संयुक्त राज्य अमेरिका में नैनोमीटर अर्धचालकों के उत्पादन के लिए एक नई तकनीक विकसित की गई है

सेमीकंडक्टर उत्पादन प्रौद्योगिकियों में सुधार के बिना माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के आगे विकास की कल्पना करना असंभव है। सीमाओं का विस्तार करने और क्रिस्टल पर छोटे तत्वों का उत्पादन कैसे करें, यह सीखने के लिए नई प्रौद्योगिकियों और नए उपकरणों की आवश्यकता है। इनमें से एक तकनीक अमेरिकी वैज्ञानिकों द्वारा एक महत्वपूर्ण विकास हो सकती है।

अमेरिकी ऊर्जा विभाग के आर्गोन नेशनल लेबोरेटरी के शोधकर्ताओं की एक टीम विकसित किया क्रिस्टल की सतह पर पतली फिल्में बनाने और उकेरने की एक नई तकनीक। इससे संभावित रूप से आज की तुलना में और निकट भविष्य में छोटे पैमाने पर चिप्स का उत्पादन हो सकता है। यह अध्ययन केमिस्ट्री ऑफ मैटेरियल्स जर्नल में प्रकाशित हुआ था।

प्रस्तावित तकनीक पारंपरिक प्रक्रिया से मिलती जुलती है परमाणु परत जमाव और नक़्क़ाशी, केवल अकार्बनिक फिल्मों के बजाय, नई तकनीक जैविक फिल्मों का निर्माण और काम करती है। दरअसल, सादृश्य से, नई तकनीक को आणविक परत जमाव (एमएलडी, आणविक परत जमाव) और आणविक परत नक़्क़ाशी (एमएलई, आणविक परत नक़्क़ाशी) कहा जाता है।

परमाणु परत नक़्क़ाशी के मामले में, एमएलई विधि कार्बनिक-आधारित सामग्री की फिल्मों के साथ क्रिस्टल की सतह के एक कक्ष में गैस उपचार का उपयोग करती है। क्रिस्टल को चक्रीय रूप से दो अलग-अलग गैसों के साथ बारी-बारी से तब तक उपचारित किया जाता है जब तक कि फिल्म एक निश्चित मोटाई तक पतली न हो जाए।

रासायनिक प्रक्रियाएँ स्व-नियमन के नियमों के अधीन हैं। इसका मतलब है कि परत दर परत समान रूप से और नियंत्रित तरीके से हटा दी जाती है। यदि आप फोटोमास्क का उपयोग करते हैं, तो आप चिप पर भविष्य की चिप की टोपोलॉजी को पुन: पेश कर सकते हैं और उच्चतम सटीकता के साथ डिज़ाइन को उकेर सकते हैं।

प्रयोग में, वैज्ञानिकों ने आणविक नक़्क़ाशी के लिए लिथियम लवण युक्त गैस और ट्राइमिथाइलएल्यूमीनियम पर आधारित गैस का उपयोग किया। नक़्क़ाशी प्रक्रिया के दौरान, लिथियम यौगिक ने एल्यूकोन फिल्म की सतह के साथ इस तरह से प्रतिक्रिया की कि लिथियम सतह पर जमा हो गया और फिल्म में रासायनिक बंधन को नष्ट कर दिया। फिर ट्राइमिथाइलएल्यूमिनियम की आपूर्ति की गई, जिसने लिथियम के साथ फिल्म की परत को हटा दिया, और इसी तरह एक-एक करके जब तक फिल्म वांछित मोटाई तक कम नहीं हो गई। वैज्ञानिकों का मानना ​​है कि प्रक्रिया की अच्छी नियंत्रणीयता, प्रस्तावित तकनीक को सेमीकंडक्टर उत्पादन के विकास को आगे बढ़ाने की अनुमति दे सकती है।

स्रोत: 3dnews.ru