A wannan makon kamfanin YMTC na kasar Sin akan haɓaka rikodin rikodin 128-Layer 3D NAND flash memory. Sinawa za su tsallake matakin kera na'urar ƙwaƙwalwar ajiya mai Layer 96, kuma a ƙarshen shekara nan take za su fara kera ƙwaƙwalwar Layer 128. Don haka, za su kai matakin shugabannin masana'antu, wanda ya yi daidai da karkatar da ragin ja a gaban bijimin. Kuma "bijimai" sun amsa kamar yadda aka zata.
Gidan yanar gizon Koriya ta Kudu ETNews a yau cewa Samsung ya haɓaka haɓaka 160-Layer 3D NAND (ko V-NAND, kamar yadda kamfanin ke kiran ƙwaƙwalwar filashin multi-layer). Samsung ya kira shi dabarun "super gap", ko yin wasa a gaba, wanda ya kamata ya taimaka wa shugabannin fasahar Koriya ta Kudu su ci gaba da gasar. Tunda nasarar da Samsung ya samu ya ta'allaka ne a tsakiyar tattalin arzikin Koriya ta Kudu, lamari ne na ci gaba ga daukacin al'ummar kasar, don haka kamfanin ya dauki aikinsa da muhimmanci.
Samsung ya gabatar da ƙwaƙwalwar ajiya tare da yadudduka 100+ a ciki . Zamu iya ɗauka cewa kamfanin yana sakin ƙwaƙwalwar ajiya na 128 na al'ada don kwata na uku a jere (ainihin adadin yadudduka ba a sani ba ga wasu). Na gaba a wurin ya kamata ya zama ƙwaƙwalwar Samsung tare da 160 ko ma fiye da yadudduka. Zai kasance na ƙarni na 7 na ƙwaƙwalwar V-NAND. A cewar jita-jita, kamfanin ya samu ci gaba sosai a ci gabansa. Akwai ra'ayi cewa Samsung zai kasance na farko da ya isa alamar 160-Layer, kamar yadda ya faru da duk ƙarni na baya na ƙwaƙwalwar 3D NAND.
source: 3dnews.ru