Mar D'ullmhaigh gníomhaireachtaí nuachta na Síne, Yangtze Memory Technologies (YMTC) an dara leagan dá theicneolaíocht Xtacking dílseánaigh chun táirgeadh cuimhne flash ilchiseal 3D NAND a bharrfheabhsú. Cuireadh teicneolaíocht Xtacking, is cuimhin linn, i láthair ag an bhfóram bliantúil Cruinniú Mullaigh Cuimhne Flash i mí Lúnasa na bliana seo caite agus fuair sé fiú dámhachtain sa chatagóir "An tosaithe is nuálaí i réimse na cuimhne flash."
Ar ndóigh, tá sé soiléir go bhfuil an chuideachta ag glaoch ar ghnóthas le buiséad il-billiún dollar mar ghnóthas tosaithe, ach, a ligean ar a bheith macánta, ní tháirgeann YMTC táirgí i gcainníochtaí mais fós. Bogfaidh an chuideachta chuig soláthairtí tráchtála mais 3D NAND níos gaire do dheireadh na bliana seo nuair a sheolfaidh sé táirgeadh cuimhne 128-Gbit 64-ciseal, a gheobhaidh tacaíocht, dála an scéil, ón teicneolaíocht Xtacking nuálaíoch céanna sin.
Mar a leanas ó thuarascálacha le déanaí, le déanaí ag fóram GSA Memory+, d'admhaigh Yangtze Memory CTO Tang Jiang go gcuirfear teicneolaíocht Xtacking 2.0 i láthair i mí Lúnasa. Ar an drochuair, níor roinn ceann teicniúil na cuideachta sonraí na forbartha nua, agus mar sin ní mór dúinn fanacht go dtí Lúnasa. De réir mar a léiríonn cleachtas san am atá caite, coinníonn an chuideachta rún go dtí an deireadh agus roimh thús Cruinniú Mullaigh Cuimhne Flash 2019, ní dócha go bhfoghlaimeoimid aon rud suimiúil faoi Xtacking 2.0.
Maidir leis an teicneolaíocht Xtacking féin, ba é a sprioc ná trí phointe: tionchar cinntitheach ar tháirgeadh 3D NAND agus táirgí atá bunaithe air. Is iad seo luas comhéadan sliseanna cuimhne flash, méadú ar dhlús taifeadta agus luas táirgí nua a thabhairt chuig an margadh. Ligeann teicneolaíocht Xtacking duit an ráta malairte a mhéadú leis an eagar cuimhne i sliseanna 3D NAND ó 1–1,4 Gbit/s (comhéadain ONFi 4.1 agus ToggleDDR) go 3 Gbit/s. De réir mar a fhásann cumas na sliseanna, méadóidh na ceanglais maidir le luas malairte, agus tá súil ag na Síne gurb iad an chéad cheann a dhéanfaidh cinn sa réimse seo.
Tá constaic eile ann maidir le dlús taifeadta a mhéadú - láithreacht ar an sliseanna 3D NAND de ní amháin eagar cuimhne, ach freisin rialú forimeallach agus ciorcaid cumhachta. Tógann na ciorcaid seo 20% go 30% den limistéar inúsáidte ó eagair chuimhne, agus tógfar 128% den dromchla sliseanna ó sceallóga 50-Gbit. I gcás teicneolaíocht Xtacking, déantar an t-eagar cuimhne a tháirgeadh ar a sliseanna féin, agus déantar na ciorcaid rialaithe a tháirgeadh ar cheann eile. Tá an criostail dírithe go hiomlán ar chealla cuimhne, agus tá ciorcaid rialaithe ag an gcéim dheireanach de thionól sliseanna ceangailte leis an gcriostal le cuimhne.
Ceadaíonn déantúsaíocht ar leithligh agus cóimeáil ina dhiaidh sin freisin d'fhorbairt níos tapúla ar sliseanna cuimhne saincheaptha agus táirgí saincheaptha a chuirtear le chéile cosúil le brící isteach sa chomhcheangal ceart. Ligeann an cur chuige seo dúinn forbairt sliseanna cuimhne saincheaptha a laghdú 3 mhí ar a laghad as am forbartha iomlán de 12 go 18 mí. Ciallaíonn solúbthacht níos mó suim níos airde do chustaiméirí, a theastaíonn ón monaróir óg Síneach mar aer.
Foinse: 3dnews.ru