investigadores estadounidenses unha célula de memoria que rexistra datos desprazando mecánicamente capas metálicas de tres átomos de grosor. Tal célula de memoria promete a maior densidade de gravación e require un mínimo de enerxía para a súa implementación.
O desenvolvemento foi informado por un grupo conxunto de científicos do laboratorio SLAC da Universidade de Stanford, a Universidade de California en Berkeley e a Universidade A&M de Texas. Datos publicados na revista .
Os científicos realizaron unha serie de experimentos con pilas dun metal 2D chamado ditelururo de wolframio. Cada capa de metal 2D da pila tiña tres átomos de grosor, o que prometía unha gravación moi densa en comparación coas células de memoria de silicio. Os experimentos revelaron que unha pequena cantidade de enerxía aplicada á pila provoca o deslizamento (desprazamento) de cada capa impar nunha pila de capas. Isto ocorre tan rápido que o descubrimento podería levar á creación dunha memoria de ordenador de alto rendemento, que pode almacenar información sen fonte de alimentación (non volátil).
A información de gravación (cero ou un) prodúcese no proceso de desprazamento dunha capa de metal nunha pila. O desprazamento da capa provoca cambios no movemento dos electróns nas capas superior e inferior dos metais 2D en relación coa capa desprazada. Para ler esta información, os científicos propoñen usar un efecto cuántico chamado . Este é un fluxo magnético xerado no interior do material, que se produce cando as partículas cargadas se moven no interior da rede cristalina.
A xulgar pola descrición do experimento, a memoria en capas desprazables en pilas de metais 2D é unha perspectiva moi, moi distante. Pero a perspectiva é moi tentadora, prometendo unha gravación de datos 100 veces máis rápida para almacenamento a longo prazo. No camiño, hai moitos experimentos por facer e a mellor combinación de materiais a seleccionar.
Fonte:
Fonte: 3dnews.ru