सैमसंग में, प्रत्येक नैनोमीटर मायने रखता है: 7 एनएम के बाद 6-, 5-, 4- और 3-एनएम तकनीकी प्रक्रियाएं होंगी

आज सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स सूचना अर्धचालकों के उत्पादन के लिए तकनीकी प्रक्रियाओं के विकास की योजनाओं के बारे में। कंपनी पेटेंट किए गए एमबीसीएफईटी ट्रांजिस्टर पर आधारित प्रयोगात्मक 3-एनएम चिप्स की डिजिटल परियोजनाओं के निर्माण को मुख्य वर्तमान उपलब्धि मानती है। ये ऊर्ध्वाधर FET गेट्स (मल्टी-ब्रिज-चैनल FET) में कई क्षैतिज नैनोपेज चैनलों वाले ट्रांजिस्टर हैं।

आईबीएम के साथ गठबंधन के हिस्से के रूप में, सैमसंग ने पूरी तरह से गेट्स (जीएए या गेट-ऑल-अराउंड) से घिरे चैनलों के साथ ट्रांजिस्टर के उत्पादन के लिए थोड़ी अलग तकनीक विकसित की। चैनलों को नैनोवायर के रूप में पतला बनाया जाना था। इसके बाद, सैमसंग इस योजना से दूर चला गया और नैनोपेज के रूप में चैनलों के साथ एक ट्रांजिस्टर संरचना का पेटेंट कराया। यह संरचना आपको पृष्ठों (चैनलों) की संख्या में हेरफेर करके और पृष्ठों की चौड़ाई को समायोजित करके ट्रांजिस्टर की विशेषताओं को नियंत्रित करने की अनुमति देती है। शास्त्रीय FET तकनीक के लिए, ऐसा पैंतरेबाज़ी असंभव है। फिनफेट ट्रांजिस्टर की शक्ति बढ़ाने के लिए, सब्सट्रेट पर एफईटी पंखों की संख्या को गुणा करना आवश्यक है, और इसके लिए क्षेत्र की आवश्यकता होती है। एमबीसीएफईटी ट्रांजिस्टर की विशेषताओं को एक भौतिक गेट के भीतर बदला जा सकता है, जिसके लिए आपको चैनलों की चौड़ाई और उनकी संख्या निर्धारित करने की आवश्यकता है।

GAA प्रक्रिया का उपयोग करके उत्पादन के लिए एक प्रोटोटाइप चिप के डिजिटल डिज़ाइन (टेप आउट) की उपलब्धता ने सैमसंग को MBCFET ट्रांजिस्टर की क्षमताओं की सीमा निर्धारित करने की अनुमति दी। यह ध्यान में रखा जाना चाहिए कि यह अभी भी कंप्यूटर मॉडलिंग डेटा है और नई तकनीकी प्रक्रिया को बड़े पैमाने पर उत्पादन में लॉन्च होने के बाद ही अंतिम रूप से आंका जा सकता है। हालाँकि, एक शुरुआती बिंदु है। कंपनी ने कहा कि 7nm प्रक्रिया (स्पष्ट रूप से पहली पीढ़ी) से GAA प्रक्रिया में परिवर्तन से डाई क्षेत्र में 45% की कमी और खपत में 50% की कमी आएगी। यदि आप उपभोग पर बचत नहीं करते हैं, तो उत्पादकता 35% तक बढ़ाई जा सकती है। पहले, सैमसंग ने 3nm प्रक्रिया पर जाने पर बचत और उत्पादकता में लाभ देखा था सूचीबद्ध कॉमा द्वारा अलग। यह पता चला कि यह या तो एक था या दूसरा।

कंपनी स्वतंत्र चिप डेवलपर्स और फैबलेस कंपनियों के लिए सार्वजनिक क्लाउड प्लेटफॉर्म की तैयारी को 3nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी को लोकप्रिय बनाने में एक महत्वपूर्ण बिंदु मानती है। सैमसंग ने उत्पादन सर्वर पर विकास परिवेश, परियोजना सत्यापन और लाइब्रेरी को नहीं छिपाया। SAFE (सैमसंग एडवांस्ड फाउंड्री इकोसिस्टम क्लाउड) प्लेटफॉर्म दुनिया भर के डिजाइनरों के लिए उपलब्ध होगा। SAFE क्लाउड प्लेटफ़ॉर्म Amazon Web Services (AWS) और Microsoft Azure जैसी प्रमुख सार्वजनिक क्लाउड सेवाओं की भागीदारी से बनाया गया था। कैडेंस और सिनोप्सिस के डिज़ाइन सिस्टम के डेवलपर्स ने SAFE के भीतर अपने डिज़ाइन उपकरण प्रदान किए। यह सैमसंग प्रक्रियाओं के लिए नए समाधान बनाना आसान और सस्ता बनाने का वादा करता है।

सैमसंग की 3nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी पर लौटते हुए, आइए जोड़ते हैं कि कंपनी ने अपने चिप विकास पैकेज का पहला संस्करण - 3nm GAE PDK संस्करण 0.1 प्रस्तुत किया। इसकी मदद से, आप आज ही 3nm समाधान डिज़ाइन करना शुरू कर सकते हैं, या कम से कम इस सैमसंग प्रक्रिया को पूरा करने के लिए तैयार हो सकते हैं जब यह व्यापक हो जाए।

सैमसंग ने अपनी भविष्य की योजनाओं की घोषणा इस प्रकार की है। इस वर्ष की दूसरी छमाही में, 6nm प्रक्रिया का उपयोग करके चिप्स का बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू किया जाएगा। इसी समय, 4nm प्रक्रिया प्रौद्योगिकी का विकास पूरा हो जाएगा। 5nm प्रक्रिया का उपयोग करके पहले सैमसंग उत्पादों का विकास इस पतझड़ में पूरा हो जाएगा, जिसका उत्पादन अगले साल की पहली छमाही में शुरू होगा। साथ ही, इस साल के अंत तक, सैमसंग 18FDS प्रोसेस टेक्नोलॉजी (FD-SOI वेफर्स पर 18 एनएम) और 1-Gbit eMRAM चिप्स का विकास पूरा कर लेगा। 7 एनएम से 3 एनएम तक की प्रक्रिया प्रौद्योगिकियां बढ़ती तीव्रता के साथ ईयूवी स्कैनर का उपयोग करेंगी, जिससे प्रत्येक नैनोमीटर की गिनती होगी। आगे नीचे की ओर हर कदम संघर्ष के साथ उठाया जाएगा।

स्रोत: 3dnews.ru