सैटर्न 5 रॉकेट में चुंबकीय कोर मेमोरी

लॉन्च व्हीकल डिजिटल कंप्यूटर (एलवीडीसी) ने सैटर्न 5 रॉकेट को चलाकर अपोलो चंद्र कार्यक्रम में महत्वपूर्ण भूमिका निभाई। उस समय के अधिकांश कंप्यूटरों की तरह, यह छोटे चुंबकीय कोर में डेटा संग्रहीत करता था। इस लेख में, Cloud4Y डीलक्स से LVDC मेमोरी मॉड्यूल के बारे में बात करता है संग्रह स्टीव जुर्वेटसन.

इस मेमोरी मॉड्यूल में 1960 के दशक के मध्य में सुधार किया गया था। इसे सरफेस-माउंट घटकों, हाइब्रिड मॉड्यूल और लचीले कनेक्शन का उपयोग करके बनाया गया था, जिससे यह उस समय की पारंपरिक कंप्यूटर मेमोरी की तुलना में बहुत छोटा और हल्का हो गया। हालाँकि, मेमोरी मॉड्यूल 4096 बिट्स के केवल 26 शब्दों को संग्रहीत करने की अनुमति देता है।

चुंबकीय कोर मेमोरी मॉड्यूल। यह मॉड्यूल 4 डेटा बिट्स और 26 पैरिटी बिट्स के 2K शब्दों को संग्रहीत करता है। कुल 16 शब्दों की क्षमता देने वाले चार मेमोरी मॉड्यूल के साथ, इसका वजन 384 किलोग्राम है और माप 2,3 सेमी × 14 सेमी × 14 सेमी है।

चंद्रमा पर उतरने की शुरुआत 25 मई, 1961 को हुई, जब राष्ट्रपति कैनेडी ने घोषणा की कि अमेरिका दशक के अंत से पहले चंद्रमा पर एक आदमी को भेजेगा। इसके लिए तीन चरणों वाले सैटर्न 5 रॉकेट का उपयोग किया गया, जो अब तक का सबसे शक्तिशाली रॉकेट है। सैटर्न 5 को एक कंप्यूटर (यहां) द्वारा नियंत्रित और नियंत्रित किया गया था यहाँ अधिक विस्तृत है उसके बारे में) एक प्रक्षेपण यान का तीसरा चरण, जो पृथ्वी की कक्षा में उड़ान भरने से शुरू होता है, और फिर चंद्रमा की ओर जाता है। (अपोलो अंतरिक्ष यान इस बिंदु पर सैटर्न वी रॉकेट से अलग हो रहा था, और एलवीडीसी मिशन पूरा हो गया था।)

LVDC को बेस फ्रेम में स्थापित किया गया है। कंप्यूटर के सामने गोलाकार कनेक्टर दिखाई देते हैं। तरल शीतलन के लिए 8 विद्युत कनेक्टर और दो कनेक्टर का उपयोग किया गया

LVDC अपोलो के कई कंप्यूटरों में से एक था। LVDC उड़ान नियंत्रण प्रणाली, एक 45 किलोग्राम एनालॉग कंप्यूटर से जुड़ा था। ऑनबोर्ड अपोलो गाइडेंस कंप्यूटर (एजीसी) ने अंतरिक्ष यान को चंद्र सतह तक निर्देशित किया। कमांड मॉड्यूल में एक एजीसी था जबकि चंद्र मॉड्यूल में एबॉर्ट नेविगेशन सिस्टम, एक अतिरिक्त आपातकालीन कंप्यूटर के साथ दूसरा एजीसी था।

अपोलो में कई कंप्यूटर थे।

यूनिट लॉजिक डिवाइस (यूएलडी)

LVDC को ULD, यूनिट लोड डिवाइस नामक एक दिलचस्प हाइब्रिड तकनीक का उपयोग करके बनाया गया था। हालाँकि वे एकीकृत सर्किट की तरह दिखते थे, यूएलडी मॉड्यूल में कई घटक होते थे। उन्होंने साधारण सिलिकॉन चिप्स का उपयोग किया, प्रत्येक में केवल एक ट्रांजिस्टर या दो डायोड थे। इन सरणियों को, मुद्रित मोटी-फिल्म मुद्रित प्रतिरोधों के साथ, लॉजिक गेट जैसे सर्किट को लागू करने के लिए सिरेमिक वेफर पर लगाया गया था। ये मॉड्यूल एसएलटी मॉड्यूल का एक प्रकार थे (ठोस तर्क प्रौद्योगिकी) लोकप्रिय IBM S/360 श्रृंखला कंप्यूटरों के लिए डिज़ाइन किया गया। आईबीएम ने 1961 में एसएलटी मॉड्यूल विकसित करना शुरू किया, इससे पहले कि एकीकृत सर्किट व्यावसायिक रूप से व्यवहार्य थे, और 1966 तक, आईबीएम प्रति वर्ष 100 मिलियन से अधिक एसएलटी मॉड्यूल का उत्पादन कर रहा था।

यूएलडी मॉड्यूल एसएलटी मॉड्यूल की तुलना में काफी छोटे थे, जैसा कि नीचे दी गई तस्वीर में देखा गया है, जो उन्हें कॉम्पैक्ट स्पेस कंप्यूटर के लिए अधिक उपयुक्त बनाता है। यूएलडी मॉड्यूल एसएलटी में धातु पिन के बजाय सिरेमिक पैड का उपयोग करते थे, और शीर्ष पर धातु संपर्क होते थे पिन के बजाय सतह. बोर्ड पर क्लिप्स ने यूएलडी मॉड्यूल को अपनी जगह पर रखा और इन पिनों से जोड़ा।

आईबीएम ने एकीकृत सर्किट के बजाय एसएलटी मॉड्यूल का उपयोग क्यों किया? मुख्य कारण यह था कि एकीकृत सर्किट अभी भी अपनी प्रारंभिक अवस्था में थे, जिनका आविष्कार 1959 में हुआ था। 1963 में, एसएलटी मॉड्यूल में एकीकृत सर्किट की तुलना में लागत और प्रदर्शन लाभ थे। हालाँकि, एसएलटी मॉड्यूल को अक्सर एकीकृत सर्किट से कमतर के रूप में देखा जाता था। एकीकृत सर्किट की तुलना में एसएलटी मॉड्यूल के फायदों में से एक यह था कि एसएलटी में प्रतिरोधक एकीकृत सर्किट की तुलना में अधिक सटीक थे। निर्माण के दौरान, एसएलटी मॉड्यूल में मोटी फिल्म प्रतिरोधों को प्रतिरोधी फिल्म को हटाने के लिए सावधानीपूर्वक सैंडब्लास्ट किया गया था जब तक कि वे वांछित प्रतिरोध प्राप्त नहीं कर लेते। 1960 के दशक में एसएलटी मॉड्यूल तुलनीय एकीकृत सर्किट से भी सस्ते थे।

एलवीडीसी और संबंधित उपकरण 50 से अधिक विभिन्न प्रकार के यूएलडी का उपयोग करते हैं।

एसएलटी मॉड्यूल (बाएं) यूएलडी मॉड्यूल (दाएं) से काफी बड़े हैं। यूएलडी का आकार 7,6 मिमी×8 मिमी है

नीचे दी गई तस्वीर यूएलडी मॉड्यूल के आंतरिक घटकों को दिखाती है। सिरेमिक प्लेट के बाईं ओर चार छोटे वर्गाकार सिलिकॉन क्रिस्टल से जुड़े कंडक्टर हैं। यह एक सर्किट बोर्ड जैसा दिखता है, लेकिन ध्यान रखें कि यह एक नख से बहुत छोटा होता है। दाईं ओर के काले आयत प्लेट के नीचे की ओर मुद्रित मोटी फिल्म प्रतिरोधक हैं।

यूएलडी, ऊपर और नीचे का दृश्य। सिलिकॉन क्रिस्टल और प्रतिरोधक दिखाई दे रहे हैं। जबकि एसएलटी मॉड्यूल में ऊपरी सतह पर प्रतिरोधक थे, यूएलडी मॉड्यूल में नीचे की तरफ प्रतिरोधक थे, जिससे घनत्व के साथ-साथ लागत भी बढ़ गई।

नीचे दी गई तस्वीर यूएलडी मॉड्यूल से एक सिलिकॉन डाई दिखाती है, जिसमें दो डायोड लागू होते हैं। आकार असामान्य रूप से छोटे हैं, तुलना के लिए, पास में चीनी के क्रिस्टल हैं। क्रिस्टल में तांबे की गेंदों के माध्यम से तीन बाहरी कनेक्शन थे जो तीन सर्कल में सोल्डर किए गए थे। नीचे के दो वृत्त (दो डायोड के एनोड) को डोप किया गया (गहरा क्षेत्र), जबकि शीर्ष दायां वृत्त आधार से जुड़ा कैथोड था।

चीनी क्रिस्टल के बगल में दो-डायोड सिलिकॉन क्रिस्टल की तस्वीर

मैग्नेटिक कोर मेमोरी कैसे काम करती है

1950 के दशक से लेकर 1970 के दशक में सॉलिड स्टेट स्टोरेज डिवाइस द्वारा प्रतिस्थापित किए जाने तक मैग्नेटिक कोर मेमोरी कंप्यूटर में डेटा स्टोरेज का मुख्य रूप थी। मेमोरी का निर्माण छोटे फेराइट रिंगों से किया गया था जिन्हें कोर कहा जाता है। फेराइट रिंगों को एक आयताकार मैट्रिक्स में रखा गया था और जानकारी पढ़ने और लिखने के लिए प्रत्येक रिंग से दो से चार तार गुजारे गए थे। छल्लों ने एक बिट जानकारी संग्रहीत करने की अनुमति दी। फेराइट रिंग से गुजरने वाले तारों के माध्यम से करंट पल्स का उपयोग करके कोर को चुम्बकित किया गया था। विपरीत दिशा में एक पल्स भेजकर एक कोर के चुंबकत्व की दिशा को बदला जा सकता है।

कोर के मूल्य को पढ़ने के लिए, एक वर्तमान पल्स ने रिंग को राज्य 0 में डाल दिया। यदि कोर पहले राज्य 1 में था, तो बदलते चुंबकीय क्षेत्र ने कोर के माध्यम से चलने वाले तारों में से एक में वोल्टेज बनाया। लेकिन यदि कोर पहले से ही 0 स्थिति में है, तो चुंबकीय क्षेत्र नहीं बदलेगा और सेंस वायर का वोल्टेज नहीं बढ़ेगा। इसलिए कोर में बिट का मान शून्य पर रीसेट करके और रीड वायर पर वोल्टेज की जांच करके पढ़ा गया था। चुंबकीय कोर पर मेमोरी की एक महत्वपूर्ण विशेषता यह थी कि फेराइट रिंग को पढ़ने की प्रक्रिया ने इसके मूल्य को नष्ट कर दिया, इसलिए कोर को "फिर से लिखना" पड़ा।

प्रत्येक कोर के चुंबकत्व को बदलने के लिए एक अलग तार का उपयोग करना असुविधाजनक था, लेकिन 1950 के दशक में, एक फेराइट मेमोरी विकसित की गई जो धाराओं के संयोग के सिद्धांत पर काम करती थी। चार-तार सर्किट-एक्स, वाई, सेंस, इनहिबिट-आम हो गया है। प्रौद्योगिकी ने कोर की एक विशेष संपत्ति का उपयोग किया जिसे हिस्टैरिसीस कहा जाता है: एक छोटा करंट फेराइट मेमोरी को प्रभावित नहीं करता है, लेकिन एक सीमा से ऊपर का करंट कोर को चुम्बकित कर देगा। जब एक एक्स लाइन और एक वाई लाइन पर आधे आवश्यक करंट के साथ सक्रिय किया गया, तो केवल उस कोर को, जिसमें दोनों लाइनें पार हुईं, पुनः चुम्बकित होने के लिए पर्याप्त करंट प्राप्त हुआ, जबकि अन्य कोर बरकरार रहे।

IBM 360 मॉडल 50 की मेमोरी इस तरह दिखती थी। LVDC और मॉडल 50 में एक ही प्रकार के कोर का उपयोग किया गया था, जिसे 19-32 के रूप में जाना जाता है क्योंकि उनका आंतरिक व्यास 19 मील (0.4826 मिमी) था और उनका बाहरी व्यास 32 मील था। (0,8 मिमी). आप इस फोटो में देख सकते हैं कि प्रत्येक कोर के माध्यम से तीन तार चल रहे हैं, लेकिन LVDC ने चार तारों का उपयोग किया।

नीचे दी गई तस्वीर एक आयताकार LVDC मेमोरी सरणी दिखाती है। 8 इस मैट्रिक्स में 128 एक्स-तार लंबवत चल रहे हैं और 64 वाई-तार क्षैतिज रूप से चल रहे हैं, प्रत्येक चौराहे पर एक कोर है। एक एकल रीड तार वाई-तारों के समानांतर सभी कोर के माध्यम से चलता है। राइट वायर और अवरोधक तार एक्स तारों के समानांतर सभी कोर के माध्यम से चलते हैं। तार मैट्रिक्स के बीच में क्रॉस करते हैं; इससे प्रेरित शोर कम हो जाता है क्योंकि एक आधे हिस्से का शोर दूसरे आधे हिस्से के शोर को रद्द कर देता है।

एक LVDC फेराइट मेमोरी मैट्रिक्स जिसमें 8192 बिट्स हैं। अन्य मैट्रिक्स के साथ कनेक्शन बाहर की ओर पिन के माध्यम से किया जाता है

उपरोक्त मैट्रिक्स में 8192 तत्व थे, प्रत्येक में एक बिट संग्रहीत था। एक स्मृति शब्द को सहेजने के लिए, कई बुनियादी मैट्रिक्स को एक साथ जोड़ा गया था, शब्द में प्रत्येक बिट के लिए एक। तार X और Y सभी मुख्य मैट्रिक्स से जुड़े हुए हैं। प्रत्येक मैट्रिक्स में एक अलग रीड लाइन और एक अलग राइट इनहिबिट लाइन थी। LVDC मेमोरी ने 14 बेस मैट्रिसेस (नीचे) के एक स्टैक का उपयोग किया, जो एक समता बिट के साथ 13-बिट "सिलेबल" को संग्रहीत करता है।

LVDC स्टैक में 14 मुख्य मैट्रिक्स होते हैं

चुंबकीय कोर मेमोरी में लिखने के लिए अतिरिक्त तारों, तथाकथित अवरोध रेखाओं की आवश्यकता होती है। प्रत्येक मैट्रिक्स में सभी कोर के माध्यम से चलने वाली एक अवरोध रेखा होती थी। लिखने की प्रक्रिया के दौरान, करंट एक्स और वाई लाइनों से होकर गुजरता है, चयनित रिंगों (प्रति समतल एक) को पुनः चुम्बकित करके 1 बताता है, और सभी 1 को शब्द में रखता है। बिट स्थिति पर 0 लिखने के लिए, लाइन को एक्स लाइन के विपरीत आधे वर्तमान के साथ सक्रिय किया गया था। परिणामस्वरूप, कोर 0 मान पर बने रहे। इस प्रकार, अवरोध रेखा ने कोर को फ्लिप करने की अनुमति नहीं दी 1. किसी भी वांछित शब्द को संबंधित अवरोध रेखाओं को सक्रिय करके स्मृति में लिखा जा सकता है।

एलवीडीसी मेमोरी मॉड्यूल

LVDC मेमोरी मॉड्यूल भौतिक रूप से कैसे निर्मित होता है? मेमोरी मॉड्यूल के केंद्र में पहले दिखाए गए 14 फेरोमैग्नेटिक मेमोरी सरणियों का ढेर है। यह एक्स और वाई तारों को चलाने और लाइनों को रोकने, बिट रीड लाइनों, त्रुटि का पता लगाने और आवश्यक घड़ी संकेतों को उत्पन्न करने के लिए सर्किटरी के साथ कई बोर्डों से घिरा हुआ है।

सामान्य तौर पर, अधिकांश मेमोरी-संबंधित सर्किट्री एलवीडीसी कंप्यूटर लॉजिक में होती है, मेमोरी मॉड्यूल में ही नहीं। विशेष रूप से, कंप्यूटर लॉजिक में पते और डेटा शब्दों को संग्रहीत करने और धारावाहिक और समानांतर के बीच परिवर्तित करने के लिए रजिस्टर होते हैं। इसमें रीड बिट लाइनों से पढ़ने, त्रुटि जांचने और क्लॉकिंग के लिए सर्किटरी भी शामिल है।

मेमोरी मॉड्यूल प्रमुख घटकों को दिखा रहा है। एमआईबी (मल्टीलेयर इंटरकनेक्शन बोर्ड) एक 12-लेयर मुद्रित सर्किट बोर्ड है

Y मेमोरी ड्राइवर बोर्ड

मुख्य बोर्ड स्टैक के माध्यम से संबंधित एक्स और वाई लाइनों को पास करके कोर मेमोरी में एक शब्द का चयन किया जाता है। आइए वाई-ड्राइवर सर्किट का वर्णन करके शुरुआत करें और यह 64 वाई-लाइनों में से एक के माध्यम से सिग्नल कैसे उत्पन्न करता है। 64 अलग ड्राइवर सर्किट के बजाय, मॉड्यूल 8 "उच्च" ड्राइवर और 8 "कम" ड्राइवर का उपयोग करके सर्किट की संख्या कम कर देता है। वे "मैट्रिक्स" कॉन्फ़िगरेशन में वायर्ड हैं, इसलिए उच्च और निम्न ड्राइवरों का प्रत्येक संयोजन अलग-अलग पंक्तियों का चयन करता है। इस प्रकार, 8 "उच्च" और 8 "निम्न" ड्राइवर 64 (8 × 8) वाई-लाइनों में से एक का चयन करते हैं।

Y ड्राइवर बोर्ड (सामने) बोर्डों के ढेर में Y चयन लाइनों को चलाता है

नीचे दी गई तस्वीर में आप कुछ यूएलडी मॉड्यूल (सफेद) और ट्रांजिस्टर (सोना) की जोड़ी देख सकते हैं जो वाई चयन लाइनों को चलाते हैं। "ईआई" मॉड्यूल ड्राइवर का दिल है: यह एक निरंतर वोल्टेज पल्स (ई) की आपूर्ति करता है ) या चयन लाइन के माध्यम से एक निरंतर वर्तमान पल्स (I) पास करता है। चयन लाइन को लाइन के एक छोर पर वोल्टेज मोड में ईआई मॉड्यूल और दूसरे छोर पर वर्तमान मोड में ईआई मॉड्यूल को सक्रिय करके नियंत्रित किया जाता है। परिणाम सही वोल्टेज और करंट के साथ एक पल्स है, जो कोर को पुनः चुम्बकित करने के लिए पर्याप्त है। इसे पलटने के लिए बहुत अधिक गति की आवश्यकता होती है; वोल्टेज पल्स 17 वोल्ट पर तय होता है, और तापमान के आधार पर करंट 180 mA से 260 mA तक होता है।

वाई ड्राइवर बोर्ड का मैक्रो फोटो जिसमें छह यूएलडी मॉड्यूल और छह जोड़े ट्रांजिस्टर दिख रहे हैं। प्रत्येक यूएलडी मॉड्यूल को आईबीएम भाग संख्या, मॉड्यूल प्रकार (उदाहरण के लिए, "ईआई"), और एक कोड के साथ लेबल किया जाता है जिसका अर्थ अज्ञात है

बोर्ड त्रुटि मॉनिटर (ईडी) मॉड्यूल से भी सुसज्जित है जो एक ही समय में एक से अधिक वाई चयन लाइन सक्रिय होने पर पता लगाता है। ईडी मॉड्यूल एक सरल अर्ध-एनालॉग समाधान का उपयोग करता है: यह प्रतिरोधकों के नेटवर्क का उपयोग करके इनपुट वोल्टेज को जोड़ता है। यदि परिणामी वोल्टेज सीमा से ऊपर है, तो कुंजी चालू हो जाती है।

ड्राइवर बोर्ड के नीचे एक डायोड सरणी है जिसमें 256 डायोड और 64 प्रतिरोधक हैं। यह मैट्रिक्स ड्राइवर बोर्ड से सिग्नल के 8 शीर्ष और 8 निचले जोड़े को 64 वाई-लाइन कनेक्शन में परिवर्तित करता है जो बोर्ड के मुख्य स्टैक के माध्यम से चलते हैं। बोर्ड के ऊपर और नीचे लचीले केबल बोर्ड को डायोड ऐरे से जोड़ते हैं। बाईं ओर दो फ्लेक्स केबल (फोटो में दिखाई नहीं दे रहे हैं) और दाईं ओर दो बसबार (एक दृश्यमान) डायोड मैट्रिक्स को कोर की सरणी से जोड़ते हैं। बाईं ओर दिखाई देने वाली फ्लेक्स केबल वाई-बोर्ड को I/O बोर्ड के माध्यम से कंप्यूटर के बाकी हिस्सों से जोड़ती है, जबकि नीचे दाईं ओर छोटी फ्लेक्स केबल क्लॉक जनरेटर बोर्ड से कनेक्ट होती है।

एक्स मेमोरी ड्राइवर बोर्ड

X लाइनों को चलाने का लेआउट Y के समान है, सिवाय इसके कि 128 X लाइनें और 64 Y लाइनें हैं। क्योंकि X तारों की संख्या दोगुनी है, मॉड्यूल के नीचे एक दूसरा X ड्राइवर बोर्ड है। हालाँकि X और Y बोर्ड के घटक समान हैं, लेकिन वायरिंग अलग है।

यह बोर्ड और इसके नीचे वाला बोर्ड कोर बोर्डों के ढेर में X चयनित पंक्तियों को नियंत्रित करता है

नीचे दी गई तस्वीर से पता चलता है कि बोर्ड पर कुछ घटक क्षतिग्रस्त हो गए थे। ट्रांजिस्टर में से एक विस्थापित हो गया है, यूएलडी मॉड्यूल आधा टूट गया है, और दूसरा टूट गया है। टूटे हुए मॉड्यूल पर एक छोटे सिलिकॉन क्रिस्टल (दाएं) के साथ वायरिंग दिखाई दे रही है। इस तस्वीर में, आप 12-परत मुद्रित सर्किट बोर्ड पर ऊर्ध्वाधर और क्षैतिज प्रवाहकीय ट्रैक के निशान भी देख सकते हैं।

बोर्ड के क्षतिग्रस्त हिस्से का पास से चित्र

एक्स ड्राइवर बोर्ड के नीचे एक एक्स डायोड मैट्रिक्स है जिसमें 288 डायोड और 128 प्रतिरोधक हैं। एक्स-डायोड सरणी घटकों की संख्या को दोगुना करने से बचने के लिए वाई-डायोड बोर्ड की तुलना में एक अलग टोपोलॉजी का उपयोग करती है। वाई-डायोड बोर्ड की तरह, इस बोर्ड में दो मुद्रित सर्किट बोर्डों के बीच लंबवत रूप से लगे घटक होते हैं। इस विधि को "कॉर्डवुड" कहा जाता है और यह घटकों को कसकर पैक करने की अनुमति देता है।

एक्स डायोड सरणी का एक मैक्रो फोटो जिसमें 2 मुद्रित सर्किट बोर्डों के बीच लंबवत रूप से लगे कॉर्डवुड डायोड दिखाई दे रहे हैं। दो एक्स ड्राइवर बोर्ड डायोड बोर्ड के ऊपर बैठते हैं, उन्हें पॉलीयुरेथेन फोम द्वारा अलग किया जाता है। कृपया ध्यान दें कि मुद्रित सर्किट बोर्ड एक दूसरे के बहुत करीब हैं।

मेमोरी एम्प्लिफ़ायर

नीचे दी गई तस्वीर रीडआउट एम्पलीफायर बोर्ड दिखाती है। मेमोरी स्टैक से 7 बिट्स पढ़ने के लिए 7 चैनल हैं; नीचे दिया गया समान बोर्ड कुल 7 बिट्स के लिए 14 और बिट्स को संभालता है। सेंस एम्पलीफायर का उद्देश्य रीमैग्नेटाइजेबल कोर द्वारा उत्पन्न छोटे सिग्नल (20 मिलीवोल्ट) का पता लगाना और इसे 1-बिट आउटपुट में बदलना है। प्रत्येक चैनल में एक विभेदक एम्पलीफायर और बफर होता है, इसके बाद एक विभेदक ट्रांसफार्मर और आउटपुट क्लैंप होता है। बाईं ओर, एक 28-तार फ्लेक्स केबल मेमोरी स्टैक से जुड़ती है, जो प्रत्येक सेंस वायर के दोनों सिरों को एक एम्पलीफायर सर्किट तक ले जाती है, जो MSA-1 (मेमोरी सेंस एम्पलीफायर) ​​मॉड्यूल से शुरू होती है। व्यक्तिगत घटक प्रतिरोधक (भूरा सिलेंडर), कैपेसिटर (लाल), ट्रांसफार्मर (काला), और ट्रांजिस्टर (सोना) हैं। डेटा बिट्स दाईं ओर लचीली केबल के माध्यम से सेंस एम्पलीफायर बोर्ड से बाहर निकलते हैं।

मेमोरी मॉड्यूल के शीर्ष पर रीडआउट एम्पलीफायर बोर्ड। यह बोर्ड आउटपुट बिट्स बनाने के लिए सेंस तारों से संकेतों को बढ़ाता है

इनहिबिट लाइन ड्राइवर लिखें

इनहिबिट ड्राइवरों का उपयोग मेमोरी में लिखने के लिए किया जाता है और ये मुख्य मॉड्यूल के नीचे स्थित होते हैं। स्टैक पर प्रत्येक मैट्रिक्स के लिए 14 अवरोध रेखाएँ हैं। 0 बिट लिखने के लिए, संबंधित लॉक ड्राइवर सक्रिय होता है और इनहिबिट लाइन के माध्यम से करंट कोर को 1 पर स्विच करने से रोकता है। प्रत्येक लाइन एक आईडी-1 और आईडी-2 मॉड्यूल (राइट इनहिबिट लाइन ड्राइवर) और एक जोड़ी द्वारा संचालित होती है। ट्रांजिस्टर का. बोर्ड के ऊपर और नीचे सटीक 20,8 ओम प्रतिरोधक अवरोधक धारा को नियंत्रित करते हैं। दाईं ओर 14-तार फ्लेक्स केबल ड्राइवरों को कोर बोर्ड के ढेर में 14 अवरोधक तारों से जोड़ती है।

मेमोरी मॉड्यूल के निचले भाग पर निषेध बोर्ड। यह बोर्ड रिकॉर्डिंग के दौरान उपयोग किए जाने वाले 14 अवरोधक सिग्नल उत्पन्न करता है

घड़ी चालक स्मृति

क्लॉक ड्राइवर बोर्ड की एक जोड़ी है जो मेमोरी मॉड्यूल के लिए क्लॉक सिग्नल उत्पन्न करता है। एक बार जब कंप्यूटर मेमोरी ऑपरेशन शुरू करता है, तो मेमोरी मॉड्यूल द्वारा उपयोग किए जाने वाले विभिन्न क्लॉक सिग्नल मॉड्यूल के क्लॉक ड्राइवर द्वारा अतुल्यकालिक रूप से उत्पन्न होते हैं। क्लॉक ड्राइव बोर्ड मॉड्यूल के निचले भाग में, स्टैक और इनहिबिट बोर्ड के बीच स्थित होते हैं, इसलिए बोर्ड को देखना मुश्किल होता है।

क्लॉक ड्राइवर बोर्ड मुख्य मेमोरी स्टैक के नीचे लेकिन लॉक बोर्ड के ऊपर होते हैं

उपरोक्त फोटो में ब्लू बोर्ड घटक मल्टी-टर्न पोटेंशियोमीटर हैं, संभवतः समय या वोल्टेज समायोजन के लिए। बोर्डों पर प्रतिरोधक और कैपेसिटर भी दिखाई देते हैं। आरेख कई एमसीडी (मेमोरी क्लॉक ड्राइवर) मॉड्यूल दिखाता है, लेकिन बोर्ड पर कोई मॉड्यूल दिखाई नहीं देता है। यह बताना कठिन है कि यह सीमित दृश्यता, सर्किट परिवर्तन या इन मॉड्यूल के साथ किसी अन्य बोर्ड की उपस्थिति के कारण है।

मेमोरी I/O पैनल

अंतिम मेमोरी मॉड्यूल बोर्ड I/O बोर्ड है, जो मेमोरी मॉड्यूल बोर्ड और बाकी LVDC कंप्यूटर के बीच सिग्नल वितरित करता है। नीचे हरा 98-पिन कनेक्टर एलवीडीसी मेमोरी चेसिस से जुड़ता है, जो कंप्यूटर से सिग्नल और पावर प्रदान करता है। अधिकांश प्लास्टिक कनेक्टर टूटे हुए हैं, जिसके कारण संपर्क दिखाई दे रहे हैं। वितरण बोर्ड इस कनेक्टर से नीचे दो 49-पिन लचीली केबलों द्वारा जुड़ा हुआ है (केवल सामने वाली केबल दिखाई देती है)। अन्य फ्लेक्स केबल एक्स ड्राइवर बोर्ड (बाएं), वाई ड्राइवर बोर्ड (दाएं), सेंस एम्प्लीफायर बोर्ड (ऊपर), और इनहिबिट बोर्ड (नीचे) को सिग्नल वितरित करते हैं। बोर्ड पर 20 कैपेसिटर मेमोरी मॉड्यूल को आपूर्ति की गई बिजली को फ़िल्टर करते हैं।

मेमोरी मॉड्यूल और बाकी कंप्यूटर के बीच I/O बोर्ड। नीचे हरा कनेक्टर कंप्यूटर से जुड़ता है और ये सिग्नल फ्लैट केबल के माध्यम से मेमोरी मॉड्यूल के अन्य हिस्सों तक भेजे जाते हैं

उत्पादन

मुख्य LVDC मेमोरी मॉड्यूल कॉम्पैक्ट, विश्वसनीय भंडारण प्रदान करता है। कंप्यूटर के निचले हिस्से में 8 मेमोरी मॉड्यूल तक रखे जा सकते हैं। इससे कंप्यूटर को 32 स्टोर करने की अनुमति मिल गई किलोवर्ड अत्यधिक विश्वसनीय "डुप्लेक्स" मोड में 26-बिट शब्द या 16 किलोवर्ड।

एलवीडीसी की एक दिलचस्प विशेषता यह थी कि विश्वसनीयता के लिए मेमोरी मॉड्यूल को मिरर किया जा सकता था। "डुप्लेक्स" मोड में, प्रत्येक शब्द को दो मेमोरी मॉड्यूल में संग्रहीत किया गया था। यदि एक मॉड्यूल में कोई त्रुटि होती है, तो सही शब्द दूसरे मॉड्यूल से प्राप्त किया जा सकता है। हालाँकि इसने विश्वसनीयता प्रदान की, इसने मेमोरी फ़ुटप्रिंट को आधा कर दिया। वैकल्पिक रूप से, मेमोरी मॉड्यूल का उपयोग "सिंप्लेक्स" मोड में किया जा सकता है, जिसमें प्रत्येक शब्द एक बार संग्रहीत होता है।

LVDC में आठ सीपीयू मेमोरी मॉड्यूल शामिल हैं

चुंबकीय कोर मेमोरी मॉड्यूल उस समय का एक दृश्य प्रतिनिधित्व प्रदान करता है जब 8 केबी स्टोरेज के लिए 5-पाउंड (2,3 किग्रा) मॉड्यूल की आवश्यकता होती है। हालाँकि, यह स्मृति अपने समय के लिए बहुत उत्तम थी। 1970 के दशक में सेमीकंडक्टर DRAM के आगमन के साथ ऐसे उपकरण अनुपयोगी हो गए।

बिजली बंद होने पर रैम की सामग्री संरक्षित रहती है, इसलिए यह संभावना है कि मॉड्यूल अभी भी कंप्यूटर के आखिरी बार उपयोग किए गए सॉफ़्टवेयर को संग्रहीत कर रहा है। हाँ, हाँ, वहाँ आप दशकों बाद भी कुछ दिलचस्प पा सकते हैं। इस डेटा को पुनर्प्राप्त करने का प्रयास करना दिलचस्प होगा, लेकिन क्षतिग्रस्त सर्किटरी एक समस्या पैदा करती है, इसलिए सामग्री संभवतः अगले एक दशक तक मेमोरी मॉड्यूल से पुनर्प्राप्त नहीं की जा सकेगी।

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स्रोत: www.habr.com