અમેરિકન લેસરો બેલ્જિયન વૈજ્ઞાનિકોને 3-એનએમ પ્રોસેસ ટેક્નોલોજી અને તેનાથી આગળની પ્રગતિમાં મદદ કરશે

IEEE સ્પેક્ટ્રમની વેબસાઇટ અનુસાર, ફેબ્રુઆરીના અંતથી માર્ચની શરૂઆત સુધી, બેલ્જિયન ઇમેક સેન્ટર ખાતે અમેરિકન કંપની KMLabs સાથે મળીને EUV રેડિયેશનના પ્રભાવ હેઠળ સેમિકન્ડક્ટર ફોટોલિથોગ્રાફીની સમસ્યાઓનો અભ્યાસ કરવા માટે એક પ્રયોગશાળા બનાવવામાં આવી હતી (અલ્ટ્રા- સખત અલ્ટ્રાવાયોલેટ શ્રેણી). એવું લાગે છે કે, અહીં ભણવાનું શું છે? ના, અભ્યાસનો વિષય છે, પણ આ માટે નવી લેબોરેટરી શા માટે સ્થાપવી? સેમસંગે છ મહિના પહેલા EUV સ્કેનરના આંશિક ઉપયોગ સાથે 7nm ચિપ્સનું ઉત્પાદન કરવાનું શરૂ કર્યું. TSMC ટૂંક સમયમાં આ પ્રયાસમાં જોડાશે. વર્ષના અંત સુધીમાં, તે બંને 5 nm અને તેથી વધુના ધોરણો સાથે જોખમી ઉત્પાદન શરૂ કરશે. અને તેમ છતાં ત્યાં સમસ્યાઓ છે, અને તે એટલા ગંભીર છે કે પ્રશ્નોના જવાબો પ્રયોગશાળાઓમાં શોધવા જોઈએ, ઉત્પાદનમાં નહીં.

EUV લિથોગ્રાફીમાં મુખ્ય સમસ્યા આજે ફોટોરેસિસ્ટની ગુણવત્તા છે. EUV કિરણોત્સર્ગનો સ્ત્રોત પ્લાઝ્મા છે, લેસર નથી, જેમ કે જૂના 193 nm સ્કેનર્સનો કેસ છે. લેસર વાયુયુક્ત વાતાવરણમાં લીડના એક ટીપાને બાષ્પીભવન કરે છે અને પરિણામી કિરણોત્સર્ગ ફોટોનનું ઉત્સર્જન કરે છે, જેની ઉર્જા અલ્ટ્રાવાયોલેટ કિરણોત્સર્ગવાળા સ્કેનરમાં ફોટોનની ઊર્જા કરતાં 14 ગણી વધારે છે. પરિણામે, ફોટોરોસિસ્ટ માત્ર તે સ્થળોએ જ નાશ પામતો નથી જ્યાં તે ફોટોન દ્વારા બોમ્બમારો કરવામાં આવે છે, પરંતુ કહેવાતા અપૂર્ણાંક અવાજની અસરને કારણે પણ રેન્ડમ ભૂલો થાય છે. ફોટોનની ઊર્જા ખૂબ વધારે છે. EUV સ્કેનર્સ સાથેના પ્રયોગો દર્શાવે છે કે 7 nm સર્કિટના ઉત્પાદનના કિસ્સામાં, ફોટોરેસિસ્ટ, જે હજુ પણ 5 nm ધોરણો સાથે કામ કરવામાં સક્ષમ છે, તે ગંભીર રીતે ઉચ્ચ સ્તરની ખામી દર્શાવે છે. સમસ્યા એટલી ગંભીર છે કે ઘણા નિષ્ણાતો 5 nm પ્રક્રિયા તકનીકના ઝડપી સફળ પ્રક્ષેપણમાં માનતા નથી, 3 nm અને નીચે સંક્રમણનો ઉલ્લેખ કરતા નથી.

ફોટોરેસિસ્ટની નવી પેઢી બનાવવાની સમસ્યાને Imec અને KMLabsની સંયુક્ત પ્રયોગશાળામાં ઉકેલવાનો પ્રયાસ કરવામાં આવશે. અને તેઓ તેને વૈજ્ઞાનિક અભિગમના દૃષ્ટિકોણથી હલ કરશે, અને રીએજન્ટ્સ પસંદ કરીને નહીં, જેમ કે છેલ્લા ત્રીસ-વિષમ વર્ષોમાં કરવામાં આવ્યું છે. આ કરવા માટે, વૈજ્ઞાનિક ભાગીદારો ફોટોરેસિસ્ટમાં ભૌતિક અને રાસાયણિક પ્રક્રિયાઓના વિગતવાર અભ્યાસ માટે એક સાધન બનાવશે. સામાન્ય રીતે, સિંક્રોટ્રોનનો ઉપયોગ મોલેક્યુલર સ્તરે પ્રક્રિયાઓનો અભ્યાસ કરવા માટે થાય છે, પરંતુ Imec અને KMLabs ઇન્ફ્રારેડ લેસરોના આધારે EUV પ્રોજેક્શન અને માપન સાધનો બનાવવાનું આયોજન કરી રહ્યા છે. KMLabs લેસર સિસ્ટમમાં નિષ્ણાત છે.

 

KMLabs લેસર ઇન્સ્ટોલેશનના આધારે, ઉચ્ચ ક્રમના હાર્મોનિક્સ જનરેટ કરવા માટે એક પ્લેટફોર્મ બનાવવામાં આવશે. સામાન્ય રીતે, આ હેતુ માટે, ઉચ્ચ-તીવ્રતાવાળા લેસર પલ્સને વાયુયુક્ત માધ્યમમાં નિર્દેશિત કરવામાં આવે છે જેમાં નિર્દેશિત પલ્સનું ખૂબ જ ઉચ્ચ આવર્તન હાર્મોનિક્સ ઉદ્ભવે છે. આવા રૂપાંતરણ સાથે, શક્તિનું નોંધપાત્ર નુકસાન થાય છે, તેથી EUV રેડિયેશન ઉત્પન્ન કરવાના સમાન સિદ્ધાંતનો ઉપયોગ સેમિકન્ડક્ટર લિથોગ્રાફી માટે સીધો થઈ શકતો નથી. પરંતુ આ પ્રયોગો માટે પૂરતું છે. સૌથી અગત્યનું, પરિણામી કિરણોત્સર્ગને પિકોસેકન્ડ્સ (10-12) થી એટોસેકન્ડ્સ (10-18) સુધીના પલ્સ અવધિ દ્વારા અને 6,5 nm થી 47 nm સુધીની તરંગલંબાઇ દ્વારા બંનેને નિયંત્રિત કરી શકાય છે. માપવાના સાધન માટે આ મૂલ્યવાન ગુણો છે. તેઓ ફોટોરેસિસ્ટ, આયનીકરણ પ્રક્રિયાઓ અને ઉચ્ચ-ઊર્જાવાળા ફોટોનના સંપર્કમાં અતિ-ફાસ્ટ મોલેક્યુલર ફેરફારોની પ્રક્રિયાઓનો અભ્યાસ કરવામાં મદદ કરશે. આ વિના, 3 અને તે પણ 5 nm કરતાં ઓછા ધોરણો સાથે ઔદ્યોગિક ફોટોલિથોગ્રાફી પ્રશ્નમાં રહે છે.

સોર્સ: 3dnews.ru