Li-Fi નું ભવિષ્ય: પોલેરિટોન, એક્સિટન્સ, ફોટોન અને થોડું ટંગસ્ટન ડિસલ્ફાઇડ

ઘણા વર્ષોથી, વિશ્વભરના વૈજ્ઞાનિકો બે વસ્તુઓ કરી રહ્યા છે - શોધ અને સુધારણા. અને કેટલીકવાર તે સ્પષ્ટ નથી હોતું કે કયું વધુ મુશ્કેલ છે. ઉદાહરણ તરીકે, સામાન્ય એલઈડી લો, જે આપણને એટલા સરળ અને સામાન્ય લાગે છે કે આપણે તેના પર ધ્યાન પણ આપતા નથી. પરંતુ જો તમે સ્વાદ માટે થોડા એક્સિટોન્સ, એક ચપટી પોલેરિટોન અને ટંગસ્ટન ડિસલ્ફાઇડ ઉમેરશો, તો એલઈડી હવે આટલા અસ્પષ્ટ રહેશે નહીં. આ તમામ અસ્પષ્ટ શબ્દો અત્યંત અસામાન્ય ઘટકોના નામ છે, જેનું સંયોજન ન્યુ યોર્કની સિટી કોલેજના વૈજ્ઞાનિકોને પ્રકાશનો ઉપયોગ કરીને અત્યંત ઝડપથી માહિતી પ્રસારિત કરવામાં સક્ષમ નવી સિસ્ટમ બનાવવાની મંજૂરી આપી હતી. આ વિકાસ Li-Fi ટેક્નોલોજીને સુધારવામાં મદદ કરશે. નવી ટેક્નોલોજીના કયા ચોક્કસ ઘટકોનો ઉપયોગ કરવામાં આવ્યો હતો, આ “ડીશ” માટેની રેસીપી શું છે અને નવા એક્સીટોન-પોલરિટોન એલઇડીની કાર્યક્ષમતા શું છે? વૈજ્ઞાનિકોનો રિપોર્ટ આ વિશે જણાવશે. જાઓ.

સંશોધનનો આધાર

જો આપણે દરેક વસ્તુને એક શબ્દમાં સરળ બનાવીએ, તો આ તકનીક પ્રકાશ છે અને તેની સાથે જોડાયેલી દરેક વસ્તુ છે. સૌપ્રથમ, ધ્રુવીય ધ્રુવીય, જે ઉદભવે છે જ્યારે ફોટોન માધ્યમની ઉત્તેજના સાથે ક્રિયાપ્રતિક્રિયા કરે છે. બીજું, એક્ઝિટન્સ એ ડાઇલેક્ટ્રિક, સેમિકન્ડક્ટર અથવા મેટલમાં ઇલેક્ટ્રોનિક ઉત્તેજના છે જે સમગ્ર સ્ફટિકમાં સ્થાનાંતરિત થાય છે અને ઇલેક્ટ્રિકલ ચાર્જ અને સમૂહના સ્થાનાંતરણ સાથે સંકળાયેલા નથી.

એ નોંધવું અગત્યનું છે કે આ ક્વાસિપાર્ટિકલ્સ ઠંડાને ખૂબ પ્રેમ કરે છે, એટલે કે. તેમની પ્રવૃત્તિ ફક્ત અત્યંત નીચા તાપમાને જ અવલોકન કરી શકાય છે, જે તેમના વ્યવહારુ ઉપયોગને મોટા પ્રમાણમાં મર્યાદિત કરે છે. પરંતુ તે પહેલા હતું. આ કાર્યમાં, વૈજ્ઞાનિકો તાપમાનની મર્યાદાને દૂર કરવામાં અને ઓરડાના તાપમાને તેનો ઉપયોગ કરવામાં સક્ષમ હતા.

પોલેરિટોન્સની મુખ્ય લાક્ષણિકતા એ ફોટોનને એકબીજા સાથે બાંધવાની ક્ષમતા છે. રુબિડિયમ અણુઓ સાથે અથડાતા ફોટોન દળ મેળવે છે. પુનરાવર્તિત અથડામણની પ્રક્રિયામાં, ફોટોન એકબીજાથી ઉછળે છે, પરંતુ ભાગ્યે જ કિસ્સાઓમાં તેઓ જોડી અને ત્રિપુટી બનાવે છે, જ્યારે રુબિડિયમ અણુ દ્વારા રજૂ કરાયેલા અણુ ઘટકને ગુમાવે છે.

પરંતુ પ્રકાશ સાથે કંઈક કરવા માટે, તમારે તેને પકડવાની જરૂર છે. આ માટે, ઓપ્ટિકલ રેઝોનેટરની જરૂર છે, જે પ્રતિબિંબીત તત્વોનો સમૂહ છે જે સ્થાયી પ્રકાશ તરંગ બનાવે છે.

આ અધ્યયનમાં, સૌથી મહત્વપૂર્ણ ભૂમિકા હજી પણ વધુ અસામાન્ય ક્વાસિપાર્ટિકલ્સ દ્વારા ભજવવામાં આવે છે - એક્ઝિટન-પોલેરિટોન્સ, જે ઓપ્ટિકલ કેવિટીમાં ફસાયેલા એક્સિટોન્સ અને ફોટોનના મજબૂત જોડાણને કારણે રચાય છે.

જો કે, આ પૂરતું નથી, કારણ કે ભૌતિક આધારની જરૂર છે, તેથી વાત કરવી. અને ટ્રાન્ઝિશન મેટલ ડિચાલ્કોજેનાઇડ (TMD) કરતાં વધુ સારી કોણ આ ભૂમિકા ભજવશે? વધુ સ્પષ્ટ રીતે, WS2 (ટંગસ્ટન ડિસલ્ફાઇડ) મોનોલેયરનો ઉપયોગ ઉત્સર્જન કરતી સામગ્રી તરીકે કરવામાં આવ્યો હતો, જેમાં પ્રભાવશાળી ઉત્તેજક બંધનકર્તા ઊર્જા હોય છે, જે સામગ્રીના આધારને પસંદ કરવા માટેના મુખ્ય માપદંડોમાંનું એક બની ગયું હતું.

ઉપર વર્ણવેલ તમામ તત્વોના સંયોજનથી ઓરડાના તાપમાને કાર્યરત ઇલેક્ટ્રિકલી નિયંત્રિત પોલેરિટોન એલઇડી બનાવવાનું શક્ય બન્યું.

આ ઉપકરણને સાકાર કરવા માટે, WS2 નું મોનોલેયર ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે કામ કરતા ગ્રાફીન સ્તરો સાથે પાતળા હેક્સાગોનલ બોરોન નાઇટ્રાઇડ (hBN) ટનલ અવરોધો વચ્ચે સેન્ડવીચ કરવામાં આવે છે.

સંશોધન પરિણામો

ડબલ્યુએસ2, સંક્રમણ મેટલ ડિચાલ્કોજેનાઇડ હોવાને કારણે, એટોમિક રીતે પાતળી વેન ડેર વાલ્સ (vdW) સામગ્રી પણ છે. આ તેના અનન્ય વિદ્યુત, ઓપ્ટિકલ, યાંત્રિક અને થર્મલ ગુણધર્મોને બોલે છે.

અન્ય વીડીડબ્લ્યુ સામગ્રીઓ, જેમ કે ગ્રાફીન (વાહક તરીકે) અને હેક્સાગોનલ બોરોન નાઈટ્રાઈડ (એચબીએન, ઇન્સ્યુલેટર તરીકે) સાથે સંયોજનમાં, ઇલેક્ટ્રિકલી નિયંત્રિત સેમિકન્ડક્ટર ઉપકરણોના સંપૂર્ણ યજમાન, જેમાં એલઈડીનો સમાવેશ થાય છે, સાકાર કરી શકાય છે. સંશોધકો ખુલ્લેઆમ જણાવે છે તેમ, વેન ડેર વાલ્સ સામગ્રી અને ધ્રુવીય પદાર્થોના સમાન સંયોજનો પહેલાથી જ અનુભવાઈ ચૂક્યા છે. જો કે, અગાઉના કાર્યોમાં, પરિણામી પ્રણાલીઓ જટિલ અને અપૂર્ણ હતી, અને દરેક ઘટકની સંપૂર્ણ સંભાવનાને જાહેર કરતી ન હતી.

પુરોગામી દ્વારા પ્રેરિત વિચારોમાંનો એક દ્વિ-પરિમાણીય સામગ્રી પ્લેટફોર્મનો ઉપયોગ હતો. આ કિસ્સામાં, પરમાણુ રૂપે પાતળા ઉત્સર્જન સ્તરોવાળા ઉપકરણોને સાકાર કરવું શક્ય છે, જેને સંપર્કો (ગ્રાફીન) અને ટનલ અવરોધો (hBN) તરીકે કામ કરતી અન્ય vdW સામગ્રી સાથે સંકલિત કરી શકાય છે. વધુમાં, આવી દ્વિ-પરિમાણીયતા પોલેરિટોન LEDs ને vdW સામગ્રી સાથે જોડવાનું શક્ય બનાવે છે જેમાં અસામાન્ય ચુંબકીય ગુણધર્મો, મજબૂત સુપરકન્ડક્ટિવિટી અને/અથવા બિન-માનક ટોપોલોજીકલ ટ્રાન્સફર હોય છે. આવા સંયોજનના પરિણામે, એક સંપૂર્ણપણે નવા પ્રકારનું ઉપકરણ મેળવી શકાય છે, જેનાં ગુણધર્મો તદ્દન અસામાન્ય હોઈ શકે છે. પરંતુ, વૈજ્ઞાનિકો કહે છે તેમ, આ બીજા અભ્યાસ માટેનો વિષય છે.

છબી #1

છબી પર 1 એક ઉપકરણનું ત્રિ-પરિમાણીય મોડેલ બતાવે છે જે લેયર કેક જેવું લાગે છે. ઓપ્ટિકલ રેઝોનેટરનો ઉપરનો અરીસો ચાંદીનો એક સ્તર છે, અને નીચેનો અરીસો 12-સ્તર વિતરિત છે. બ્રેગ રિફ્લેક્ટર*. સક્રિય પ્રદેશમાં ટનલ ઝોન છે.

વિતરિત બ્રેગ રિફ્લેક્ટર* - અનેક સ્તરોનું માળખું જેમાં સામગ્રીનો રીફ્રેક્ટિવ ઇન્ડેક્સ સમયાંતરે સ્તરો પર લંબરૂપ બદલાય છે.

ટનલ ઝોનમાં WS2 મોનોલેયર (પ્રકાશ ઉત્સર્જક), મોનોલેયર (ટનલ અવરોધ) અને ગ્રાફીન (ઇલેક્ટ્રોન અને છિદ્રો રજૂ કરવા માટે પારદર્શક ઇલેક્ટ્રોડ્સ) ની બંને બાજુએ hBN ના પાતળા સ્તરોનો સમાવેશ કરતી vdW હેટરોસ્ટ્રક્ચરનો સમાવેશ થાય છે.

ઓસિલેટરની એકંદર મજબૂતાઈ વધારવા અને તેથી ધ્રુવીય રાજ્યોના વધુ સ્પષ્ટ રબી વિભાજન ઉત્પન્ન કરવા માટે WS2 ના વધુ બે સ્તરો ઉમેરવામાં આવ્યા હતા.

રિઝોનેટરના ઓપરેટિંગ મોડને PMMA સ્તર (પોલીમેથિલ મેથાક્રીલેટ, એટલે કે પ્લેક્સિગ્લાસ) ની જાડાઈ બદલીને ગોઠવવામાં આવે છે.

છબી છબી 1b આ વિતરિત બ્રેગ રિફ્લેક્ટરની સપાટી પર vdW હેટરોસ્ટ્રક્ચરનો સ્નેપશોટ છે. ડિસ્ટ્રિબ્યુટેડ બ્રેગ રિફ્લેક્ટરની ઉચ્ચ પરાવર્તકતાને કારણે, જે નીચેનું સ્તર છે, ઇમેજમાં ટનલ ઝોનમાં ખૂબ જ નીચું રિફ્લેક્ટન્સ કોન્ટ્રાસ્ટ છે, પરિણામે માત્ર ટોચનું જાડું hBN સ્તર જોવા મળે છે.

ગ્રાફ 1c ડિસ્પ્લેસમેન્ટ હેઠળ ટનલ ભૂમિતિમાં હેટરોસ્ટ્રક્ચરના vdW ઝોન ડાયાગ્રામનું પ્રતિનિધિત્વ કરે છે. ઇલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસેન્સ (EL) થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજની ઉપર જોવા મળે છે જ્યારે ટોચ (નીચે) ગ્રાફીનનું ફર્મી સ્તર WS2 ના વહન (સંયોજક) બેન્ડની ઉપર (નીચે) ખસેડવામાં આવે છે, જે ઇલેક્ટ્રોન (છિદ્ર)ને વહન (સંયોજકતા) માં ટનલ કરવાની મંજૂરી આપે છે. WS2 નું બેન્ડ. આ અનુગામી રેડિયેટિવ (રેડિએટીવ) ઇલેક્ટ્રોન-હોલ રિકોમ્બિનેશન સાથે WS2 સ્તરમાં એક્ઝિટન્સની રચના માટે અનુકૂળ પરિસ્થિતિઓ બનાવે છે.

pn જંકશન લાઇટ એમિટર્સથી વિપરીત, જેને ઓપરેટ કરવા માટે ડોપિંગની જરૂર પડે છે, ટનલ ડિવાઈસમાંથી EL સંપૂર્ણપણે ટનલ કરંટ પર આધાર રાખે છે, જે ઓપ્ટિકલ નુકસાનને ટાળે છે અને તાપમાનના ફેરફારોને કારણે પ્રતિકારકતામાં થતા કોઈપણ ફેરફારોને ટાળે છે. તે જ સમયે, ટનલ આર્કિટેક્ચર pn જંકશન પર આધારિત ડિચાલ્કોજેનાઇડ ઉપકરણોની તુલનામાં ખૂબ મોટા ઉત્સર્જન ક્ષેત્ર માટે પરવાનગી આપે છે.

છબી છબી 1d ટનલીંગ વર્તમાન ઘનતાની વિદ્યુત લાક્ષણિકતાઓ દર્શાવે છે (J) બાયસ વોલ્ટેજના કાર્ય તરીકે (V) ગ્રાફીન ઇલેક્ટ્રોડ વચ્ચે. સકારાત્મક અને નકારાત્મક બંને વોલ્ટેજ માટે વર્તમાનમાં તીવ્ર વધારો એ બંધારણ દ્વારા ટનલિંગ કરંટની ઘટના સૂચવે છે. hBN સ્તરો (~2 nm) ની શ્રેષ્ઠ જાડાઈ પર, નોંધપાત્ર ટનલિંગ પ્રવાહ અને રેડિયેટિવ રિકોમ્બિનેશન માટે એમ્બેડેડ કેરિયર્સના જીવનકાળમાં વધારો જોવા મળે છે.

ઇલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસેન્સ પ્રયોગ હાથ ધરતા પહેલા, મજબૂત એક્સિટોનિક કપલિંગની હાજરીની પુષ્ટિ કરવા માટે ઉપકરણ એંગલ-રિઝોલ્વ્ડ વ્હાઇટ લાઇટ રિફ્લેક્ટન્સ દ્વારા દર્શાવવામાં આવ્યું હતું.

છબી #2

છબી પર 2 ઉપકરણના સક્રિય પ્રદેશમાંથી એન્ગલ-રિઝોલ્વ્ડ રિફ્લેક્ટન્સ સ્પેક્ટ્રા બતાવવામાં આવે છે, જે વિરોધી ક્રોસિંગ વર્તન દર્શાવે છે. બિન-રેઝોનન્ટ ઉત્તેજના (460 nm) હેઠળ પણ ફોટોલુમિનેસેન્સ (PL) જોવામાં આવ્યું હતું, જે નીચલા પોલેરિટોન શાખામાંથી તીવ્ર ઉત્સર્જન અને ઉપલા પોલેરિટન શાખામાંથી નબળું ઉત્સર્જન દર્શાવે છે.2b).

માં 2c 0.1 μA/μm2 ના ઇન્જેક્શન દરે પોલેરિટોન ઇલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસેન્સનું વિક્ષેપ દર્શાવે છે. EL પ્રયોગમાં ઓસિલેટર મોડ્સ (સોલિડ અને ડેશ્ડ વ્હાઇટ લાઇન) ફીટ કરીને મેળવેલ રબી સ્પ્લિટિંગ અને કેવિટી ડિટ્યુનિંગ અનુક્રમે ～33 meV અને ～-13 meV છે. કેવિટી ડિટ્યુનિંગને δ = Ec − Ex તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે, જ્યાં Ex એ એક્સિટન એનર્જી છે અને Ec એ ઇન-પ્લેન ઝીરો-મોમેન્ટમ કેવિટી ફોટોન એનર્જી દર્શાવે છે. અનુસૂચિ 2d આ ઈલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસન્ટ વિક્ષેપથી જુદા જુદા ખૂણા પર કાપ છે. અહીં, એક્સિટન રેઝોનન્સ ઝોનમાં બનતા એન્ટિક્રોસિંગ સાથે ઉપલા અને નીચલા પોલેરિટોન મોડ્સનું વિક્ષેપ સ્પષ્ટપણે દૃશ્યમાન છે.

છબી #3

જેમ જેમ ટનલીંગ કરંટ વધે છે તેમ, એકંદર EL ની તીવ્રતા વધે છે. થ્રેશોલ્ડ શિફ્ટ (3), જ્યારે થ્રેશોલ્ડની ઉપર પૂરતા પ્રમાણમાં મોટા વિસ્થાપન પર, પોલેરિટોન ઉત્સર્જન અલગ બને છે (3b).

છબી પર 3c કોણના કાર્ય તરીકે EL તીવ્રતાનો ધ્રુવીય પ્લોટ બતાવે છે, જે ±15° ના સાંકડા ઉત્સર્જન શંકુને દર્શાવે છે. ન્યૂનતમ (લીલો વળાંક) અને મહત્તમ (નારંગી વળાંક) ઉત્તેજના પ્રવાહ બંને માટે રેડિયેશન પેટર્ન વર્ચ્યુઅલ રીતે યથાવત રહે છે. ચાલુ 3d વિવિધ મૂવિંગ ટનલ પ્રવાહો માટે સંકલિત તીવ્રતા દર્શાવે છે, જે ગ્રાફ પરથી જોઈ શકાય છે, તે તદ્દન રેખીય છે. તેથી, વર્તમાનને ઉચ્ચ મૂલ્યો સુધી વધારવાથી નીચલી શાખા સાથે ધ્રુવીયના સફળ વેરવિખેર થઈ શકે છે અને પોલેરિટોન જનરેશનને કારણે અત્યંત સાંકડી ઉત્સર્જન પેટર્ન બનાવી શકે છે. જો કે, આ પ્રયોગમાં hBN ટનલ અવરોધના ડાઇલેક્ટ્રિક બ્રેકડાઉન સાથે સંકળાયેલ મર્યાદાને કારણે આ પ્રાપ્ત કરવું શક્ય ન હતું.

લાલ ટપકાં ચાલુ 3d અન્ય સૂચકનું માપ બતાવો - બાહ્ય ક્વોન્ટમ કાર્યક્ષમતા*.

ક્વોન્ટમ કાર્યક્ષમતા* — ફોટોનની સંખ્યાનો ગુણોત્તર, જેનું શોષણ ક્વાસિપાર્ટિકલ્સની રચનાનું કારણ બને છે, શોષિત ફોટોનની કુલ સંખ્યા.

અવલોકન કરેલ ક્વોન્ટમ કાર્યક્ષમતા અન્ય પોલેરીટોન એલઇડી (કાર્બન ટ્યુબ, વગેરે પર આધારિત) સાથે તુલનાત્મક છે. તે નોંધવું યોગ્ય છે કે અભ્યાસ હેઠળના ઉપકરણમાં પ્રકાશ-ઉત્સર્જન સ્તરની જાડાઈ માત્ર 0.7 એનએમ છે, જ્યારે અન્ય ઉપકરણોમાં આ મૂલ્ય ઘણું વધારે છે. વૈજ્ઞાનિકો એ હકીકતને છુપાવતા નથી કે તેમના ઉપકરણની ક્વોન્ટમ કાર્યક્ષમતા સૌથી વધુ નથી, પરંતુ તેને hBN ના પાતળા સ્તરો દ્વારા અલગ કરાયેલ ટનલ ઝોનની અંદર મોટી સંખ્યામાં મોનોલેયર મૂકીને વધારી શકાય છે.

સંશોધકોએ અન્ય ઉપકરણ બનાવીને પોલેરિટોન EL પર રિઝોનેટર ડિટ્યુનિંગની અસરનું પણ પરીક્ષણ કર્યું, પરંતુ વધુ મજબૂત ડિટ્યુનિંગ (-43 meV) સાથે.

છબી #4

છબી પર 4 આવા ઉપકરણના કોણીય રીઝોલ્યુશન સાથે EL સ્પેક્ટ્રા 0.2 μA/μm2 ની વર્તમાન ઘનતા પર બતાવવામાં આવે છે. મજબૂત ડિટ્યુનિંગને લીધે, ઉપકરણ EL માં ઉચ્ચારણ અવરોધ અસર દર્શાવે છે જેમાં મહત્તમ ઉત્સર્જન મોટા ખૂણા પર થાય છે. આ તસવીરમાં વધુ પુષ્ટિ મળી છે 4b, જ્યાં આ ઉપકરણના ધ્રુવીય આલેખની તુલના પ્રથમ સાથે કરવામાં આવે છે (2c).

અભ્યાસની ઘોંઘાટ સાથે વધુ વિગતવાર પરિચય માટે, હું જોવાની ભલામણ કરું છું વૈજ્ઞાનિકો અહેવાલ આપે છે.

ઉપસંહાર

આમ, ઉપર વર્ણવેલ તમામ અવલોકનો અને માપો ઓપ્ટિકલ માઇક્રોકેવિટીમાં બનેલા vdW હેટરોસ્ટ્રક્ચરમાં પોલેરિટોન ઇલેક્ટ્રોલ્યુમિનેસેન્સની હાજરીની પુષ્ટિ કરે છે. અભ્યાસ હેઠળના ઉપકરણનું ટનલ આર્કિટેક્ચર WS2 મોનોલેયરમાં ઇલેક્ટ્રોન/છિદ્રો અને પુનઃસંયોજનની રજૂઆતને સુનિશ્ચિત કરે છે, જે પ્રકાશ ઉત્સર્જક તરીકે સેવા આપે છે. તે મહત્વનું છે કે ઉપકરણની ટનલ મિકેનિઝમને ઘટકોના મિશ્રણની જરૂર નથી, જે નુકસાન અને તાપમાન સંબંધિત વિવિધ ફેરફારોને ઘટાડે છે.

એવું જાણવા મળ્યું હતું કે રેઝોનેટરના વિખેરીને કારણે EL ની ઊંચી ડાયરેક્ટિવિટી છે. તેથી, પોલાણની ગુણવત્તા પરિબળ અને ઉચ્ચ વર્તમાન ડિલિવરી સુધારવાથી માઇક્રોકેવિટી LEDs, તેમજ ઇલેક્ટ્રિકલી નિયંત્રિત માઇક્રોકેવિટી પોલેરિટોન અને ફોટોનિક લેસરોની કાર્યક્ષમતામાં સુધારો થશે.

આ કાર્યે ફરી એકવાર પુષ્ટિ કરી છે કે ટ્રાન્ઝિશન મેટલ ડિચાલ્કોજેનાઇડ્સ ખરેખર અનન્ય ગુણધર્મો ધરાવે છે અને એપ્લિકેશનની વિશાળ શ્રેણી ધરાવે છે.

આવા સંશોધન અને નવીન શોધો LEDs અને પ્રકાશનો ઉપયોગ કરીને ડેટા ટ્રાન્સમિશન ટેક્નોલોજીના વિકાસ અને પ્રસારને ખૂબ પ્રભાવિત કરી શકે છે. આવી ભવિષ્યવાદી તકનીકોમાં Li-Fi નો સમાવેશ થાય છે, જે હાલમાં ઉપલબ્ધ Wi-Fi કરતાં નોંધપાત્ર રીતે વધુ ઝડપ પ્રદાન કરી શકે છે.

તમારા ધ્યાન બદલ આભાર, ઉત્સુક રહો અને દરેકનું અઠવાડિયું સરસ રહે! 🙂

અમારી સાથે રહેવા બદલ આભાર. શું તમને અમારા લેખો ગમે છે? વધુ રસપ્રદ સામગ્રી જોવા માંગો છો? ઓર્ડર આપીને અથવા મિત્રોને ભલામણ કરીને અમને ટેકો આપો, એન્ટ્રી-લેવલ સર્વર્સના અનન્ય એનાલોગ પર Habr વપરાશકર્તાઓ માટે 30% ડિસ્કાઉન્ટ, જેની શોધ અમારા દ્વારા તમારા માટે કરવામાં આવી હતી: VPS (KVM) E5-2650 v4 (6 Cores) 10GB DDR4 240GB SSD 1Gbps વિશેનું સંપૂર્ણ સત્ય $20 થી અથવા સર્વર કેવી રીતે શેર કરવું? (RAID1 અને RAID10 સાથે ઉપલબ્ધ, 24 કોરો સુધી અને 40GB DDR4 સુધી).

ડેલ R730xd 2 ગણું સસ્તું? માત્ર અહીં 2 x ઇન્ટેલ ટેટ્રાડેકા-કોર Xeon 2x E5-2697v3 2.6GHz 14C 64GB DDR4 4x960GB SSD 1Gbps 100 ટીવી $199 થી નેધરલેન્ડમાં! Dell R420 - 2x E5-2430 2.2Ghz 6C 128GB DDR3 2x960GB SSD 1Gbps 100TB - $99 થી! વિશે વાંચો ઇન્ફ્રાસ્ટ્રક્ચર કોર્પોરેશન કેવી રીતે બનાવવું. ડેલ R730xd E5-2650 v4 સર્વર્સના ઉપયોગ સાથેનો વર્ગ એક પેની માટે 9000 યુરોના મૂલ્યના છે?

સોર્સ: www.habr.com