De réir foinsí tionscail i Taiwan, a Acmhainn Idirlín DigiTimes, monaróir cuimhne na Síne Tá ChangXin Memory Technologies (CXMT) faoi lán seoil ag ullmhú línte le haghaidh olltáirgeadh cuimhne LPDDR4. Deirtear gur fhorbair ChangXin, ar a dtugtar Innotron Memory freisin, a phróiseas táirgthe DRAM féin ag baint úsáide as teicneolaíocht 19nm.
Le haghaidh táirgeadh tráchtála cuimhne ag a chéad fhiontar 300 mm, bhí ar ChangXin sa chéad leath de 2019. Faraoir, níor tharla sé seo go fóill. Ach beidh leathnú acmhainne go 8 míle sliseog sileacain 4-nm in aghaidh na míosa ag gabháil le tosú táirgeadh sliseanna 4-Gbit DDR20 LPDDR300. Sroicheann acmhainn uasta na línte ag an bhfiontar ChangXin 125 sliseog 300 mm in aghaidh na míosa. Ach ní hé seo an teorainn freisin. Dúirt an chuideachta go dtosóidh siad ag tógáil an dara gléasra an bhliain seo chugainn chun sliseog cuimhne 300mm a phróiseáil.
Ag an am céanna, féadfaidh an monaróir Síneach seo aghaidh a thabhairt ar fhadhbanna de chineál difriúil. Lig dúinn a mheabhrú gurb é Fujian Jinhua an chéad chuideachta Síneach a bhí chun tús a chur le táirgeadh mais DRAM cuimhne. Stáit Aontaithe Mheiriceá le toirmeasc ar threalamh táirgeachta a cheannach ó chomhpháirtithe Mheiriceá. I Taiwan, creideann siad go mbeidh na fadhbanna céanna ag ChangXin agus Fujian. Ina theannta sin, d'earcaigh sé innealtóirí cáilithe ó iar-fhochuideachta Taiwanese de chuid na Seapáine Elpida, a raibh a ngnó glactha ag Micron Mheiriceá. Tá anailísithe ag súil le héilimh i gcoinne ChangXin ó Micron agus smachtbhannaí mura bhfreagraíonn taobh na Síne.
Ag an am céanna, tá ChangXin ag forbairt próiseas teicniúil chun cuimhne a tháirgeadh le caighdeáin 17 nm. Táthar ag súil go gcuirfear an fhorbairt i gcrích in 2021. Is dócha, cuirfidh an dara gléasra ChangXin tús le hobair le táirgeadh criostail DRAM leis na caighdeáin seo. Mura rud é, ar ndóigh, is constaic dosháraithe iad smachtbhannaí na SA agus machinations Micron ar a bealach.
Foinse: 3dnews.ru