Os semicondutores de potencia levan as cousas a un nivel superior. En lugar de silicio, úsase nitruro de galio (GaN). Os inversores e fontes de alimentación GaN funcionan cunha eficiencia de ata o 99 %, proporcionando a maior eficiencia aos sistemas enerxéticos, desde as centrais eléctricas ata os sistemas de almacenamento e utilización de electricidade. Os líderes do novo mercado son empresas de EEUU, Europa e Xapón. Agora a esta zona a primeira empresa de China.
Recentemente, o fabricante chinés de gadgets ROCK lanzou o primeiro cargador que admite a carga rápida nun "chip chip". A solución xeralmente convencional baséase no conxunto de potencia GaN da serie InnoGaN de Inno Science. O chip está feito no factor de forma estándar DFN 8x8 para fontes de alimentación compactas.
O cargador ROCK 2C1AGaN de 65 W é máis compacto e máis funcional que o cargador PD de 61 W de Apple (comparación na foto superior). O cargador chinés pode cargar simultáneamente tres dispositivos mediante dúas interfaces USB tipo C e unha USB tipo A. No futuro, ROCK planea lanzar versións de cargadores rápidos cunha potencia de 100 e 120 W en conxuntos de GaN chineses. Ademais diso, outros 10 fabricantes chineses de cargadores e fontes de alimentación cooperan co fabricante de elementos de enerxía GaN, Inno Science.
A investigación de empresas chinesas e, en particular, da empresa Inno Science no campo dos compoñentes de enerxía GaN pretende levar á independencia de China de provedores estranxeiros de solucións similares. Inno Science ten o seu propio centro de desenvolvemento e laboratorio para un ciclo completo de solucións de proba. Pero o máis importante é que ten dúas liñas de produción para producir solucións de GaN en obleas de 200 mm. Para o mundo e mesmo para o mercado chinés, esta é unha pinga no océano. Pero hai que comezar por algún lado.
Fonte: 3dnews.ru