Lokacin da masu sarrafa tebur suka fara karya 1 GHz, na ɗan lokaci kamar babu inda za a je. Da farko, yana yiwuwa a ƙara yawan mita saboda sababbin hanyoyin fasaha, amma ci gaban mitoci daga ƙarshe ya ragu saboda haɓakar buƙatun don cire zafi. Hatta manyan radiators da magoya baya wani lokacin ba su da lokacin cire zafi daga guntu mafi ƙarfi.
Masu bincike daga Switzerland sun yanke shawarar gwadawa ta hanyar wucewa ruwa ta cikin crystal kanta. Sun tsara guntu da tsarin sanyaya a matsayin raka'a ɗaya, tare da tashoshi na ruwa akan guntu da aka sanya kusa da mafi kyawun sassa na guntu. Sakamakon shine haɓaka mai ban sha'awa a cikin aiki tare da ingantaccen zafi mai zafi.
Wani ɓangare na matsalar cire zafi daga guntu shi ne cewa yawanci ya ƙunshi matakai da yawa: ana canja wurin zafi daga guntu zuwa marufi, sannan daga marufi zuwa heatsink, sa'an nan kuma zuwa iska (manna thermal, vapor chambers, da dai sauransu). .na iya shiga cikin tsarin Ƙarin). Gabaɗaya, wannan yana iyakance adadin zafin da za'a iya cirewa daga guntu. Wannan kuma gaskiya ne ga tsarin sanyaya ruwa da ake amfani da shi a halin yanzu. Zai yiwu a sanya guntu kai tsaye a cikin ruwa mai ɗaukar zafi, amma na ƙarshen bai kamata ya gudanar da wutar lantarki ba ko shiga cikin halayen sinadarai tare da kayan lantarki.
An riga an yi nuni da yawa na sanyaya ruwa akan guntu. Yawancin lokaci muna magana ne game da tsarin da na'urar da ke da saitin tashoshi don ruwa ke haɗuwa a kan crystal, kuma ruwan da kansa yana zub da shi ta ciki. Wannan yana ba da damar zafi don cirewa da kyau daga guntu, amma aiwatarwa na farko ya nuna cewa akwai matsa lamba mai yawa a cikin tashoshi da kuma zubar da ruwa ta wannan hanya yana buƙatar makamashi mai yawa - fiye da cirewa daga mai sarrafawa. Wannan yana rage ƙarfin makamashi na tsarin kuma ƙari yana haifar da damuwa na inji mai haɗari a kan guntu.
Sabon bincike yana haɓaka ra'ayoyi don inganta ingantaccen tsarin sanyaya kan-chip. Don mafita, ana iya amfani da tsarin sanyaya mai girma uku - microchannels tare da ginanniyar mai tarawa (maɓallin microchannels da yawa, EMMC). A cikinsu, nau'in nau'in nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i nau'i rarraba).
Masu binciken sun haɓaka microchannel mai haɗaɗɗiya guda ɗaya (mMMC) ta hanyar haɗa EMMC kai tsaye zuwa guntu. An gina tashoshi masu ɓoye daidai ƙarƙashin wuraren aiki na guntu, kuma mai sanyaya yana gudana kai tsaye ƙarƙashin tushen zafi. Don ƙirƙirar mMMC, na farko, kunkuntar ramummuka don tashoshi ana ƙirƙira su akan silin siliki mai rufi da semiconductor — gallium nitride (GaN); sa'an nan kuma ana amfani da etching tare da iskar gas na isotropic don fadada gibba a cikin siliki zuwa fadin tashar da ake bukata; Bayan haka, an rufe ramukan da ke cikin Layer GaN akan tashoshi da jan karfe. Ana iya kera guntu a cikin Layer GaN. Wannan tsari baya buƙatar tsarin haɗin kai tsakanin mai tarawa da na'urar.
Masu binciken sun aiwatar da tsarin lantarki mai ƙarfi wanda ke juyar da alternating current zuwa direct current. Tare da taimakonsa, ana iya sanyaya zafi fiye da 1,7 kW / cm2 ta amfani da ikon yin famfo na kawai 0,57 W / cm2. Bugu da kari, tsarin yana nuna ingantaccen juzu'i fiye da na'urar da ba a sanyaya irin wannan ba saboda rashin dumama kai.
Koyaya, bai kamata ku yi tsammanin fitowar guntuwar tushen GaN tare da tsarin sanyaya haɗin gwiwa ba - har yanzu ana buƙatar warware wasu batutuwa masu mahimmanci, kamar kwanciyar hankali na tsarin, iyakokin zafin jiki, da sauransu. Kuma duk da haka, wannan muhimmin ci gaba ne zuwa ga kyakkyawar makoma mai haske da sanyi.
Sources:
source: 3dnews.ru