I kēia lā Samsung Electronics e pili ana i nā hoʻolālā no ka hoʻomohala ʻana i nā kaʻina hana ʻenehana no ka hana ʻana i nā semiconductor. Manaʻo ka hui i ka hoʻokumu ʻana i nā papahana kikohoʻe o nā chips 3-nm hoʻokolohua e pili ana i nā transistors MBCFET i hoʻopaʻa ʻia ʻo ia ka mea nui i loaʻa i kēia manawa. ʻO kēia nā transistors me nā kahawai nanopage ākea i nā puka FET kūpaʻa (Multi-Bridge-Channel FET).
Ma ke ʻano he hui kuʻikahi me IBM, ua hoʻomohala ʻo Samsung i kahi ʻenehana ʻokoʻa iki no ka hana ʻana i nā transistors me nā kahawai i hoʻopuni piha ʻia e nā puka (GAA a i ʻole Gate-All-Around). Ua manaʻo ʻia e hana ʻia nā kahawai ma ke ʻano o nā nanowires. Ma hope iho, neʻe aku ʻo Samsung mai kēia hoʻolālā a hoʻopaʻa i kahi ʻano transistor me nā kahawai ma ke ʻano o nā nanopages. Hāʻawi kēia ʻano iā ʻoe e hoʻomalu i nā ʻano o nā transistors ma o ka hoʻoponopono ʻana i ka helu o nā ʻaoʻao (kanani) a me ka hoʻoponopono ʻana i ka laulā o nā ʻaoʻao. No ka ʻenehana FET maʻamau, hiki ʻole ke ʻano hana like. No ka hoʻonui ʻana i ka mana o kahi transistor FinFET, pono e hoʻonui i ka nui o nā fins FET ma ka substrate, a pono kēia i kahi. Hiki ke hoʻololi i nā hiʻohiʻona o ka transistor MBCFET i loko o hoʻokahi puka kino, no laila pono ʻoe e hoʻonohonoho i ka laulā o nā kahawai a me kā lākou helu.
ʻO ka loaʻa ʻana o kahi hoʻolālā kikohoʻe (i hoʻopaʻa ʻia) o kahi chip prototype no ka hana ʻana me ka hoʻohana ʻana i ke kaʻina GAA i hiki iā Samsung ke hoʻoholo i nā palena o nā hiki o nā transistors MBCFET. Pono e hoʻomanaʻo ʻia ʻo ia ka ʻikepili hoʻohālikelike kamepiula a hiki ke hoʻokolokolo ʻia ke kaʻina hana ʻenehana hou ma hope o ka hoʻomaka ʻana i ka hana nui. Eia naʻe, aia kahi hoʻomaka. Ua ʻōlelo ka hui ʻo ka hoʻololi ʻana mai ke kaʻina hana 7nm (ʻoiaʻiʻo ka hanauna mua) i ke kaʻina hana GAA e hāʻawi i kahi hōʻemi o 45% i ka wahi make a me kahi hōʻemi o 50% i ka ʻai. Inā ʻaʻole ʻoe e mālama i ka hoʻohana ʻana, hiki ke hoʻonui ʻia ka huahana e 35%. Ma mua, ua ʻike ʻo Samsung i ka loaʻa kālā a me ka loaʻa ʻana o ka huahana i ka wā e neʻe ai i ke kaʻina hana 3nm hoʻokaʻawale ʻia e nā koma. Ua ʻike ʻia ʻo ia kekahi a i ʻole kekahi.
Manaʻo ka ʻoihana i ka hoʻomākaukau ʻana i kahi paepae kapuaʻi lehulehu no nā mea hoʻomohala chip kūʻokoʻa a me nā ʻoihana fabless he mea nui i ka hoʻolaha ʻana i ka ʻenehana kaʻina hana 3nm. ʻAʻole i hūnā ʻo Samsung i ke kaiapuni hoʻomohala, hōʻoia papahana a me nā hale waihona puke ma nā kikowaena hana. E loaʻa ana ka platform SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud) i nā mea hoʻolālā a puni ka honua. Ua hoʻokumu ʻia ka paepae kapua SAFE me ke komo ʻana o nā lawelawe kapuaʻi lehulehu e like me Amazon Web Services (AWS) a me Microsoft Azure. Hāʻawi nā mea hoʻomohala o nā ʻōnaehana hoʻolālā mai Cadence a me Synopsys i kā lākou mau mea hana hoʻolālā i loko o SAFE. Hoʻohiki kēia e maʻalahi a maʻalahi ka hana ʻana i nā hopena hou no nā kaʻina Samsung.
Ke hoʻi nei i ka ʻenehana kaʻina hana 3nm o Samsung, e hoʻohui mākou i ka hui i hōʻike i ka mana mua o kāna pūʻulu hoʻomohala chip - 3nm GAE PDK Version 0.1. Me kāna kōkua, hiki iā ʻoe ke hoʻomaka i ka hoʻolālā ʻana i nā hopena 3nm i kēia lā, a i ʻole e mākaukau e hālāwai me kēia kaʻina Samsung i ka wā e laha nui ai.
Hoʻolaha ʻo Samsung i kāna mau hoʻolālā e hiki mai ana e like me kēia. Ma ka hapa lua o kēia makahiki, e hoʻokuʻu ʻia ka hana nui o nā chips e hoʻohana ana i ke kaʻina hana 6nm. I ka manawa like, e hoʻopau ʻia ka hoʻomohala ʻana o ka ʻenehana hana 4nm. ʻO ka hoʻomohala ʻana i nā huahana Samsung mua e hoʻohana ana i ke kaʻina hana 5nm e hoʻopau ʻia i kēia hāʻule, me ka hoʻomaka ʻana o ka hana i ka hapa mua o ka makahiki aʻe. Eia kekahi, ma ka hopena o kēia makahiki, e hoʻopau ʻo Samsung i ka hoʻomohala ʻana i ka ʻenehana kaʻina hana 18FDS (18 nm ma FD-SOI wafers) a me 1-Gbit eMRAM chips. E hoʻohana nā ʻenehana hana mai 7 nm a 3 nm i nā scanners EUV me ka hoʻonui ʻana i ka ikaika, e helu ana i kēlā me kēia nanometer. Ma ke ala i lalo, e lawe ʻia kēlā me kēia ʻanuʻu me ka hakakā.
Source: 3dnews.ru