Taighdeoirí ó SAM ячейку памяти, которая записывает данные за счёт механического смещения металлических слоёв толщиной в три атома. Такая ячейка памяти обещает высочайшую плотность записи и требует минимум энергии на её осуществление.
О разработке сообщила сводная группа учёных из лаборатории SLAC Стэнфордского университета, Калифорнийского университета в Беркли и Техасского университета A&M. Данные опубликованы в журнале .
Учёные провели серию экспериментов со стеками из 2D-металла под названием дителлурид вольфрама. Толщина каждого слоя 2D-металла в стопке составляла три атома, что обещает появление очень плотной записи по сравнению с ячейками памяти из кремния. Эксперименты выявили, что небольшая порция приложенной к стеку энергии вызывает скольжение (смещение) каждого нечётного слоя в стопке слоёв. Это происходит так быстро, что открытие может привести к созданию чрезвычайно производительной компьютерной памяти, информацию в которой можно хранить без поддержки питания (энергонезависимо).
Запись информации (нуля или единицы) происходит в процессе смещения слоя металла в стопке. Сдвиг слоя вызывает изменения в движении электронов в верхних и нижних слоях 2D-металлов по отношению к смещённому слою. Чтобы считать эту информацию, учёные предлагают задействовать квантовый эффект под названием . Это рождённый внутри материала магнитный поток, который возникает при движении заряжённых частиц внутри кристаллической решётки.
Судя по описанию эксперимента, память на сдвигаемых слоях в стеках 2D-металлов ― это очень и очень отдалённая перспектива. Но перспектива очень заманчивая, которая обещает 100-кратно ускорить запись данных для долговременного хранения. На этом пути предстоит сделать множество опытов и подобрать лучшее сочетание материалов.
Foinse:
Foinse: 3dnews.ru