Xtacking ટેકનોલોજીનું બીજું વર્ઝન ચાઈનીઝ 3D NAND માટે તૈયાર કરવામાં આવ્યું છે

કેવી રીતે અહેવાલ ચાઇનીઝ સમાચાર એજન્સીઓ, યાંગ્ત્ઝે મેમરી ટેક્નોલોજીસ (YMTC) એ તેની માલિકીની Xtacking ટેક્નોલોજીનું બીજું સંસ્કરણ મલ્ટિ-લેયર 3D NAND ફ્લેશ મેમરીના ઉત્પાદનને ઑપ્ટિમાઇઝ કરવા માટે તૈયાર કર્યું છે. અમને યાદ છે કે Xtacking ટેક્નોલોજી, ગયા વર્ષે ઓગસ્ટમાં વાર્ષિક ફ્લેશ મેમરી સમિટ ફોરમમાં રજૂ કરવામાં આવી હતી અને તેને "ફ્લેશ મેમરીના ક્ષેત્રમાં સૌથી નવીન સ્ટાર્ટઅપ" શ્રેણીમાં એવોર્ડ પણ મળ્યો હતો.

અલબત્ત, મલ્ટિબિલિયન-ડોલરના બજેટ સાથેના એન્ટરપ્રાઇઝને સ્ટાર્ટઅપ કહેવું સ્પષ્ટપણે કંપનીને ઓછો અંદાજ આપે છે, પરંતુ, ચાલો પ્રમાણિક રહીએ, YMTC હજુ સુધી મોટા પ્રમાણમાં ઉત્પાદનોનું ઉત્પાદન કરતું નથી. કંપની આ વર્ષના અંતની નજીક 3D NAND ના સામૂહિક વ્યાપારી પુરવઠા તરફ આગળ વધશે જ્યારે તે 128-Gbit 64-લેયર મેમરીનું ઉત્પાદન શરૂ કરશે, જે રીતે, તે જ નવીન Xtacking ટેક્નોલોજી દ્વારા સપોર્ટેડ હશે.

તાજેતરના અહેવાલો પરથી નીચે મુજબ, તાજેતરમાં જ GSA મેમરી+ ફોરમમાં, Yangtze Memory CTO Tang Jiang એ સ્વીકાર્યું કે Xtacking 2.0 ટેક્નોલોજી ઓગસ્ટમાં રજૂ કરવામાં આવશે. કમનસીબે, કંપનીના તકનીકી વડાએ નવા વિકાસની વિગતો શેર કરી નથી, તેથી અમારે ઓગસ્ટ સુધી રાહ જોવી પડશે. ભૂતકાળની પ્રેક્ટિસ બતાવે છે તેમ, કંપની અંત સુધી ગુપ્ત રાખે છે અને ફ્લેશ મેમરી સમિટ 2019 ની શરૂઆત પહેલાં, અમે Xtacking 2.0 વિશે કંઈપણ રસપ્રદ શીખવાની શક્યતા નથી.

Xtacking ટેક્નોલોજીની વાત કરીએ તો, તેનો ધ્યેય ત્રણ પોઇન્ટ હતો: રેન્ડર 3D NAND અને તેના પર આધારિત ઉત્પાદનોના ઉત્પાદન પર નિર્ણાયક પ્રભાવ. આ ફ્લેશ મેમરી ચિપ્સના ઇન્ટરફેસની ઝડપ, રેકોર્ડિંગ ઘનતામાં વધારો અને બજારમાં નવા ઉત્પાદનો લાવવાની ઝડપ છે. Xtacking ટેકનોલોજી તમને 3D NAND ચિપ્સમાં મેમરી એરે સાથે વિનિમય દરને 1–1,4 Gbit/s (ONFi 4.1 અને ToggleDDR ઇન્ટરફેસ) થી 3 Gbit/s સુધી વધારવાની મંજૂરી આપે છે. જેમ જેમ ચિપ્સની ક્ષમતા વધશે તેમ, વિનિમય ગતિ માટેની આવશ્યકતાઓ વધશે, અને ચાઇનીઝ આશા રાખે છે કે તે આ ક્ષેત્રમાં પ્રથમ સફળતા મેળવશે.

રેકોર્ડિંગ ડેન્સિટી વધારવામાં બીજો અવરોધ છે - માત્ર મેમરી એરેની 3D NAND ચિપ પરની હાજરી, પણ પેરિફેરલ કંટ્રોલ અને પાવર સર્કિટ પણ. આ સર્કિટ મેમરી એરેમાંથી 20% થી 30% ઉપયોગ કરી શકાય તેવા વિસ્તારને દૂર કરે છે, અને 128% ચિપ સપાટીને 50-Gbit ચિપ્સથી દૂર કરવામાં આવશે. Xtacking ટેક્નોલોજીના કિસ્સામાં, મેમરી એરે તેની પોતાની ચિપ પર ઉત્પન્ન થાય છે, અને કંટ્રોલ સર્કિટ બીજા પર ઉત્પન્ન થાય છે. સ્ફટિક સંપૂર્ણપણે મેમરી કોષોને સમર્પિત છે, અને ચિપ એસેમ્બલીના અંતિમ તબક્કે નિયંત્રણ સર્કિટ મેમરી સાથે સ્ફટિક સાથે જોડાયેલ છે.

અલગ ઉત્પાદન અને અનુગામી એસેમ્બલી પણ કસ્ટમ મેમરી ચિપ્સ અને કસ્ટમ ઉત્પાદનોના ઝડપી વિકાસ માટે પરવાનગી આપે છે જે યોગ્ય સંયોજનમાં ઇંટોની જેમ એસેમ્બલ થાય છે. આ અભિગમ અમને 3 થી 12 મહિનાના કુલ વિકાસ સમયમાંથી ઓછામાં ઓછા 18 મહિના સુધી કસ્ટમ મેમરી ચિપ્સના વિકાસને ઘટાડવાની મંજૂરી આપે છે. વધુ લવચીકતાનો અર્થ થાય છે ઉચ્ચ ગ્રાહક રસ, જે યુવાન ચાઇનીઝ ઉત્પાદકને હવાની જેમ જરૂરી છે.

સોર્સ: 3dnews.ru