સેમસંગમાં, દરેક નેનોમીટરની ગણતરી થાય છે: 7 એનએમ પછી 6-, 5-, 4- અને 3-એનએમ તકનીકી પ્રક્રિયાઓ થશે

આજે સેમસંગ ઇલેક્ટ્રોનિક્સ અહેવાલ સેમિકન્ડક્ટર્સના ઉત્પાદન માટે તકનીકી પ્રક્રિયાઓના વિકાસ માટેની યોજનાઓ વિશે. કંપની પેટન્ટેડ MBCFET ટ્રાન્ઝિસ્ટર પર આધારિત પ્રાયોગિક 3-nm ચિપ્સના ડિજિટલ પ્રોજેક્ટની રચનાને મુખ્ય વર્તમાન સિદ્ધિ માને છે. આ વર્ટિકલ FET ગેટ (મલ્ટી-બ્રિજ-ચેનલ FET) માં બહુવિધ હોરીઝોન્ટલ નેનોપેજ ચેનલો સાથે ટ્રાન્ઝિસ્ટર છે.

IBM સાથે જોડાણના ભાગ રૂપે, સેમસંગે ટ્રાન્ઝિસ્ટરના ઉત્પાદન માટે થોડી અલગ ટેક્નોલોજી વિકસાવી છે જેમાં ચેનલો સંપૂર્ણપણે દરવાજાથી ઘેરાયેલી છે (GAA અથવા ગેટ-ઓલ-અરાઉન્ડ). ચેનલોને નેનોવાઈરના રૂપમાં પાતળી બનાવવાની હતી. ત્યારબાદ, સેમસંગ આ સ્કીમથી દૂર ખસી ગયું અને નેનોપેજના રૂપમાં ચેનલો સાથે ટ્રાન્ઝિસ્ટર સ્ટ્રક્ચર પેટન્ટ કર્યું. આ માળખું તમને પૃષ્ઠોની સંખ્યા (ચેનલો) બંનેમાં હેરફેર કરીને અને પૃષ્ઠોની પહોળાઈને સમાયોજિત કરીને ટ્રાન્ઝિસ્ટરની લાક્ષણિકતાઓને નિયંત્રિત કરવાની મંજૂરી આપે છે. શાસ્ત્રીય FET તકનીક માટે, આવા દાવપેચ અશક્ય છે. FinFET ટ્રાન્ઝિસ્ટરની શક્તિ વધારવા માટે, સબસ્ટ્રેટ પર FET ફિન્સની સંખ્યાનો ગુણાકાર કરવો જરૂરી છે, અને આ માટે વિસ્તારની જરૂર છે. MBCFET ટ્રાંઝિસ્ટરની લાક્ષણિકતાઓ એક ભૌતિક દ્વારની અંદર બદલી શકાય છે, જેના માટે તમારે ચેનલોની પહોળાઈ અને તેમની સંખ્યા સેટ કરવાની જરૂર છે.

GAA પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને ઉત્પાદન માટે પ્રોટોટાઇપ ચિપની ડિજિટલ ડિઝાઇન (ટેપ આઉટ)ની ઉપલબ્ધતાએ સેમસંગને MBCFET ટ્રાન્ઝિસ્ટરની ક્ષમતાઓની મર્યાદા નક્કી કરવાની મંજૂરી આપી. તે ધ્યાનમાં રાખવું જોઈએ કે આ હજી પણ કમ્પ્યુટર મોડેલિંગ ડેટા છે અને નવી તકનીકી પ્રક્રિયાને મોટા પાયે ઉત્પાદનમાં લોંચ કર્યા પછી જ તેનો નિર્ણય કરી શકાય છે. જો કે, ત્યાં એક પ્રારંભિક બિંદુ છે. કંપનીએ જણાવ્યું હતું કે 7nm પ્રક્રિયા (દેખીતી રીતે પ્રથમ પેઢી) થી GAA પ્રક્રિયામાં સંક્રમણ ડાઇ એરિયામાં 45% ઘટાડો અને વપરાશમાં 50% ઘટાડો પ્રદાન કરશે. જો તમે વપરાશ પર બચત ન કરો, તો ઉત્પાદકતા 35% વધી શકે છે. અગાઉ, સેમસંગે 3nm પ્રક્રિયામાં જતી વખતે બચત અને ઉત્પાદકતામાં વધારો જોયો હતો સૂચિબદ્ધ અલ્પવિરામ દ્વારા વિભાજિત. તે બહાર આવ્યું કે તે એક અથવા અન્ય હતું.

કંપની સ્વતંત્ર ચિપ ડેવલપર્સ અને ફેબલેસ કંપનીઓ માટે પબ્લિક ક્લાઉડ પ્લેટફોર્મની તૈયારીને 3nm પ્રોસેસ ટેક્નોલોજીને લોકપ્રિય બનાવવા માટે એક મહત્વપૂર્ણ મુદ્દો માને છે. સેમસંગે પ્રોડક્શન સર્વર્સ પર ડેવલપમેન્ટ એન્વાયર્નમેન્ટ, પ્રોજેક્ટ વેરિફિકેશન અને લાઇબ્રેરીઓને છુપાવી નથી. SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) પ્લેટફોર્મ વિશ્વભરના ડિઝાઇનરો માટે ઉપલબ્ધ હશે. SAFE ક્લાઉડ પ્લેટફોર્મ Amazon Web Services (AWS) અને Microsoft Azure જેવી મોટી જાહેર ક્લાઉડ સેવાઓની ભાગીદારી સાથે બનાવવામાં આવ્યું હતું. Cadence અને Synopsys ના ડિઝાઇન સિસ્ટમ્સના વિકાસકર્તાઓએ SAFE ની અંદર તેમના ડિઝાઇન સાધનો પૂરા પાડ્યા. આ સેમસંગ પ્રક્રિયાઓ માટે નવા ઉકેલો બનાવવાનું સરળ અને સસ્તું બનાવવાનું વચન આપે છે.

સેમસંગની 3nm પ્રોસેસ ટેક્નોલોજી પર પાછા ફરીએ, ચાલો ઉમેરીએ કે કંપનીએ તેના ચિપ ડેવલપમેન્ટ પેકેજનું પ્રથમ વર્ઝન રજૂ કર્યું - 3nm GAE PDK વર્ઝન 0.1. તેની મદદથી, તમે આજે જ 3nm સોલ્યુશન્સ ડિઝાઇન કરવાનું શરૂ કરી શકો છો, અથવા ઓછામાં ઓછું આ સેમસંગ પ્રક્રિયા જ્યારે તે વ્યાપક બને ત્યારે તેને પહોંચી વળવા માટે તૈયાર કરી શકો છો.

સેમસંગ તેની ભાવિ યોજનાઓ નીચે મુજબ જાહેર કરે છે. આ વર્ષના બીજા ભાગમાં, 6nm પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને ચિપ્સનું મોટા પાયે ઉત્પાદન શરૂ કરવામાં આવશે. તે જ સમયે, 4nm પ્રક્રિયા તકનીકનો વિકાસ પૂર્ણ થશે. 5nm પ્રક્રિયાનો ઉપયોગ કરીને પ્રથમ સેમસંગ ઉત્પાદનોનો વિકાસ આ પાનખરમાં પૂર્ણ થશે, આગામી વર્ષના પ્રથમ છ મહિનામાં ઉત્પાદન શરૂ થશે. ઉપરાંત, આ વર્ષના અંત સુધીમાં, સેમસંગ 18FDS પ્રોસેસ ટેક્નોલોજી (FD-SOI વેફર્સ પર 18 nm) અને 1-Gbit eMRAM ચિપ્સનો વિકાસ પૂર્ણ કરશે. 7 nm થી 3 nm સુધીની પ્રક્રિયા તકનીકો EUV સ્કેનરનો ઉપયોગ વધતી તીવ્રતા સાથે કરશે, દરેક નેનોમીટરની ગણતરી કરશે. આગળના માર્ગ પર, દરેક પગલું લડત સાથે લેવામાં આવશે.

સોર્સ: 3dnews.ru