इंटेल 144-लेयर QLC NAND तैयार करता है और पांच-बिट PLC NAND विकसित करता है

आज सुबह सियोल, दक्षिण कोरिया में, इंटेल ने मेमोरी और सॉलिड-स्टेट ड्राइव बाजार में भविष्य की योजनाओं के लिए समर्पित "मेमोरी एंड स्टोरेज डे 2019" कार्यक्रम आयोजित किया। वहां, कंपनी के प्रतिनिधियों ने भविष्य के ऑप्टेन मॉडल, पांच-बिट पीएलसी नंद (पेंटा लेवल सेल) के विकास में प्रगति और अन्य आशाजनक प्रौद्योगिकियों के बारे में बात की, जिन्हें वह आने वाले वर्षों में बढ़ावा देने की योजना बना रही है। इंटेल ने लंबी अवधि में डेस्कटॉप कंप्यूटरों में गैर-वाष्पशील रैम पेश करने की अपनी इच्छा और इस सेगमेंट के लिए परिचित एसएसडी के नए मॉडल के बारे में भी बात की।

चल रहे विकास के बारे में इंटेल की प्रस्तुति का सबसे अप्रत्याशित हिस्सा पीएलसी नंद के बारे में कहानी थी - फ्लैश मेमोरी का और भी अधिक सघन प्रकार। कंपनी इस बात पर जोर देती है कि पिछले दो वर्षों में, दुनिया में उत्पादित डेटा की कुल मात्रा दोगुनी हो गई है, इसलिए चार-बिट QLC NAND पर आधारित ड्राइव अब इस समस्या का अच्छा समाधान नहीं लगती है - उद्योग को उच्चतर के साथ कुछ विकल्पों की आवश्यकता है भंडारण घनत्व. आउटपुट पेंटा-लेवल सेल (पीएलसी) फ्लैश मेमोरी होना चाहिए, जिसमें से प्रत्येक सेल एक बार में पांच बिट डेटा संग्रहीत करता है। इस प्रकार, फ़्लैश मेमोरी प्रकारों का पदानुक्रम जल्द ही SLC-MLC-TLC-QLC-PLC जैसा दिखेगा। नया पीएलसी नंद एसएलसी की तुलना में पांच गुना अधिक डेटा संग्रहीत करने में सक्षम होगा, लेकिन, निश्चित रूप से, कम प्रदर्शन और विश्वसनीयता के साथ, क्योंकि नियंत्रक को पांच बिट लिखने और पढ़ने के लिए सेल के चार्ज की 32 विभिन्न स्थितियों के बीच अंतर करना होगा। .

यह ध्यान देने योग्य है कि इंटेल सघन फ्लैश मेमोरी बनाने की अपनी खोज में अकेला नहीं है। तोशिबा ने अगस्त में आयोजित फ्लैश मेमोरी शिखर सम्मेलन के दौरान पीएलसी नंद बनाने की योजना के बारे में भी बात की। हालाँकि, इंटेल की तकनीक काफी अलग है: कंपनी फ्लोटिंग-गेट मेमोरी सेल का उपयोग करती है, जबकि तोशिबा के डिज़ाइन चार्ज ट्रैप-आधारित सेल के आसपास बनाए गए हैं। बढ़ती सूचना भंडारण घनत्व के साथ, एक फ्लोटिंग गेट सबसे अच्छा समाधान प्रतीत होता है, क्योंकि यह कोशिकाओं में आपसी प्रभाव और चार्ज के प्रवाह को कम करता है और कम त्रुटियों के साथ डेटा को पढ़ना संभव बनाता है। दूसरे शब्दों में, इंटेल का डिज़ाइन घनत्व बढ़ाने के लिए बेहतर अनुकूल है, जिसकी पुष्टि विभिन्न तकनीकों का उपयोग करके व्यावसायिक रूप से उपलब्ध QLC NAND के परीक्षण परिणामों से होती है। ऐसे परीक्षणों से पता चलता है कि फ्लोटिंग गेट पर आधारित QLC मेमोरी कोशिकाओं में डेटा का क्षरण चार्ज ट्रैप वाले QLC NAND कोशिकाओं की तुलना में दो से तीन गुना धीमी गति से होता है।

इस पृष्ठभूमि में, यह जानकारी कि माइक्रोन ने अन्य बातों के अलावा, चार्ज ट्रैप कोशिकाओं का उपयोग करने के लिए स्विच करने की इच्छा के कारण, इंटेल के साथ अपने फ्लैश मेमोरी विकास को साझा करने का निर्णय लिया, काफी दिलचस्प लगती है। इंटेल मूल तकनीक के प्रति प्रतिबद्ध है और इसे सभी नए समाधानों में व्यवस्थित रूप से लागू करता है।

पीएलसी नंद के अलावा, जो अभी भी विकास के अधीन है, इंटेल अन्य, अधिक किफायती तकनीकों का उपयोग करके फ्लैश मेमोरी में सूचना के भंडारण घनत्व को बढ़ाने का इरादा रखता है। विशेष रूप से, कंपनी ने 96-लेयर QLC 3D NAND के बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए आसन्न संक्रमण की पुष्टि की: इसका उपयोग एक नए उपभोक्ता ड्राइव में किया जाएगा इंटेल SSD 665p.

इसके बाद 144-लेयर QLC 3D NAND के उत्पादन में महारत हासिल की जाएगी - यह अगले साल उत्पादन अभियान को प्रभावित करेगा। यह दिलचस्प है कि इंटेल ने अब तक मोनोलिथिक क्रिस्टल के ट्रिपल सोल्डरिंग का उपयोग करने के किसी भी इरादे से इनकार किया है, इसलिए जबकि 96-लेयर डिज़ाइन में दो 48-लेयर क्रिस्टल की ऊर्ध्वाधर असेंबली शामिल है, 144-लेयर तकनीक स्पष्ट रूप से 72-लेयर पर आधारित होगी "अर्ध - पूर्ण उत्पाद"।

QLC 3D NAND क्रिस्टल में परतों की संख्या में वृद्धि के साथ, इंटेल डेवलपर्स का अभी तक क्रिस्टल की क्षमता बढ़ाने का इरादा नहीं है। 96- और 144-लेयर प्रौद्योगिकियों के आधार पर, समान टेराबिट क्रिस्टल का उत्पादन पहली पीढ़ी के 64-लेयर QLC 3D NAND के रूप में किया जाएगा। यह इसके आधार पर प्रदर्शन के स्वीकार्य स्तर के साथ एसएसडी प्रदान करने की इच्छा के कारण है। 144-लेयर मेमोरी का उपयोग करने वाला पहला SSD आर्बोर्डेल+ सर्वर ड्राइव होगा।

स्रोत: 3dnews.ru