Recentemente, na sétima China Electronic Information Expo (CITE2019) en Shenzhen, demostrouse no stand de Tsinghua Unigroup a primeira unidade de estado sólido SSD P8260, ensamblada exclusivamente a partir de compoñentes chineses. Este é un SSD de calidade de servidor no que o controlador, o búfer DRAM e a matriz 3D NAND están deseñados e fabricados en China. Pois ben, China deu un paso máis e espera seguir este camiño para a independencia completa da memoria da produción estranxeira.
Calquera persoa que siga as noticias sobre o desenvolvemento e produción de memoria 3D NAND en China sabe que a produción de chips de memoria flash é realizada por unha empresa conxunta con Tsinghua, Yangtze River Storage Technology (YMTC). As unidades P8260 inclúen os primeiros produtos 32D NAND de 3 capas de 64 Gb de YMTC. A finais de ano, o fabricante comezará a producir chips NAND 128D de 64 Gbit de 3 capas, o que permitirá que YMTC estea dispoñible comercialmente, mentres a produción está en perda.
A memoria DRAM para o búfer SSD é producida pola filial de Tsinghua Guoxin Micro. Non se informa do tamaño do buffer. O controlador foi desenvolvido pola empresa chinesa Beijing Ziguang Storage Technology, que tamén está asociada con Tsinghua Unigroup.
O controlador e a unidade P8260 admiten o protocolo NVMe 1.2.1 e a interface PCI Express 3.0 x4. Anúnciase o soporte para 16 canles de memoria, o que promete un alto ancho de banda, pero tampouco se informan datos exactos sobre o rendemento do P8260. Para traballar co búfer DRAM, o procesador ten un controlador de memoria de dobre canle incorporado cun bus de 40 bits e soporte ECC. Preséntanse dúas versións do SSD P8260: cunha capacidade de 1 e 2 TB en formatos de tarxeta PCIe e unidade U.2.
Ademais das unidades P8260, o fabricante tamén mostrou SSD de consumo das familias P100 e S100. Non obstante, a compañía compra memoria 3D NAND para estes modelos aos socios. Un destes socios, por exemplo, é Intel.
Fonte: 3dnews.ru