छोटा लेकिन बोल्ड: एक लघु रैखिक कण त्वरक जिसने एक नया रिकॉर्ड बनाया

"अधिक अधिक शक्तिशाली है" का परिचित सिद्धांत लंबे समय से विज्ञान और प्रौद्योगिकी सहित समाज के कई क्षेत्रों में स्थापित किया गया है। हालाँकि, आधुनिक वास्तविकताओं में, "छोटा, लेकिन शक्तिशाली" कहावत का व्यावहारिक कार्यान्वयन अधिक से अधिक आम होता जा रहा है। यह उन कंप्यूटरों में प्रकट होता है, जो पहले एक पूरा कमरा लेते थे, लेकिन अब एक बच्चे की हथेली में फिट हो जाते हैं, और चार्ज किए गए कण त्वरक में। हां, लार्ज हैड्रॉन कोलाइडर (एलएचसी) याद है, जिसके प्रभावशाली आयाम (लंबाई में 26 मीटर) सचमुच इसके नाम में दर्शाए गए हैं? तो, DESY के वैज्ञानिकों के अनुसार यह पहले से ही अतीत की बात है, जिन्होंने त्वरक का एक लघु संस्करण विकसित किया है, जो प्रदर्शन में अपने पूर्ण आकार के पूर्ववर्ती से कमतर नहीं है। इसके अलावा, मिनी एक्सेलेरेटर ने एम्बेडेड इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा को दोगुना करते हुए, टेराहर्ट्ज़ एक्सेलेरेटर के बीच एक नया विश्व रिकॉर्ड भी बनाया। लघु त्वरक कैसे विकसित किया गया, इसके संचालन के मूल सिद्धांत क्या हैं और व्यावहारिक प्रयोगों ने क्या दिखाया है? रिसर्च ग्रुप की रिपोर्ट से हमें इस बारे में पता लगाने में मदद मिलेगी. जाना।

अनुसंधान आधार

मिनी-त्वरक विकसित करने वाले DESY (जर्मन इलेक्ट्रॉन सिंक्रोट्रॉन) में डोंगफैंग झांग और उनके सहयोगियों के अनुसार, अल्ट्राफास्ट इलेक्ट्रॉन स्रोत आधुनिक समाज के जीवन में अविश्वसनीय रूप से महत्वपूर्ण भूमिका निभाते हैं। उनमें से कई चिकित्सा, इलेक्ट्रॉनिक्स विकास और वैज्ञानिक अनुसंधान में दिखाई देते हैं। रेडियो फ़्रीक्वेंसी ऑसिलेटर का उपयोग करने वाले वर्तमान रैखिक त्वरक के साथ सबसे बड़ी समस्या उनकी उच्च लागत, जटिल बुनियादी ढाँचा और प्रभावशाली बिजली खपत है। और ऐसी कमियाँ उपयोगकर्ताओं की व्यापक श्रेणी तक ऐसी तकनीकों की उपलब्धता को बहुत सीमित कर देती हैं।

ये स्पष्ट समस्याएं उन उपकरणों को विकसित करने के लिए एक बड़ा प्रोत्साहन हैं जिनका आकार और बिजली की खपत डरावनी नहीं होगी।

इस उद्योग में सापेक्ष नवीनताओं में टेराहर्ट्ज़ त्वरक हैं, जिनके कई "लाभ" हैं:

• यह उम्मीद की जाती है कि टेराहर्ट्ज़ विकिरण की छोटी तरंगें और छोटी दालें सीमा में काफी वृद्धि करेंगी टूट - फूट*, क्षेत्र के कारण, जिससे त्वरण प्रवणता में वृद्धि होगी;

विद्युत खराबी* - जब क्रिटिकल से ऊपर वोल्टेज लगाया जाता है तो करंट की ताकत में तेज वृद्धि होती है।

• उच्च-क्षेत्र टेराहर्ट्ज़ विकिरण उत्पन्न करने के लिए प्रभावी तरीकों की उपस्थिति इलेक्ट्रॉनों और उत्तेजना क्षेत्रों के बीच आंतरिक सिंक्रनाइज़ेशन की अनुमति देती है;
• ऐसे उपकरण बनाने के लिए शास्त्रीय तरीकों का उपयोग किया जा सकता है, लेकिन उनकी लागत, उत्पादन समय और आकार बहुत कम हो जाएगा।

वैज्ञानिकों का मानना ​​है कि उनका मिलीमीटर-स्केल टेराहर्ट्ज़ त्वरक पारंपरिक त्वरक जो वर्तमान में उपलब्ध हैं और माइक्रो-त्वरक जो विकसित किए जा रहे हैं, के बीच एक समझौता है, लेकिन उनके बहुत छोटे आयामों के कारण कई नुकसान हैं।

शोधकर्ता इस बात से इनकार नहीं करते हैं कि टेराहर्ट्ज़ त्वरण तकनीक कुछ समय से विकास में है। हालाँकि, उनकी राय में, इस क्षेत्र में अभी भी कई पहलू हैं जिनका अध्ययन, परीक्षण या कार्यान्वयन नहीं किया गया है।

अपने काम में, जिस पर हम आज विचार कर रहे हैं, वैज्ञानिक STEAM की क्षमताओं का प्रदर्शन करते हैं (खंडित टेराहर्ट्ज़ इलेक्ट्रॉन त्वरक और मैनिपुलेटर) - एक खंडित टेराहर्ट्ज़ इलेक्ट्रॉन त्वरक और मैनिपुलेटर। भाप इलेक्ट्रॉन किरण की लंबाई को उप-पिकोसेकंड अवधि तक कम करना संभव बनाती है, जिससे त्वरण चरण पर फेमटोसेकंड नियंत्रण प्रदान होता है।

200 एमवी/एम (एमवी - मेगावोल्ट) का त्वरण क्षेत्र प्राप्त करना संभव था, जिससे 70 केवी की ऊर्जा के साथ एम्बेडेड इलेक्ट्रॉन बीम से > 55 केवी (किलोइलेक्ट्रॉनवोल्ट) का रिकॉर्ड टेराहर्ट्ज़ त्वरण होता है। इस प्रकार 125 केवी तक त्वरित इलेक्ट्रॉन प्राप्त हुए।

डिवाइस संरचना और कार्यान्वयन

छवि संख्या 1: अध्ययनाधीन डिवाइस का आरेख।

छवि संख्या 1-2: ए - विकसित 5-परत खंडित संरचना का आरेख, बी - गणना त्वरण और इलेक्ट्रॉन प्रसार की दिशा का अनुपात।

इलेक्ट्रॉन किरणें (55 keV) उत्पन्न होती हैं इलेक्ट्रॉन गन* और टेराहर्ट्ज़ स्टीम-बंचर (बीम कंप्रेसर) में पेश किए जाते हैं, जिसके बाद वे स्टीम-लिनैक (रैखिक त्वरक*).

इलेक्ट्रॉन गन* - आवश्यक विन्यास और ऊर्जा के इलेक्ट्रॉनों की किरण उत्पन्न करने के लिए एक उपकरण।

रैखिक त्वरक* - एक त्वरक जिसमें आवेशित कण केवल एक बार संरचना से गुजरते हैं, जो एक रैखिक त्वरक को चक्रीय त्वरक (उदाहरण के लिए, एलएचसी) से अलग करता है।

दोनों STEAM डिवाइस एक एकल निकट-अवरक्त (NIR) लेजर से टेराहर्ट्ज़ दालें प्राप्त करते हैं, जो इलेक्ट्रॉन गन के फोटोकैथोड को भी सक्रिय करता है, जिसके परिणामस्वरूप इलेक्ट्रॉनों और त्वरित क्षेत्रों के बीच आंतरिक सिंक्रनाइज़ेशन होता है। फोटोकैथोड पर फोटो उत्सर्जन के लिए पराबैंगनी दालें दो क्रमिक चरणों के माध्यम से उत्पन्न होती हैं जीवीजी* निकट-अवरक्त प्रकाश की मौलिक तरंग दैर्ध्य। यह प्रक्रिया 1020 एनएम लेजर पल्स को पहले 510 एनएम और फिर 255 एनएम में परिवर्तित करती है।

जीवीजी* (ऑप्टिकल दूसरी हार्मोनिक पीढ़ी) एक गैर-रेखीय सामग्री के साथ बातचीत के दौरान समान आवृत्ति के फोटॉन के संयोजन की प्रक्रिया है, जिससे दोगुनी ऊर्जा और आवृत्ति के साथ-साथ आधे तरंग दैर्ध्य के साथ नए फोटॉन का निर्माण होता है।

एनआईआर लेजर बीम के शेष भाग को 4 बीमों में विभाजित किया जाता है, जिनका उपयोग इंट्रा-पल्स आवृत्ति अंतर उत्पन्न करके चार एकल-चक्र टेराहर्ट्ज़ दालों को उत्पन्न करने के लिए किया जाता है।

फिर दो टेराहर्ट्ज़ दालों को सममित सींग संरचनाओं के माध्यम से प्रत्येक STEAM डिवाइस तक पहुंचाया जाता है जो इलेक्ट्रॉन प्रसार की दिशा में टेराहर्ट्ज़ ऊर्जा को इंटरैक्शन क्षेत्र में निर्देशित करता है।

जब इलेक्ट्रॉन प्रत्येक STEAM उपकरण में प्रवेश करते हैं, तो वे विद्युत और चुंबकीय घटकों के संपर्क में आते हैं लोरेंत्ज़ बल*.

लोरेंत्ज़ बल* - वह बल जिसके साथ विद्युत चुम्बकीय क्षेत्र आवेशित कण पर कार्य करता है।

इस मामले में, विद्युत क्षेत्र त्वरण और मंदी के लिए जिम्मेदार है, और चुंबकीय क्षेत्र पार्श्व विक्षेपण का कारण बनता है।

छवि #2

जैसा कि हम छवियों में देखते हैं 2а и 2b, प्रत्येक STEAM डिवाइस के अंदर, टेराहर्ट्ज़ बीम को पतली धातु की चादरों द्वारा अलग-अलग मोटाई की कई परतों में विभाजित किया जाता है, जिनमें से प्रत्येक एक वेवगाइड के रूप में कार्य करता है, जो कुल ऊर्जा के हिस्से को इंटरेक्शन क्षेत्र में स्थानांतरित करता है। टेराहर्ट्ज़ के आगमन समय को समन्वित करने के लिए प्रत्येक परत में ढांकता हुआ प्लेटें भी हैं लहर सामने* इलेक्ट्रॉनों के अग्र भाग के साथ.

वेवफ़्रंट* - वह सतह जिस तक तरंग पहुंची है।

दोनों STEAM उपकरण विद्युत मोड में काम करते हैं, अर्थात, इस तरह से कि एक विद्युत क्षेत्र लगाया जा सके और संपर्क क्षेत्र के केंद्र में एक चुंबकीय क्षेत्र को दबाया जा सके।

पहले उपकरण में, इलेक्ट्रॉनों को गुजरने का समय निर्धारित किया जाता है जीबरा क्रोससिंग* टेराहर्ट्ज़ क्षेत्र, जहां विद्युत क्षेत्र के समय प्रवणता को अधिकतम किया जाता है और औसत क्षेत्र को न्यूनतम किया जाता है।

जीबरा क्रोससिंग* - एक ऐसा बिंदु जहां कोई तनाव न हो।

इस विन्यास के कारण इलेक्ट्रॉन किरण की पूंछ तेज हो जाती है और उसका सिर धीमा हो जाता है, जिसके परिणामस्वरूप बैलिस्टिक अनुदैर्ध्य फोकस होता है (2а и 2с).

दूसरे उपकरण में, इलेक्ट्रॉन और टेराहर्ट्ज़ विकिरण का सिंक्रनाइज़ेशन सेट किया गया है ताकि इलेक्ट्रॉन किरण टेराहर्ट्ज़ विद्युत क्षेत्र के केवल एक नकारात्मक चक्र का अनुभव करे। इस कॉन्फ़िगरेशन के परिणामस्वरूप शुद्ध निरंतर त्वरण होता है (2b и 2d).

एनआईआर लेजर एक क्रायोजेनिक रूप से ठंडा वाईबी:वाईएलएफ प्रणाली है जो 1.2 एनएम की तरंग दैर्ध्य और 50 हर्ट्ज की पुनरावृत्ति दर पर 1020 पीएस अवधि और 10 एमजे ऊर्जा के ऑप्टिकल पल्स उत्पन्न करता है। और 0.29 टेराहर्ट्ज़ (3.44 पीएस की अवधि) की केंद्रीय आवृत्ति के साथ टेराहर्ट्ज़ दालें झुकाव वाली पल्स फ्रंट विधि द्वारा उत्पन्न होती हैं।

STEAM-बंचर (बीम कंप्रेसर) को बिजली देने के लिए केवल 2 x 50 nJ टेराहर्ट्ज़ ऊर्जा का उपयोग किया गया था, और STEAM-linac (रैखिक त्वरक) को 2 x 15 mJ की आवश्यकता थी।

दोनों STEAM उपकरणों के इनलेट और आउटलेट छेद का व्यास 120 माइक्रोन है।

बीम कंप्रेसर को समान ऊंचाई (0 मिमी) की तीन परतों के साथ डिज़ाइन किया गया है, जो समय को नियंत्रित करने के लिए 225 और 4.41 मिमी की फ़्यूज्ड सिलिका प्लेटों (ϵr = 0.42) से सुसज्जित हैं। कंप्रेसर परतों की समान ऊंचाई इस तथ्य को दर्शाती है कि कोई त्वरण नहीं है (2с).

लेकिन रैखिक त्वरक में ऊंचाई पहले से ही अलग है - 0.225, 0.225 और 0.250 मिमी (+ फ़्यूज्ड क्वार्ट्ज प्लेट्स 0.42 और 0.84 मिमी)। परत की ऊंचाई में वृद्धि त्वरण के दौरान इलेक्ट्रॉनों की गति में वृद्धि को बताती है।

वैज्ञानिकों का कहना है कि परतों की संख्या दोनों उपकरणों में से प्रत्येक की कार्यक्षमता के लिए सीधे तौर पर जिम्मेदार है। उदाहरण के लिए, त्वरण की उच्च दर प्राप्त करने के लिए, इंटरैक्शन को अनुकूलित करने के लिए अधिक परतों और विभिन्न ऊंचाई कॉन्फ़िगरेशन की आवश्यकता होगी।

व्यावहारिक प्रयोगों के परिणाम

सबसे पहले, शोधकर्ता याद दिलाते हैं कि पारंपरिक रेडियो फ्रीक्वेंसी त्वरक में, त्वरित बीम के गुणों पर एम्बेडेड इलेक्ट्रॉन बीम की अस्थायी सीमा का प्रभाव आने वाले बीम के भीतर विभिन्न इलेक्ट्रॉनों की बातचीत के दौरान अनुभव किए गए विद्युत क्षेत्र में परिवर्तन के कारण होता है। अलग अलग समय पर। इस प्रकार, यह उम्मीद की जा सकती है कि उच्च ग्रेडिएंट वाले क्षेत्र और लंबी अवधि वाले बीम बड़े ऊर्जा प्रसार को जन्म देंगे। लंबी अवधि की इंजेक्टेड किरणें भी उच्च मूल्यों को जन्म दे सकती हैं उत्सर्जन*.

उत्सर्जन* - आवेशित कणों की त्वरित किरण द्वारा व्याप्त चरण स्थान।

टेराहर्ट्ज़ त्वरक के मामले में, उत्तेजना क्षेत्र की अवधि लगभग 200 गुना कम है। इस तरह, तनाव* समर्थित फ़ील्ड 10 गुना अधिक होगी.

विद्युत क्षेत्र की ताकत* - विद्युत क्षेत्र का एक संकेतक, क्षेत्र में किसी दिए गए बिंदु पर रखे गए स्थिर बिंदु आवेश पर लगाए गए बल और इस आवेश के परिमाण के अनुपात के बराबर।

इस प्रकार, एक टेराहर्ट्ज़ त्वरक में, इलेक्ट्रॉनों द्वारा अनुभव किए जाने वाले फ़ील्ड ग्रेडिएंट एक पारंपरिक उपकरण की तुलना में अधिक परिमाण के कई ऑर्डर हो सकते हैं। समय का पैमाना जिस पर क्षेत्र की वक्रता ध्यान देने योग्य है वह काफी छोटा होगा। इससे यह पता चलता है कि प्रक्षेपित इलेक्ट्रॉन किरण की अवधि का अधिक स्पष्ट प्रभाव होगा।

वैज्ञानिकों ने इन सिद्धांतों को व्यवहार में परखने का निर्णय लिया। ऐसा करने के लिए, उन्होंने अलग-अलग अवधि के इलेक्ट्रॉन बीम पेश किए, जिन्हें पहले स्टीम डिवाइस (स्टीम-बंचर) का उपयोग करके संपीड़न द्वारा नियंत्रित किया गया था।

छवि #3

ऐसे मामले में जहां कंप्रेसर किसी शक्ति स्रोत से जुड़ा नहीं था, ∼55 fC (फेमटोकूलम्ब) के चार्ज के साथ इलेक्ट्रॉनों की किरणें (1 keV) इलेक्ट्रॉन गन से रैखिक त्वरक उपकरण (STEAM-linac) तक लगभग 300 मिमी से गुजरीं। ये इलेक्ट्रॉन अंतरिक्ष आवेश बलों के प्रभाव में 1000 एफएस (फेमटोसेकंड) से अधिक की अवधि तक विस्तारित हो सकते हैं।

इस अवधि में, इलेक्ट्रॉन किरण ने 60 पीएस की आवृत्ति के साथ त्वरित क्षेत्र के आधे-तरंग दैर्ध्य के लगभग 1,7% पर कब्जा कर लिया, जिसके परिणामस्वरूप 115 केवी पर शिखर और ऊर्जा वितरण की आधी-चौड़ाई के साथ एक पोस्ट-त्वरण ऊर्जा स्पेक्ट्रम प्राप्त हुआ। 60 केवी से अधिक (3а).

अपेक्षित परिणामों के साथ इन परिणामों की तुलना करने के लिए, एक रैखिक त्वरक के माध्यम से इलेक्ट्रॉन प्रसार की स्थिति का अनुकरण किया गया था जब इलेक्ट्रॉन इष्टतम इंजेक्शन समय के साथ सिंक से बाहर थे (यानी, सिंक से बाहर)। इस स्थिति की गणना से पता चला कि इलेक्ट्रॉन ऊर्जा में वृद्धि इंजेक्शन के क्षण पर बहुत निर्भर है, एक सबपिकोसेकंड समय पैमाने तक (3b). अर्थात्, एक इष्टतम सेटिंग के साथ, इलेक्ट्रॉन प्रत्येक परत में टेराहर्ट्ज़ विकिरण त्वरण के पूर्ण आधे चक्र का अनुभव करेगा (3с).

यदि इलेक्ट्रॉन अलग-अलग समय पर आते हैं, तो उन्हें पहली परत में कम त्वरण का अनुभव होता है, जिससे उन्हें इसके माध्यम से यात्रा करने में अधिक समय लगता है। फिर निम्नलिखित परतों में डीसिंक्रनाइज़ेशन बढ़ जाता है, जिससे अवांछित मंदी आती है (3d).

इलेक्ट्रॉन किरण के अस्थायी विस्तार के नकारात्मक प्रभाव को कम करने के लिए, पहला STEAM उपकरण संपीड़न मोड में संचालित हुआ। कंप्रेसर को आपूर्ति की गई टेराहर्ट्ज़ ऊर्जा को ट्यून करके और लिनाक को हैच मोड में स्विच करके लिनाक पर इलेक्ट्रॉन बीम अवधि को न्यूनतम ~ 350 एफएस (आधी चौड़ाई) तक अनुकूलित किया गया था (4b).

छवि #4

न्यूनतम बीम अवधि फोटोकैथोड यूवी पल्स की अवधि के अनुसार निर्धारित की गई थी, जो ~600 एफएस थी। कंप्रेसर और पट्टी के बीच की दूरी ने भी एक महत्वपूर्ण भूमिका निभाई, जिसने मोटाई बल की गति को सीमित कर दिया। साथ में, ये उपाय त्वरण चरण के इंजेक्शन चरण में फेमटोसेकंड परिशुद्धता को सक्षम करते हैं।

छवि पर 4а यह देखा जा सकता है कि एक रैखिक त्वरक में अनुकूलित त्वरण के बाद संपीड़ित इलेक्ट्रॉन बीम का ऊर्जा प्रसार असम्पीडित की तुलना में ~ 4 गुना कम हो जाता है। त्वरण के कारण, संपीड़ित बीम का ऊर्जा स्पेक्ट्रम असम्पीडित बीम के विपरीत, उच्च ऊर्जा की ओर स्थानांतरित हो जाता है। त्वरण के बाद ऊर्जा स्पेक्ट्रम का शिखर लगभग 115 केवी है, और उच्च-ऊर्जा पूंछ लगभग 125 केवी तक पहुंच जाती है।

वैज्ञानिकों के मामूली बयान के अनुसार, ये आंकड़े टेराहर्ट्ज़ रेंज में एक नया त्वरण रिकॉर्ड हैं (त्वरण से पहले यह 70 केवी था)।

लेकिन ऊर्जा फैलाव को कम करने के लिए (4а), और भी छोटी किरण प्राप्त की जानी चाहिए।

छवि #5

एक असम्पीडित प्रविष्ट बीम के मामले में, धारा पर बीम के आकार की परवलयिक निर्भरता क्षैतिज और ऊर्ध्वाधर दिशाओं में अनुप्रस्थ उत्सर्जन को प्रकट करती है: εx,n = 1.703 mm*mrad और εy,n = 1.491 mm*mrad (5а).

बदले में, संपीड़न ने अनुप्रस्थ उत्सर्जन को 6 गुना बढ़ाकर εx,n = 0,285 mm*mrad (क्षैतिज) और εy,n = 0,246 mm*mrad (ऊर्ध्वाधर) कर दिया।

यह ध्यान देने योग्य है कि उत्सर्जन में कमी की डिग्री बीम अवधि में कमी की डिग्री से लगभग दोगुनी है, जो समय के साथ इंटरैक्शन गतिशीलता की गैर-रैखिकता का एक उपाय है जब इलेक्ट्रॉन त्वरण के दौरान चुंबकीय क्षेत्र के मजबूत फोकसिंग और डीफोकसिंग का अनुभव करते हैं (5b и 5с).

छवि पर 5b यह देखा जा सकता है कि इष्टतम समय पर पेश किए गए इलेक्ट्रॉन विद्युत क्षेत्र त्वरण के पूरे आधे चक्र का अनुभव करते हैं। लेकिन इष्टतम समय से पहले या बाद में आने वाले इलेक्ट्रॉन कम त्वरण और यहां तक ​​कि आंशिक मंदी का अनुभव करते हैं। मोटे तौर पर कहें तो ऐसे इलेक्ट्रॉनों को कम ऊर्जा प्राप्त होती है।

चुंबकीय क्षेत्र के संपर्क में आने पर भी ऐसी ही स्थिति देखी जाती है। इष्टतम समय पर इंजेक्ट किए गए इलेक्ट्रॉन सकारात्मक और नकारात्मक चुंबकीय क्षेत्रों की सममित मात्रा का अनुभव करते हैं। यदि इलेक्ट्रॉनों का परिचय इष्टतम समय से पहले हुआ, तो अधिक सकारात्मक क्षेत्र और कम नकारात्मक क्षेत्र थे। यदि इलेक्ट्रॉनों को इष्टतम समय से बाद में पेश किया जाता है, तो कम सकारात्मक और अधिक नकारात्मक होगा (5с). और इस तरह के विचलन इस तथ्य को जन्म देते हैं कि इलेक्ट्रॉन अक्ष के सापेक्ष अपनी स्थिति के आधार पर बाएं, दाएं, ऊपर या नीचे विचलन कर सकता है, जिससे बीम के फोकस या डिफोकसिंग के अनुरूप अनुप्रस्थ गति में वृद्धि होती है।

अध्ययन की बारीकियों के साथ अधिक विस्तृत परिचित के लिए, मैं देखने की सलाह देता हूं वैज्ञानिकों की रिपोर्ट и अतिरिक्त सामग्री उसे।

उपसंहार

संक्षेप में, यदि इलेक्ट्रॉन किरण की अवधि कम कर दी जाए तो त्वरक का प्रदर्शन बढ़ जाएगा। इस कार्य में, प्राप्य बीम अवधि स्थापना की ज्यामिति द्वारा सीमित थी। लेकिन, सिद्धांत रूप में, बीम अवधि 100 एफएस से कम तक पहुंच सकती है।

वैज्ञानिकों ने यह भी ध्यान दिया कि परतों की ऊंचाई कम करके और उनकी संख्या बढ़ाकर बीम की गुणवत्ता में और सुधार किया जा सकता है। हालाँकि, यह विधि समस्याओं से रहित नहीं है, विशेष रूप से डिवाइस के निर्माण की जटिलता को बढ़ाती है।

यह कार्य एक रैखिक त्वरक के लघु संस्करण के अधिक व्यापक और विस्तृत अध्ययन का प्रारंभिक चरण है। इस तथ्य के बावजूद कि परीक्षण किया गया संस्करण पहले से ही उत्कृष्ट परिणाम दिखा रहा है, जिसे सही मायने में रिकॉर्ड-ब्रेकिंग कहा जा सकता है, अभी भी बहुत काम करना बाकी है।

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स्रोत: www.habr.com