte.
De beskikberens fan in digitaal ûntwerp (tape) fan in prototype-chip foar produksje mei it GAA-proses koe Samsung de grinzen fan 'e mooglikheden fan MBCFET-transistors bepale. Dêrby moat opmurken wurde dat dit noch altyd kompjûter modeling gegevens en it nije technyske proses kin pas úteinlik beoardiele neidat it is lansearre yn massa produksje. Der is lykwols in útgongspunt. It bedriuw sei dat de oergong fan it 7nm-proses (fansels de earste generaasje) nei it GAA-proses in 45% reduksje sil leverje yn it gebiet en in 50% reduksje yn konsumpsje. As jo net besparje op konsumpsje, kin produktiviteit wurde ferhege mei 35%. Earder seach Samsung besparrings en produktiviteitswinsten by it ferpleatsen nei it 3nm-proses skieden troch komma's. It die bliken dat it ien of it oare wie.
It bedriuw beskôget de tarieding fan in iepenbier wolkplatfoarm foar unôfhinklike chip-ûntwikkelders en fabelleaze bedriuwen as in wichtich punt yn it popularisearjen fan de 3nm-prosestechnology. Samsung hat de ûntwikkelingsomjouwing, projektferifikaasje en biblioteken op produksjeservers net ferburgen. It SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) platfoarm sil beskikber wêze foar ûntwerpers oer de hiele wrâld. It SAFE-wolkplatfoarm is makke mei de dielname fan sokke grutte iepenbiere wolktsjinsten as Amazon Web Services (AWS) en Microsoft Azure. Untwikkelders fan ûntwerpsystemen fan Cadence en Synopsys levere har ûntwerpark binnen SAFE. Dit belooft it makliker en goedkeaper te meitsjen om nije oplossingen foar Samsung-prosessen te meitsjen.
Werom nei Samsung's 3nm-prosestechnology, litte wy tafoegje dat it bedriuw de earste ferzje fan har chipûntwikkelingspakket presintearre - 3nm GAE PDK Ferzje 0.1. Mei har help kinne jo hjoed begjinne mei it ûntwerpen fan 3nm-oplossingen, of op syn minst tariede om dit Samsung-proses te foldwaan as it wiidferspraat wurdt.
Samsung kundiget syn takomstplannen as folget oan. Yn 'e twadde helte fan dit jier sil massaproduksje fan chips mei it 6nm-proses lansearre wurde. Tagelyk sil de ûntwikkeling fan 'e 4nm-prosestechnology foltôge wurde. De ûntwikkeling fan 'e earste Samsung-produkten mei it 5nm-proses sil dizze hjerst foltôge wurde, mei produksje lansearring yn' e earste helte fan takom jier. Ek oan it ein fan dit jier sil Samsung de ûntwikkeling fan 'e 18FDS-prosestechnology (18 nm op FD-SOI-wafers) en 1-Gbit eMRAM-chips foltôgje. Prosestechnologyen fan 7 nm oant 3 nm sille EUV-scanners brûke mei tanimmende yntensiteit, wêrtroch elke nanometer telt. Fierder op 'e wei nei ûnderen sil elke stap mei in gefjocht nommen wurde.
Boarne: 3dnews.ru